本发明涉及一种晶元陶瓷部件再生方法，具体涉及一种半导体晶元薄膜制程金属dps工艺陶瓷气嘴的再生方法。
背景技术：
晶元是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之ic产品。
在晶元生产过程中，需要对各部件进行再生处理。由于陶瓷的热膨胀系数较小且陶瓷气嘴结构较为复杂不适合采用水洗或热胀冷缩等方法进行清洗。因此，需要一种半导体晶元薄膜制程金属dps工艺陶瓷气嘴的再生方法。
技术实现要素：
为解决上述存在的问题，本发明的目的在于提供一种半导体晶元薄膜制程金属dps工艺陶瓷气嘴的再生方法。其通过高压气体对撞，产生局部湍流与真空，来清洁陶瓷气嘴，具有较好的再生效果，且能避免其他工具直接再生时对陶瓷气嘴角落等复杂结构产生污染，具有广泛的适用性。
为达到上述目的，本发明的技术方案是：
半导体晶元薄膜制程金属dps工艺陶瓷气嘴的再生方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）将陶瓷气嘴在干燥室内冷冻后，将陶瓷气嘴升温到-10℃至-15℃之间备用；该步骤通过低温可以使污染物更容易与陶瓷表面脱离，便于后续步骤的进行。
2）在陶瓷气嘴各表面上方2-3mm处设置吸附层，再采用20mpa-25mpa气柱在陶瓷气嘴各表面上方对撞，气柱对撞角度小于120°；该步骤通过气流对撞，产生局部的湍流与真空，从而使陶瓷表面的污染物脱落，并被吸附层吸附，吸附层为黏性吸附层，其能够在再生的同时，避免高压气流直接冲击陶瓷表面造成损坏，同时吸附层能避免二次污染。
3）旋转并移动陶瓷气嘴，使陶瓷气嘴各表面均匀得到步骤2）处理；该步骤可以进一步处理表面污染物，并且使深层污染物松动。
4）重复进行步骤2）到步骤3）后再进行一次步骤1）到步骤3）；该步骤可以有效清理深层污染物。
5）将步骤4）后所得的陶瓷气嘴在20℃干燥室内自然升温至温度不再变化，完成再生。
作为上述方法的进一步改进，所述步骤1）中陶瓷气嘴在干燥室内冷冻至50℃以下。
作为上述方法的进一步改进，所述步骤1）中冷冻方式采用液氮冷冻。液氮冷冻效率高。
作为上述方法的进一步改进，所述步骤2）中20mpa-25mpa气柱采用氮气气柱。该设置可以避免其体内其他杂志污染。
作为上述方法的进一步改进，所述步骤2）中气柱在陶瓷气嘴各表面上方0.2-0.5mm处对撞。该设置可避免冲击压力过大损坏陶瓷气嘴。
作为上述方法的进一步改进，所述气柱对撞过程中气柱对撞处在陶瓷气嘴各表面上方0.2-0.5mm范围内上下移动。该设置更利于再生，且能更好的松动深层污染物。
作为上述方法的进一步改进，所述步骤2）的具体方法为：先处理陶瓷气嘴表面各气孔，后将各气孔采用软塞封堵后再依次处理陶瓷气嘴内墙壁及陶瓷气嘴外壁。陶瓷气嘴结构复杂，该设置可以避免不同表面处理过程中的二次污染。
具体实施方式
以下将结合实施方式对本发明创造的构思、具体结构及产生的具体效果进行清楚、完整的描述，以充分的理解本发明创造的目的、特征和效果。本发明创造的各项技术特征，在不互相矛盾冲突的前提下可以交互组合。
半导体晶元薄膜制程金属dps工艺陶瓷气嘴的再生方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）将陶瓷气嘴在干燥室内采用液氮冷冻内至50℃以下后，将陶瓷气嘴升温到-13℃之间备用；
2）在陶瓷气嘴各表面上方3mm处设置吸附层，再采用23mpa气柱采用-5℃氮气气柱在陶瓷气嘴各表面上方0.3mm处对撞，，所述气柱对撞过程中气柱对撞处在陶瓷气嘴各表面上方0.2-0.5mm范围内上下移动，气柱对撞角度小于120°；
3）旋转并移动陶瓷气嘴，使陶瓷气嘴各表面均匀得到步骤2）处理；
4）重复进行步骤2）到步骤3）后再进行一次步骤1）到步骤3）；
5）将步骤4）后所得的陶瓷气嘴在20℃干燥室内自然升温至温度不再变化，完成再生。
所述步骤2）的具体方法为：先处理陶瓷气嘴表面各气孔，后将各气孔采用软塞封堵后再依次处理陶瓷气嘴内墙壁及陶瓷气嘴外壁。
当陶瓷气嘴内腔壁出现不易清理污染物或污染物较多时，可在步骤1）与步骤2）之间采用5mpa压强的-30℃氮气对陶瓷气嘴内腔壁进行预处理。
上述过程中范围区间较小，在范围内波动不影响总体效果，因此在范围内仅取一代表值。
需要说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制。尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围中。