用于运行具有第一SCR催化器和第二SCR催化器的SCR催化器系统的方法与流程

本发明涉及一种用于运行具有第一scr催化器和第二scr催化器的scr催化器系统的方法、一种计算机程序、一种机器可读的存储介质以及一种电子控制器。

背景技术：

为了满足越来越严格的废气立法（absatzgesetzgebungen）（euro6、tier2bin5以及更多的排放规定），有必要降低内燃机、尤其是柴油马达的废气中的氧化氮（stickstoffoxide）或者氮氧化物（stickoxide）（nox）。为此，知道在内燃机的废气区域中布置scr催化器（selectivecatalyticreduction（选择性催化还原）），所述scr催化器在存在还原剂的情况下将在所述内燃机的废气中所包含的氮氧化物还原成氮。由此，能够显著地降低废气中的氮氧化物的份额。在还原进行（ablauf）时需要氨（nh3），所述氨被混入所述废气中。因此，要将nh3或者裂解nh3的试剂（reagenzien）配入到排气系中。通常为此要使用含水的尿素溶液（hwl＝尿素水溶液），所述含水的尿素溶液在所述scr催化器之前被喷射在所述排气系中。从这种溶液中形成作为还原剂起作用的氨。32.5%的含水的尿素溶液能够在商业上获得商标名称adblue®。为了在scr催化器系统中获得有待还原的氮氧化物的高的转化，必须如此运行所述scr催化器，从而不断地向其填充所述还原剂氨直至一定的水平。scr催化器的效率与温度有关、与空间速度（rg）有关并且完全决定性地也与其nh3填充水平有关。

scr催化器通过吸收而在其表面上积聚一定量的氨。由此，为了进行nox还原，除了直接配量的氨（作为hwl）之外也提供所储存的nh3，由此相对于被排空的催化器提高了效率。储存性能与所述催化器的相应的运行温度有关。所述温度越小，所述储存能力就越大。如果所述催化器已经完全填充其储存器，那么不过在存在负荷突变（lastsprüngen）时出现所谓的氨溢出，即使不再配量任何还原剂。对于所述氨溢出来说，借助于所述scr催化器仅仅转化在所述还原剂中所包含的并且在所述scr催化器的上游被导入到所述废气中的氨的一部分。

如果要获得尽可能高的nox转化，不可避免的是，以高的nh3填充水平来运行所述scr系统。为了在冷起动之后在co2无变化（neutral）的情况下更快地提高scr效率，更加靠近马达来安装所述scr催化器并且将其部分地与柴油颗粒过滤器（dpf）合并成所谓的scrf-催化器（柴油颗粒过滤器上的scr催化器）。但是，如此紧挨地在所述马达上温度梯度也更高，并且温度水平在全负荷范围内升高到对所述scr运行来说太高的绝对的温度水平上。因此，通常要使用可能被安置在底部的第二scr催化器。对于scrf/scr系统的运行来说，尤其在使用两个配量阀时，为了以很高的nox效率进行最佳的运行，所述scrf催化器与所述第二scr催化器之间的最佳的相互作用是必要的。在使用两个配量阀时，所述第一配量阀被安置在所述scrf催化器的前面并且所述第二配量阀被安置在所述第二scr催化器的前面。

在现代的系统中，对于scrf催化器来说有两个目标填充水平，也就是在降低的nox效率时没有或者仅仅具有较高的nh3溢出的最低水平以及针对高的nox转化在大约200ppm以下的低的nh3溢出时的最大填充水平。首先以最大填充水平来运行所述scrf催化器，所述nox效率很高，所产生的nh3溢出由所述第二scr催化器来容纳。对于来自所述scrf催化器的低的nox溢出、但是高的nh3溢出来说，所述第二scr催化器中的nh3填充水平很快地升高超过所述第二scr催化器的最小填充水平。所述第二scr催化器中的最小填充水平已经引起高的nox转化，但是仍然具有针对来自所述scrf催化器的nh3溢出的填充水平容量。如果所述第二scr催化器中的nh3填充水平高于所述最小填充水平并且低于所述最大填充水平，那就根据内插因数降低所述scrf催化器中的nh3目标填充水平。如果所述第二scr催化器中的填充水平一直上升到最大填充水平或者超过所述最大填充水平，那就相应地将所述scrf催化器中的nh3目标填充水平降低到最小填充水平，因而不出现nh3溢出。所描述的方法良好地发挥功能，由此原则上能够将具有两个scr催化器的系统置于控制之中。但是，所述方法具有以下缺点：仅仅对所述nh3溢出的反应、也就是对所述第二scr催化器中的nh3填充水平作出反应，而不是已经对当前的nh3溢出相对于所期望的nh3溢出的偏差作出反应。这意味着，所述调节系统可能容易快速地过冲（überschwingen）并且在此可能失去nox性能。

