专利名称：尾气吸收箱的制作方法
技术领域：
本实用新型属于尾气吸收技术领域，特别涉及一种回收四氯化锗的尾气吸收箱。
背景技术：
锗是一种浅灰色的金属，主要用来制造晶体整流器、晶体放大器、检波器等， 是一种极好的半导体材料。目前，提取锗的普遍方法都是采用湿法提取，既通过 氯化蒸馏的办法将含锗原料转化为四氯化锗，再根据需要制成光纤四氯化锗、锗 锭、有机锗等。
四氯化锗为无色透明液体，有刺激性气味，沸点为83.1。C，易与水起水解作 用，不溶于浓盐酸，溶于稀盐酸、苯等多数有机溶剂。在湿法提锗的过程中，主 要是将含锗原料投入到搪瓷蒸馏釜中，加入一定比例的盐酸和辅助材料，通过蒸 馏形成四氯化锗气体；四氯化锗气体通过冷凝管冷却，形成四氯化锗液体，流入 接受瓶中。在蒸馏过程中，由于部分盐酸气蒸出，作为载气将携带约20%左右未 被冷凝的四氯化锗蒸汽，形成尾气。为了提高锗的利用率，未被冷凝的尾气在普 通的尾气吸收瓶通过鼓泡吸收，沉降回收。尾气吸收原理(1)在吸收瓶屮，尾 气再次被冷却，形成四氯化锗液体；(2)根据四氯化锗的化学性质，其溶解度与 盐酸的酸度成线性关系，因此将盐酸吸收液的酸度配制在6-8N时对四氯化锗吸 收最大。但是尾气吸收瓶采用10L的玻璃瓶，容积有限，而通过放入流动的水槽 中冷却，效果并不理想；被冷却吸收下来的四氯化锗在玻璃吸收瓶中，回收困难。 发明内容
本实用新型针对现有回收四氯化锗气体技术的缺陷，提供了一种尾气吸收箱，其特征在-丁，吸收箱单体1的内部侧壁上部设置进气管2，底部外壁上设置 放料阀3，在吸收箱单体1箱内的中部设置环形石墨冷却管4。
所述吸收箱单体1的容积为50 200L.
所述吸收箱单体1的底部成锥形。
所述进气管2的管口位于吸收箱单体1的下部。
所述多功能尾气吸收箱由一个或多个吸收箱单体1排列组成，并由设置在吸 收箱单体1顶部的联通管5连接，尾气吸收箱队列的最后一个吸收箱单体的顶部 设置出气管6。
本实用新型的有益效果为增加的尾气吸收的容积，由原来的10L扩大到最 大的200L，有效的起到了吸收尾气的作用；锥型的吸收箱底部设计，可以有效 的回收沉降的四氯化锗；多个吸收箱单体的串联使用，可分担系统压力，保证正 常生产。
图1为吸收箱单体的结构示意图2为由3个吸收箱单体组成的尾气吸收箱结构示意图。 图中标号
l-吸收箱单体；2-进气管；3-放料阔；4-石墨冷却管；5-联通管；6-出气管。
具体实施方式
本实用新型提供了一种尾气吸收箱，
以下结合附图和具体实施方式
对本发明 作进一步说明。
吸收箱单体l的容积为100L，其底部为锥形，便于沉降的四氯化锗排屮,；在
吸收箱单体1的内部侧壁上部设置进气管2，进气管2的管口位于吸收箱单体1 的下部；底部外壁上设置放料阀3;在吸收箱单体l箱内的中部设置环形石墨冷却管4，用来将因吸收尾气而发热的吸收液冷却下来，并进一步使四氯化锗气体 冷凝为液体形式。
本实施例种采用三个吸收箱单体1排列组成，并由设置在吸收箱单体1顶部 的联通管5连接，尾气吸收箱队列的最后一个吸收箱单体的顶部设置出气管6。 使用时，在密封状态下的尾气吸收箱内配置盐酸吸收液，盐酸吸收液的液面
没过石墨冷却管4和进气管2的管口 。从进气管1通入四氯化锗气体，冷却后形 成四氯化锗液体，从放料阀3排出。
以上所述的实施例，只是本实用新型的一个较佳的具体实施方式
，本领域的 技术人员可以在所附权利要求的范围内做出各种修改。
权利要求1.尾气吸收箱，其特征在于，吸收箱单体(1)的内部侧壁上部设置进气管(2)，底部外壁上设置放料阀(3)，在吸收箱单体(1)箱内的中部设置环形石墨冷却管(4)。
2. 根据权利要求1所述的尾气吸收箱，其特征在于，所述吸收箱单体(1) 的容积为50 200L.
3. 根据权利要求1所述的尾气吸收箱，其特征在于，所述吸收箱单体(1) 的底部成锥形。
4. 根据权利要求1所述的尾气吸收箱，其特征在于，所述进气管(2)的管 口位于吸收箱单体(1)的下部。
5. 根据权利要求1所述的尾气吸收箱，其特征在于，所述多功能尾气吸收 箱由一个或多个吸收箱单体(1)排列组成，并由设置在吸收箱单体(1)顶部的 联通管(5)连接，尾气吸收箱队列的最后一个吸收箱单体的顶部设置出气管(6)。
专利摘要本实用新型属于尾气吸收技术领域，特别涉及一种回收四氯化锗的多功能尾气吸收箱。容积为50～200L的吸收箱单体，其底部为锥形；在吸收箱单体的内部侧壁上部设置进气管；底部外壁上设置放料阀；在吸收箱单体箱内的中部设置环形石墨冷却管。一个或多个吸收箱单体排列组成尾气吸收箱，并由设置在吸收箱单体顶部的联通管连接。本实用新型增加的尾气吸收的容积，有效的起到了吸收尾气的作用；锥型的吸收箱底部设计，可以有效的回收沉降的四氯化锗；多个吸收箱单体的串联使用，可分担系统压力，保证正常生产。
文档编号B01D53/18GK201329241SQ200820233718
公开日2009年10月21日 申请日期2008年12月19日 优先权日2008年12月19日
发明者刘福财, 王铁艳, 耿宝利, 苏小平, 琴 袁 申请人:北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司