理区域6，掩膜板2采用CO2激光刻蚀得到，掩膜板2材料为黑色UPE ；
[0043](3)将亲水溶液通过微流控芯片上的入口接头7注入微流控芯片管道8 ；
[0044](4)将掩膜板2覆盖在微流控芯片上表面；
[0045](5)将所述微流控芯片放入UV紫外光固化机内UV紫外固化灯I下照射2 —10分钟；
[0046](6)将所述微流控芯片从紫外光固化机拿出冷却；
[0047](7)将微流控芯片管道8内反应后的亲水溶液通过微流控芯片上的出口接头7负压吸出，然后用蒸馏水清洗，浸泡23— 25h，洗去均聚物，真空干燥即可。
[0048]如图3图4、图5所示，本发明还公开了一种微流控芯片亲水表面梯度制作方法，本实施例微流控芯片的盖板4和底板5材料为聚甲基丙烯酸甲酯，为能对亲水梯度的制作工艺进行详尽表述，列举图4实施例进行描述。设待处理的亲水区域为图3中Z区段，其亲水特性由强至弱，依次降低，见图5。假设Z区段管道长度为1，亲水梯度的宽度为d，则掩膜板的透光孔的宽度为d，需掩膜板2的数量为n = 1/d，每块掩膜板2的透光孔3距芯片中心点的距离分别为yl-y6。本发明一种微流控芯片亲水表面梯度制作方法包括以下步骤:
[0049](I)配置亲水溶液:采用无水乙醇配置质量分数为3%的二苯甲酮溶液作为光敏引发剂，然后将二苯甲酮溶液与丙烯酸混合得到亲水溶液；
[0050](2)根据微流控芯片亲水表面梯度制作不少于一块图案不同的掩膜板2，掩膜板2采用CO2激光刻蚀得到，掩膜板材料为黑色UPE ；
[0051](3)将亲水溶液通过微流控芯片上的入口接头7注入微流控芯片管道8 ；
[0052](4)先将第一块掩膜板2覆盖在微流控芯片上表面；
[0053](5)将微流控芯片分别放入UV紫外光固化机的UV紫外固化灯I下对第一块掩膜板2进行照射，固定照射距离，照射时间越长，亲水性越好，本实施例中第一块掩膜板照射时间为5分钟；
[0054](6)第一块照射结束后移去掩膜板2，将第二块掩膜板2覆盖在微流控芯片上表面，重复步骤5。第二块掩膜板2照射的时间依次缩短，本实施例中第一块掩膜板照射时间为4分钟。依此类推，直至将η块掩膜板2全部光固化完，第3块至第6块掩膜板的照射时间分别为3分钟、2.5分钟、2分钟、I分钟。不同的照射时间，得到了不同的亲水特性，从而得到表面亲水梯度；
[0055](7)将微流控芯片从UV紫外光固化机拿出冷却；
[0056](8)将微流控芯片管道8内反应后的亲水溶液通过微流控芯片上的出口接头7负压吸出，然后用蒸馏水清洗，浸泡23— 25h，洗去均聚物，真空干燥即可。
[0057]最后所应说明的是，以上【具体实施方式】仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
【主权项】
1.一种微流控芯片表面亲水改性处理方法，其特征在于，包括以下步骤: (1)配置亲水溶液:采用无水乙醇配置质量分数为3%的二苯甲酮溶液作为光敏引发剂，然后将二苯甲酮溶液与丙烯酸混合得到亲水溶液； (2)根据微流控芯片管道所需亲水处理区域位置制作掩膜板，使掩膜板上的掩膜板透光孔对准需亲水处理区域； (3)将亲水溶液通过微流控芯片上的入口接头注入微流控芯片管道； (4)将掩膜板覆盖在微流控芯片上表面； (5)将所述微流控芯片放入UV紫外光固化机照射； (6)将所述微流控芯片从紫外光固化机拿出冷却； (7)将微流控芯片管道内反应后的的亲水溶液通过微流控芯片上的出口接头负压吸出，然后用蒸馏水清洗，浸泡23— 25h，洗去均聚物，真空干燥即可。
2.根据权利要求1所述的微流控芯片表面亲水改性处理方法，其特征在于，所述的微流控芯片底板和盖板材料为聚甲基丙烯酸甲酯。
3.根据权利要求1所述的微流控芯片表面亲水改性处理方法，其特征在于，所述步骤(2)掩膜板采用CO2激光刻蚀得到，掩膜板材料为黑色UPE。
4.根据权利要求1所述的微流控芯片表面亲水改性处理方法，其特征在于，所述步骤(5)将微流控芯片放入UV紫外光固化机照射2 —10分钟。
5.一种微流控芯片亲水表面梯度制作方法，其特征在于，包括以下步骤: (1)配置亲水溶液:采用无水乙醇配置质量分数为3%的二苯甲酮溶液作为光敏引发剂，然后将二苯甲酮溶液与丙烯酸混合得到亲水溶液； (2)根据所述微流控芯片所需亲水表面梯度制作不少于一块掩膜板，使掩膜板上的掩膜板透光孔对准需亲水处理区域； (3)将亲水溶液注入微流控芯片管道； (4)依据所做亲水梯度的类型，将掩膜板覆盖在微流控芯片上； (5)将微流控芯片分别放入UV紫外光固化机中对掩膜板进行照射，照射2—10分钟； (6)移去掩膜板，覆盖另一块掩膜板，将微流控芯片分别放入UV紫外光固化机中对掩膜板进行照射；依此类推，直至掩膜板全部光固化完； (7)将微流控芯片从UV紫外光固化机拿出冷却； (8)将微流控芯片管道内反应后的亲水溶液负压吸出，然后用蒸馏水清洗，浸泡23—25h，洗去均聚物，真空干燥即可。
6.根据权利要求5所述的微流控芯片亲水表面梯度制作方法，其特征在于，所述的微流控芯片底层和顶层材料为聚甲基丙烯酸甲酯。
7.根据权利要求5所述的微流控芯片亲水表面梯度制作方法，其特征在于，所述步骤(2)掩膜板采用CO2激光刻蚀得到，掩膜板材料为黑色UPE。
8.根据权利要求5所述的微流控芯片亲水表面梯度制作方法，其特征在于，所述步骤(5)将微流控芯片放入UV紫外光固化机照射，依据表面亲水梯度的具体分布，掩膜板照射的时间在2 — 10分钟内选择。
【专利摘要】本发明涉及微流控芯片技术领域，它公开了微流控芯片表面亲水改性处理及亲水表面梯度制作方法，包括以下步骤：(1)配置亲水溶液；(2)根据微流道所需亲水化处理的图案制作掩膜板；(3)将亲水溶液注入微流控芯片管道；(4)将掩膜板覆盖在微流控芯片上表面；(5)将芯片放入UV紫外光固化机照射若干分钟；(6)将芯片从紫外光固化机拿出冷却；(7)将微流道内的接枝溶液负压吸出，然后用蒸馏水清洗，浸泡，洗去均聚物，真空干燥。本发明提出采用UV光对微流道局部区域进行改性处理或制作亲水梯度，所制作的亲水薄膜具有膜体均匀、亲水特性好、易于操作等优点。
【IPC分类】B01L3-00
【公开号】CN104607257
【申请号】CN201510021492
【发明人】穆莉莉, 郭书恒, 荣莉
【申请人】安徽理工大学
【公开日】2015年5月13日
【申请日】2015年1月15日