技术实现要素：

所述用于运行具有第一scr催化器和第二scr催化器的scr催化器系统的方法的特征在于调节所述第一scr催化器后面的nh3质量流量的步骤。nh3质量流量和nh3溢出这两个表述应该是指同义词。这具有以下优点，所述nh3溢出或者所述nh3溢出与所述第二scr催化器前面的目标值的偏差能够早得多地加以确定，并且由此能够比在仅仅调节到所述第二scr催化器的nh3填充水平时早得多地对所述第二scr催化器中的nh3填充水平的走势施加影响。这种处理方式防止所述第二scr催化器中的nh3填充水平的剧烈的过冲并且由此使所述调节精确并且稳健得多。

按照一种优选的实施方式，对于所述第一scr催化器后面的nh3质量流量的调节通过以下方式来进行：第一调节将所述第一scr催化器后面的nh3质量流量的实际值调节到所述第一催化器后面的nh3质量流量的目标值上。所述调节有利地实现这一点：所述实际值被调节到所述目标值上。

因为通常在所述第一scr催化器与所述第二scr催化器之间仅仅布置传感器，所以通常“在所述第一scr催化器后面”这种表述应该与“在所述第二催化器前面”这种表述是同义词。

优选所述第一催化器的nh3质量流量的目标值通过所述第二scr催化器的模型求取。为了确定所述第二scr催化器前面的nh3质量流量的目标值，能够使用合适的催化器模型，所述催化器模型能够计算实际的nh3质量流量。作为所述模型的替代方案或者补充方案，也能够通过分析方法来计算所述nh3质量流量的目标值。

在与如何计算所述nh3质量流量的目标值无关的情况下，能够提出以下问题：所述nh3质量流量在最佳的情况下看起来如何。对于稳定的条件和所述第一scr催化器中的经过调整（eingeregeltem）的nh3填充水平来说，所述第二scr催化器中的nh3填充水平也不应该变化。这意味着，所述第二scr催化器中的与由来自所述第一scr催化器的nh3质量流量和在所述第一scr催化器前面配入的量所构成总和相等的nh3质量流量应该在化学计量方面和所述第二scr催化器中的nh3消耗一样大，所述第二scr催化器中的nh3消耗另一方面等于由所述第一scr催化器后面的nox质量流量和所述第二scr催化器的当前的效率构成的乘积。

如果要提高所述第二scr催化器中的nh3填充水平，那么这要么能够通过来自所述第一scr催化器的nh3质量流量的提高来解决要么能够通过借助于第二配量阀在所述第二scr催化器前面喷射氨来解决，如果存在这样的第二配量阀的话。

但是，如果要减小所述第二scr催化器中的nh3填充水平，那就必须降低来自所述第一scr催化器的nh3溢出。如果使用来自所述scr模型的nh3目标值，那就能够借助于模拟方法从测量中以迭代的方式对模型数据设置（modellbedatung）进行优化。在此，应该以所述第二scr催化器后面的合理的（vertretbarem）nh3溢出来获得最大可能的nox总性能。

按照一种优选的实施方式，如果所述第一scr催化器中的nh3填充水平是稳定并且经过调整，那么所述第二scr催化器中的nh3填充水平就是恒定的。这具有如上面已经解释的那样想要获得的稳定的状态的优点。

