本实用新型涉及多晶硅破碎技术领域,具体为一种滚筒式多晶硅破碎装置。
背景技术:
宏观来说,多晶硅就用在两个行业:太阳能电池和半导体工业。太阳能级要求的多晶纯度是比较低的,半导体要求的多晶硅纯度是相当的高。生活中,一般太阳能电池片用的是单晶硅片,纯度只要5N-6N,即这个纯度的单晶硅是由纯度5N-6N的多晶提拉而成,而像电脑的芯片,内存……他们所要求的硅片等级要12N。太阳能和半导体行业的对于多晶的需求都是很广泛,区别在于原料的纯度,而纯度的简单差别,在技术上却是极高的差别。
多晶硅是生产单晶硅的直接原料,是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。
多晶硅的生产对纯度要求很高。目前多晶硅棒的破碎主要靠人工用碳化钨锤子敲击破碎,破碎效率低,且破碎产生的粉尘对人体健康产生严重危害。
技术实现要素:
本实用新型所解决的技术问题在于提供一种滚筒式多晶硅破碎装置,以解决上述背景技术中提出的问题。
本实用新型所解决的技术问题采用以下技术方案来实现:一种滚筒式多晶硅破碎装置,包括:前底座、后底座,所述前底座、后底座平行设置,所述前底座、后底座上安装有托辊,所述托辊上设有滚筒,所述滚筒一端设有驱动盘、另一端上设有手动门,驱动盘通过皮带连接于电机,滚筒通过电机带动皮带,使滚筒在托辊上转动,所述滚筒中部设有筛孔,所述筛孔外侧设有密封罩,密封罩下侧设有出料口,出料口上设有出料斗。
所述密封罩上侧设有粉尘抽排管,粉尘抽排管连接于抽负压设备上。
所述滚筒包括滚筒侧部、滚筒中部,滚筒侧部倾斜设置,滚筒侧部沿滚筒侧部对称设置,滚筒中部内设有中部挡块,滚筒侧部内设有外侧挡块。
所述电机通过电机固定座安装在前底座上。
所述托辊通过托辊安装轴安装在托辊固定支架上,托辊固定支架安装在前底座、后底座上,滚筒两端设有托辊导轨,托辊导轨安装在托辊上。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型整个破碎过程均在相对密封条件进行,对环境和工作人员没有伤害,整体设备使用寿命长、操作方便。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为本实用新型的主视图示意图。
图3为本实用新型的右视图示意图。
图4为本实用新型的滚筒结构示意图。
图5为本实用新型的手动门安装示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的实现技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示,进一步阐述本实用新型。
如图1~5所示,一种滚筒式多晶硅破碎装置,包括:前底座2、后底座1,所述前底座2、后底座1平行设置,所述前底座2、后底座1上安装有托辊9,所述托辊9上设有滚筒3,所述滚筒3一端设有驱动盘6、另一端上设有手动门36,驱动盘6通过皮带11连接于电机12,滚筒3通过电机带动皮带,使滚筒在托辊上转动,所述滚筒3中部设有筛孔33,所述筛孔33外侧设有密封罩4,密封罩4下侧设有出料口5,出料口5上设有出料斗14。
所述密封罩4上侧设有粉尘抽排管10,粉尘抽排管10连接于抽负压设备上。
所述滚筒3包括滚筒侧部31、滚筒中部32,滚筒侧部31倾斜设置,滚筒侧部31沿滚筒侧部31对称设置,滚筒中部32内设有中部挡块34,滚筒侧部31内设有外侧挡块35。
所述电机12通过电机固定座13安装在前底座2上。
所述托辊9通过托辊安装轴安装在托辊固定支架11上,托辊固定支架11安装在前底座2、后底座1上,滚筒3两端设有托辊导轨8,托辊导轨8安装在托辊9上。
本实用新型通过电机带动皮带,使滚筒在托辊上转动,多晶硅棒料横放在滚筒组件内,手动门关闭,随滚筒的转动,棒料被滚筒内部挡块托起并一起向上转动,到达一定角度后,棒料因自身重力自由滚落,掉落到滚筒底部,利用棒料跟棒料之间的相互撞击,以及棒料和滚筒内壁、挡块的相互撞击,达到多晶硅棒、块的破碎目的。
破碎后的碎块,当直径小于筛孔直径时,硅块从筛孔内排出,排到密封罩内,并从密封罩底部的排料口排出。为防止破碎过程中粉尘污染环境,根据粉尘主要集中在上部的特点,在密封罩上部安装抽排管装置,利用负压抽采方式将密封罩内粉尘抽出另行处理。
本实用新型的滚筒两端部向中部倾斜,中部为凹槽形式,主要有利于棒料破碎后自动向中部聚集。一是有利于破碎后大小合格的块料及时排除,避免2次再破碎;二是可以有效利用物料之间的碰撞进行破碎,避免物料与滚筒内壁接触次数,提高物料纯度,延长滚筒内壁寿命。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型的要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。