复合型无机高分子净水剂及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明属于污水处理技术领域，涉及一种复合型无机高分子净水剂及其制备方法。
【背景技术】
[0002]现有的净水剂絮体松散，沉淀速度慢，混凝效果一般，而且会出现泛黄的返色现象，对水体也容易造成二次污染，而且性能不稳定，容易出现变质的问题。
【发明内容】
[0003]为了克服现有技术的上述缺点，本发明提供一种复合型无机高分子净水剂及其制备方法，它用于工业废水和生活用水的絮凝净化，对高浊度原水净化效果尤佳。
[0004]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种复合型无机高分子净水剂，由活性聚硅酸和无机高分子聚合硫酸铁及聚合硫酸铝经特殊加工复合精制而成。
[0005]所述复合型无机高分子净水剂的制备方法，其步骤是:
第一步:把纯钛白粉和盐酸在高温高压下搅拌三小时，温度控制在135° C，压力在3.5个气压下进行；
第二步:在600kg的水中加入3kg经过第一步特殊处理的氧化钛和6kg钾f凡搅拌一小时充分溶解；
第三步:把450kg硫酸亚铁倒入第二步的溶液中进行搅拌I小时，使其充分溶解后即可装桶。
[0006]本发明的积极效果是:具有以下特点:
1、新型、优质、高效复合型无机高分子净水剂，活性聚硅酸的引入提高了单纯聚合硫酸铁、聚合硫酸铝的絮凝质量，大大改善了铁、铝的水解聚合心态，使之在混凝过程中能够以最佳的结构形态发挥最优的吸附电中和及黏结架桥、卷扫网捕作用；
2、混凝性能优良，畈花大且密实，沉降速度快，澄清所需时间短；
3、净水效果优良，水质好，不含氟、氯等易积累有害阴离子，也无铁离子的水相转移，处理后的水可回用，无毒无害，安全可靠；
4、适应水体PH值范围为4?12，最佳PH值范围为9?11;净化后原水的PH值与总碱度变化幅度小，对处理设备腐蚀性小；
5、不仅能有效的卷扫网捕废水中的重金属离子，还有除浊、脱色、脱油、除菌及除藻功能，对COD、BOD有显著的去除功效；
6、投药量少，处理相同水质的废水，本产品较单一聚铁、聚铝产品的用量少。
【具体实施方式】
[0007]下面结合实施例对本发明进一步说明。
[0008]—种复合型无机高分子净水剂，由活性聚硅酸和无机高分子聚合硫酸铁及聚合硫酸铝经特殊加工复合精制而成。
[0009]所述复合型无机高分子净水剂的制备方法，其步骤是:
第一步:把纯钛白粉和盐酸在高温高压下搅拌三小时，温度控制在135° C，压力在3.5个气压下进行；
第二步:在600kg的水中加入3kg经过第一步特殊处理的氧化钛和6kg钾f凡搅拌一小时充分溶解；
第三步:把450kg硫酸亚铁倒入第二步的溶液中进行搅拌I小时，使其充分溶解后即可装桶。
[0010]本发明的积极效果是:具有以下特点:
1、新型、优质、高效复合型无机高分子净水剂，活性聚硅酸的引入提高了单纯聚合硫酸铁、聚合硫酸铝的絮凝质量，大大改善了铁、铝的水解聚合心态，使之在混凝过程中能够以最佳的结构形态发挥最优的吸附电中和及黏结架桥、卷扫网捕作用；
2、混凝性能优良，畈花大且密实，沉降速度快，澄清所需时间短；
3、净水效果优良，水质好，不含氟、氯等易积累有害阴离子，也无铁离子的水相转移，处理后的水可回用，无毒无害，安全可靠；
4、适应水体PH值范围为4?12，最佳PH值范围为9?11;净化后原水的PH值与总碱度变化幅度小，对处理设备腐蚀性小；
5、不仅能有效的卷扫网捕废水中的重金属离子，还有除浊、脱色、脱油、除菌及除藻功能，对COD、BOD有显著的去除功效；
6、投药量少，处理相同水质的废水，本产品较单一聚铁、聚铝产品的用量少。
【主权项】
1.一种复合型无机高分子净水剂，其特征是:由活性聚硅酸和无机高分子聚合硫酸铁及聚合硫酸铝经特殊加工复合精制而成。2.如权利要求1所述复合型无机高分子净水剂的制备方法，其特征在于步骤是: 第一步:把纯钛白粉和盐酸在高温高压下搅拌三小时，温度控制在135° C，压力在3.5个气压下进行； 第二步:在600kg的水中加入3kg经过第一步特殊处理的氧化钛和6kg钾f凡搅拌一小时充分溶解； 第三步:把450kg硫酸亚铁倒入第二步的溶液中进行搅拌I小时，使其充分溶解后即可装桶。
【专利摘要】本发明涉及一种<b>复合型无机高分子净水剂，由活性聚硅酸和无机高分子聚合硫酸铁及聚合硫酸铝经特殊加工复合精制而成。它用于工业废水和生活用水的絮凝净化，对高浊度原水净化效果尤佳</b>，大大改善了铁、铝的水解聚合心态，使之在混凝过程中能够以最佳的结构形态发挥最优的吸附电中和及黏结架桥、卷扫网捕作用。
【IPC分类】C02F1/52
【公开号】CN105502613
【申请号】CN201610075550
【发明人】李伟新, 晏晟, 成景特, 刘海明, 聂晓艳, 曾艳, 向靖, 蒋青林, 梁冠杰, 李亚平
【申请人】广东省矿产应用研究所
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2016年2月3日