按照另一种优选的实施方式，所述第一scr催化器后面的nh3质量流量的实际值在所述第一scr催化器与所述第二scr催化器之间借助于传感器来测量。优选所述传感器是nh3传感器。这具有以下优点：能够非常精确地确定所述nh3质量流量。但是，作为替代方案或者补充方案，所述两个scr催化器之间的氨质量流量也能够借助于nox传感器来求取，参见文献de102016201602a1，该文献公开了一种用于求取两个先后布置在排气系中的scr催化器之间的氨质量流量的方法。这具有以下优点：能够节省nh3传感器。在使用nh3传感器时，得到非常精确的、针对所述第二scr催化器前面的nh3溢出的数值，并且能够由此从对nh3横向敏感的nox传感器的总和信号中同样精确地确定所述第二scr催化器前面的nox质量流量。在这种情况下，知道所述第二scr催化器前面的nox和nh3的质量流量的精确的数值。

此外优选的是，作为由所述第二scr催化器的当前的模型效率与所述第二scr催化器前面的nox质量流量构成的乘积计算所述第一scr催化器后面的nh3质量流量的目标值。这种特征具有以下优点：在这种情况下所述第一scr催化器后面的nh3质量流量刚好和所述第二催化器中的所建模的nh3消耗一样大。所述nh3质量流量的这个目标值对应于所述第二scr催化器中的nh3消耗。所述第二scr催化器前面的nox质量流量优选用nox传感器来测量。

所述nh3实际值比如能够快速地并且容易地通过所述第一scr催化器的催化器模型的nox效率要求来改变。对于每个scr催化器来说，在给定nh3填充水平和scr温度的情况下在nox转化与nh3溢出之间有着固定的关联。在nox效率要求提高时，所述催化器一方面直接通过扩大的预控制量并且间接地通过调节方法来得到更多的配给量，所述调节方法持续地为所述第二scr催化器后面的nox质量流量将所述模型与通过所述传感器测量的数值进行比较。随着所述物理的填充水平，所述nh3溢出相应地升高。所述nox效率要求的变化对于分析的催化器模型来说能够最好地通过针对nox的频率因子的变化来实施。所述频率因子能够用作用于所述调节的调节参量。

按照另一种实施方式，所述第一调节的调节器输出根据调节偏差来改变所述第二scr催化器的模型的当前的模型效率，其中所述调节偏差对应于所述第一scr催化器后面的nh3质量流量的实际值和所述第一scr催化器后面的nh3质量流量的目标值的差。优选所述调节器输出通过在所述模型中所使用的针对所述第一scr催化器中的nox的频率因子的变化来调整经过更新的模型效率。

阿列纽斯方程式的频率因子a按照冲击理论（stoßtheorie）是由冲击系数z和定位系数（orientierungsfaktor）p构成的乘积。所述阿列纽斯方程式在用于单分子（monomolekularer）反应的特殊情况的化学动力学中描述了反应速度常数k与温度的定量的相关性并且内容如下：

，

其中ea是激活能量，r是通用的气体常数并且t是温度。

如果所述第一scr催化器的温度小于下温度阈值或者大于上温度阈值，那就优选不改变所述第一调节的调节器输出。所述下温度阈值优选为250℃。所述上温度阈值优选为550℃。对于比如小于250℃的低的温度来说，不能如此剧烈地提高所述第一scr催化器中的nh3填充水平，以用于产生nh3溢出，这由于在加热时的必要的填充水平减小而没有意义。另一方面，对于比如大于550℃的很高的温度来说，有着干扰影响、像比如氧化。出于这些原因，应该将所述校正参量限定在其之间的范围内，这通过所说明的特征来有利地实现。

优选所述上面所提到的方法具有第二调节，所述第二调节调节所述第二scr催化器的nh3填充水平。通常所述第一scr催化器后面的nh3溢出是快速的调节参量。所述第二scr催化器的通常明显更为迟钝的nh3填充水平优选通过第二调节回路来调节。优述所述第一调节和所述第二调节彼此耦合。

