本实用新型涉及薄膜生产线设备领域,特别是一种横拉冷却段薄膜除粉尘装置。
背景技术:
目前,在薄膜的生产过程中,薄膜经过热定型段产生低聚物气体不能及时排出或排出不尽,然后经横拉冷却段凝聚成低聚物粉末。在薄膜进入下一步工序前,需在横拉冷却段将粉尘除尽。
现有的除尘方式通常为利用一个在薄膜上方设置的风箱,风箱表面开设孔洞,通过孔洞循环外排的方式将粉尘除去。由于在风箱上的孔洞垂直于薄膜表面,为克服风箱造成的薄膜摆动的不利影响,通常采用在风箱上打平孔的技术方案。而即使采用上述方法,薄膜上的粉尘不能得到有效的排出,常常发生膜面污染的现象,进而造成生产线被迫停机清理粉尘,严重影响了生产产能和优级成品率。
技术实现要素:
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供一种横拉冷却段薄膜除粉尘装置,提高横拉冷却段薄膜粉尘的除尘效果,保证生产产能和优级成品率。
为实现上述目的,本实用新型采用了以下技术方案:
一种横拉冷却段薄膜除粉尘装置,包括分别位于横拉冷却段薄膜上方和下方的上风箱和下风箱,以及位于横拉冷却段薄膜两侧的吸气管;所述上风箱的顶部通过上引风管连接有上风机,所述上引风管上安装有压力控制阀,所述上风箱的底部均匀布设有若干个吹气管,所述吹气管的出口与横拉冷却段薄膜的上表面相邻且不相接,其中位于所述上风箱左半部的吹气管的出口朝左下方倾斜设置,位于所述上风箱右半部的吹气管的出口朝右下方倾斜设置;所述吸气管的进口正对于横拉冷却段薄膜的侧边,吸气管的出口连接有侧风机;所述下风箱的上表面均匀布设有若干个出风孔,下风箱的底部通过下引风管连接有下风机。
优选的,所述吸气管、吹气管、上引风管及下引风管均为不锈钢材质。
优选的,所述上引风管上于压力控制阀的下方还设有快速阀,方便快速实现上引风管的快速通断。
本实用新型的有益效果在于:本实用新型的上风箱通过带压力控制阀的上引风管连接上风机,上风机产生的风经过压力控制阀调节压力后,通过上风箱的压缩空气迅速均匀的流向各吹气管,各吹气管的出口与膜面保持一定间距,各吹气管提供稳定持续的气流,由膜中间向膜两侧吹扫;吹扫的同时下风箱上表面的出风孔垂直薄膜的下表面吹气,保证薄膜上下气压的平衡,从而保证了薄膜的稳定;薄膜经热定型段到冷却段形成的低聚物粉末,经过吹气管向薄膜两边的持续吹送,不会发生回落问题,同时薄膜两侧边的吸气管将吹来的粉尘及时快速的吸收排出。
本实用新型的结构简单,针对现有薄膜生产线的安装改造便利,对横拉冷却段薄膜表面粉尘的去除具有极佳的效果,解决了膜面粉尘污染问题,保证了生产产能和优级成品率。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图;
其中:1-薄膜、2-上风箱、21-上引风管、22-上风机、23-压力控制阀、24-快速阀、25-吹气管、3-下风箱、31-出风孔、32-下引风管、33-下风机、4-吸气管、41-侧风机。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做进一步说明:
参照图1所示的一种横拉冷却段薄膜除粉尘装置,包括分别位于横拉冷却段的薄膜1上方和下方的上风箱2和下风箱3,以及位于横拉冷却段的薄膜1两侧的吸气管4。
所述上风箱2的顶部通过上引风管21连接有上风机22,所述上引风管21上自上而下依次安装有压力控制阀23和快速阀24,压力控制阀23用于调节进入上风箱2内的气体压力,快速阀24用于实现气流的快速通断。
所述上风箱2的底部均匀布设有若干个吹气管25,所述吹气管25的出口与横拉冷却段薄膜1的上表面相邻且不相接,其中位于所述上风箱2左半部的吹气管25的出口朝左下方倾斜设置,位于所述上风箱2右半部的吹气管25的出口朝右下方倾斜设置。
所述吸气管4的进口正对于横拉冷却段薄膜1的侧边,吸气管4的出口连接有侧风机41。
所述下风箱3的上表面均匀布设有若干个出风孔31,下风箱3的底部通过下引风管32连接有下风机33。
作为本实施例的优选实施方式,上述吸气管4、吹气管25、上引风管21及下引风管32均采用不锈钢材质。
本实用新型的工作过程如下:
薄膜1生产时,薄膜1经热定型段到横拉冷却段形成低聚物粉末,调节上引风管21上的压力控制阀23,上风机22产生的风经过压力控制阀23调节压力后形成稳定压力的气流,开启快速阀24导通气流,气流进入上风箱2迅速均匀的流向各吹气管25,各吹气管25的出口与膜面保持一定间距,各吹气管25提供稳定持续的气流,由薄膜1中间向薄膜1两侧吹扫。
吹扫的同时下风箱3上表面的出风孔31垂直薄膜1的下表面吹气,保证薄膜1上下气压的平衡,从而保证了薄膜1的稳定。
薄膜1上的低聚物粉末经过吹气管25向薄膜1两侧边的持续吹送,不会发生回落问题,同时薄膜1两侧边的吸气管4将吹来的粉尘及时快速的吸收通过侧风机41排出。
以上所述的实施例仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述,并非对本实用新型的范围进行限定,在不脱离本实用新型设计精神的前提下,本领域普通技术人员对本实用新型的技术方案作出的各种变形和改进,均应落入本实用新型权利要求书确定的保护范围内。