按照一种优选的实施方式，所述第二调节相应地在最小的填充水平与最大的调节水平之间调节所述第一scr催化器和第二scr催化器的填充水平。在此，如果所述第一scr催化器具有最大的填充水平，就将所述第二scr催化器的填充水平调节到所述第二scr催化器的最小的填充水平上。优选将所述第一scr催化器调节到所述最大的填充水平上，因为在将所述第一scr催化器调节到最大的填充水平上并且将所述第二scr催化器调节到最小的填充水平上时所述第一和第二scr催化器的总效率最大。如果所述第一scr催化器具有最小的填充水平并且所述第二scr催化器具有最大的填充水平，那么所述总效率就最小。

按照一种优选的实施方式，如此运行所述第一scr催化器，从而产生在化学计量方面和nh3质量流量一样多的nox质量流量。这具有以下优点：在所述第二scr催化器中所述nh3填充水平保持恒定。

按照另一种优选的实施方式，将所述第一scr催化器后面的nh3质量流量的目标值与乘法的校正因数相乘并且为此加上偏移量。在此，不仅所述乘法的校正因数而且所述偏移量都分别借助特性曲线来选择。不仅针对所述乘法的校正因数的特性曲线而且针对所述偏移量的特性曲线作为参数都具有第二调节偏差，所述第二调节偏差对应于所述第二scr催化器的nh3填充水平的目标值与所述第二scr催化器的nh3填充水平的实际值的差。用所述调节回路中的所提到的变化、也就是所述第一调节回路中的第一scr催化器后面的nh3质量流量的目标值的由于与所述校正因数相乘和偏移量的可能的相加所引起的变化，来有利地实现这一点：对所述第二scr催化器的nh3填充水平进行调节。

按照一种优选的实施方式，如果所述第二scr催化器的nh3填充水平的目标值等于所述第二scr催化器的nh3填充水平的实际值，那么所述乘法的校正因数就等于1并且所述偏移量就等于零。在这种情况下，对所述第二催化器的nh3填充水平进行了调整并且不必继续对所述第一调节回路的调节进行干预，因此所述乘法的校正因数等于1并且所述偏移量等于零。

按照另一种优选的实施方式，如果所述第二scr催化器的nh3填充水平的目标值大于所述第二scr催化器的nh3填充水平的实际值，那么所述乘法的校正因数就等于1并且所述偏移量大于零。在这种情况下，必须提高所述第二催化器的nh3填充水平。这尤其通过以下方式来实现：将所述乘法的校正因数设置到1上并且将所述偏移量设置到比零大的数值上。由此能够有利地提高所述nh3填充水平的实际值。

还是按照另一种优选的实施方式，如果所述第二scr催化器的nh3填充水平的目标值小于所述第二scr催化器的nh3填充水平的实际值，那么所述乘法的校正因数就小于零并且所述偏移量等于零。在这种情况下，必须降低所述第二催化器的nh3填充水平。这通过小于1的乘法的校正因数来实现，因为在这种情况下要有利地降低所述第一scr催化器后面的nh3质量流量的目标值。

所述计算机程序被设立成尤其在其在电子控制器或者计算器上运行时实施所述方法的每个步骤。这能够在传统的控制器中实施所述方法，而不必对其进行结构上的更改。为此，所述计算机程序被保存在机器可读的存储介质上。通过将所述计算机程序装载到传统的电子控制器上来得到所述电子控制器，所述电子控制器被设立成运行具有第一scr催化器和第二scr催化器的scr催化器系统。

本发明的另外的优点和设计方案从说明书和附图中得出。

不言而喻，前面所提到的并且下面还要解释的特征不仅能够在相应所说明的组合中使用，而且也能够在其它的组合中使用或者能够单独地使用，而不离开本发明的范围。

附图说明

本发明的一种实施例在附图中示出并且在以下描述中进行更详细解释。

图1以示意性的方式示出了一种scr催化器系统，该scr催化器系统具有两个scr催化器并且该scr催化器系统适合用于实施所述按本发明的方法。

图2为典型的scr催化器的特定的温度作为所述scr催化器的nh3填充水平的函数示出了所述scr催化器后面的nox排放及nh3排放。对于这样的scr催化器来说，要对不同的运行点进行解释，所述运行点按照所述按本发明的方法用于所述第一scr催化器。

图3示出了关于所述按本发明的方法的一种实施例的工作方式的信号流图示。

在图4中示出了在实施所述按本发明的方法时候在具有两个scr催化器的scr催化器系统上进行的测量。

图5示出了一种用于运行scr催化器系统的方法。

具体实施方式

图1示出了内燃机的具有两个scr催化器的排气系中的组件的一种示范性的布置。所述按本发明的方法能够有利地用在这样的废气后处理设备中。但是，所述方法也能够用在其它的具有两个或者更多个scr催化器的废气后处理设备中。在所述废气后处理设备的这种设计方案中，沿着废气流动方向首先设置柴油-氧化催化器（doc）10，沿着废气流动方向在所述柴油-氧化催化器上连接着用于所述scr装置的还原剂的配量机构11。沿着废气流动方向在此之后设置第一scr催化器12，该第一scr催化器构造为具有scr涂层的颗粒过滤器（scrf）。在所述第一scr催化器12的后面布置第二scr催化器13。最后设置另一催化器、在这种情况下是cleanup-cat（cuc）14，以用于结束废气后处理。箭头表明废气的流动方向。此外设置不同的传感器、尤其是氮氧化物传感器15、nh3传感器16以及温度传感器17。借助于所述传感器15、16和17能够检测到的数值用于过程控制（prozessführung）。

在图2中看到所绘示的在所述第一scr催化器12后面的nox传感器信号20。因为所述nox传感器对nh3横向敏感，所述nox传感器信号20是针对nox的单个信号22与针对nh3的单个信号24的总和，所述总和具有抛物线状的走势。所述针对nh3的单个信号24用nh3传感器来测量。所述针对nox的单个信号22而后能够作为由所述nox传感器信号20和所述针对nh3的单个信号24构成的差计算。所述nox传感器信号20显示出对特定的温度来说针对传统的scr催化器的典型的走势。所述nox传感器信号20作为所述第一scr催化器12的nh3填充水平的函数来绘示。在现有技术中，知道在范围d中运行单个的scr催化器，在所述范围中所述scr催化器具有小的nh3填充水平并且几乎没有出现nh3溢出。在此，所述运行点可靠地处于nox一侧上，用于保证稳定的系统适应或者nox调节。模型数值或者目标值离所述总和曲线的最小值如此之远，用于得到必要的调节储备（regelreserve）。

如果运行具有两个scr催化器的系统并且已经达到稳定的运行条件，那就能够设定所述运行点b，在该运行点处在所述第一scr催化器12的后面在化学计量方面产生也和nh3溢出一样多的nox。这意味着，在所述第二scr催化器13中不改变所述nh3填充水平，因为从所述第一催化器流出的nox和nh3完全被转化。如果由于所述总系统中的动态的变化或者干扰而应该提高所述第二scr催化器13中的nh3填充水平，这对应于所述第二scr催化器13的冷却，那就能够将所述运行点朝方向c移动，在所述运行点处提供比nox多的nh3。

如果要降低所述第二scr催化器13的nh3填充水平，这对应于所述第二scr催化器13的加热，那就能够朝方向a移动所述运行点，在所述运行点处提供比nh3多的nox。

在这种情况下优点是，在具有两个scr催化器的总系统的第一scr催化器12的运行点a、b或者c中，所述nox性能（performance）相对于传统的运行点d明显地得到了提高。用得到优化的设计，所述nox溢出通常能够在所述第一scr催化器12的后面相对于传统的方法的运行点d大约被对半平分。

根据图2看出，所述nh3溢出是决定性的参量，以用于确定，究竟刚好处于哪里。所述点a、b和c仅仅在效率方面有细微的差别，所述针对nox的单个信号22在此已经非常平坦。在此明显得多的是所述针对nh3的单个信号24的区别，该单个信号在这里随着上升的nh3而剧烈地上升。这意味着，通过所述点a、b与c之间的转换能够按百分比地快速地改变从所述第一scr催化器12中排出（emittierten）的nh3质量流量。

图3以信号流图示示出了所述按本发明的方法的原则上的工作方式。所述第一调节将所述第一scr催化器12后面的nh3质量流量的实际值100调节到所述第一催化器后面的nh3质量流量的目标值101上，所述第一调节通过对于调节偏差102的求取以及紧随其后的特性曲线106来实现，其中对于所述调节偏差的求取通过所述减运算符（minusoperator）104来实现。如果目前（vorerst）不考虑所述第二调节回路110，那就通过所述减运算符104将所述第一scr催化器12后面的nh3质量流量的实际值101从所述第一scr催化器12后面的nh3质量流量的实际值100中减去，由此得到所述调节偏差102。所述特性曲线106为所述调节偏差102分配新的模型效率108，所述模型效率而后主要用于对所述第一催化器后面的nh3质量流量的实际值101进行调整（anpassen）并且由此重新对其进行计算。所述第一催化器后面的nh3质量流量的实际值101作为所述第二scr催化器13前面的nox质量流量112与所述第二scr催化器13的当前的模型效率114的乘积计算。但是，要通过与温度有关的校正机构（korrektur）116将所述新的模型效率108校正为经过校正的模型效率109。所述与温度有关的校正机构116拥有两个输入，其针对用于最大的校正因数的限制特性曲线118的输出以及针对用于最小的校正因数的限制特性曲线120的输出，其中不仅用于最大的校正因数的限制特性曲线118而且用于最小的校正因数的限制特性曲线120都分别作为输入参量而具有所述第一scr催化器12的中等的温度122。所述与温度有关的校正机构116引起以下结果：在上温度阈值之上并且在下温度阈值之下不继续改变当前的模型效率114。

现在所述第二调节110如下改变上面所描述的第一调节。通过所述减运算符130，作为差在针对所述第二scr催化器13中的nh3填充水平的目标值132与针对所述第二scr催化器13中的nh3填充水平的实际值134之间形成第二调节偏差136。特性曲线140为所述第二调节偏差136分配乘法的校正因数142，并且特性曲线144为所述第二调节偏差136分配偏移量146。将所述第一scr催化器12后面的nh3质量流量的目标值101与所述乘法的校正因数142相乘并且将所述偏移量146加到如此得到的结果上，由此得到针对所述第一scr催化器12后面的nh3质量流量的经过校正的目标值150。

在考虑到所述第二调节110的情况下，现在作为针对所述第一scr催化器12后面的nh3质量流量的经过校正的目标值150与所述第一scr催化器12后面的nh3质量流量的实际值100的差来形成所述调节偏差102。

每个模型效率都对应于针对nox的阿列纽斯方程式的特定的频率因子。但是因为通过上面所描述的调节来改变所述模型效率，所以不是得到特定的频率因子，而是得到针对所述第一scr催化器12的频率范围。这个频率范围能够在另一个上级的调节回路中在所述第二scr催化器13后面出现nh3溢出时在总系统的使用寿命上来调整（anpassen）。

在图4中示出了在危急的情况中所述按本发明的方法进行的测量。在此作为时间的函数来检测一连串测量参量。图4具有四个测量窗口190。在最上面的测量窗口190中示出了所述第一scr催化器12中的温度200和所述第二scr催化器13中的温度202。在此之下的第二测量窗口190中看到所述第一scr催化器12中的最小的nh3填充水平204、所述第一scr催化器12中的最大的nh3填充水平206、针对所述第一scr催化器12中的nh3填充水平的目标值208以及所述第一scr催化器12中的当前的nh3填充水平210。在所述第三测量窗口190中可以看到所述第二scr催化器13中的最小的nh3填充水平212、所述第二scr催化器13中的最大的nh3填充水平214以及针对所述第二scr催化器13中的nh3填充水平的目标值132。在所述第四测量窗口190中，可以看到所述第一scr催化器12后面的nh3溢出218、针对所述第一scr催化器12后面的nh3溢出的目标值220以及乘法的校正因数222。

通过氮氧化物-储存式催化器（nsc，英语：noxstoragecatalyst）中的高的负荷点或者再生而引起高的温度梯度。这个温度阈值到达所述第一scr催化器12，并且在大约25秒之内所述第一scr催化器12中的催化器温度从勉强超过200℃升高到大约400℃。由于温度升高，所述第一scr催化器12中的nh3填充水平的目标值208首先下降，并且所述第二scr催化器13中的nh3填充水平的目标值132也推迟。如此求取针对所述第一scr催化器12后面的nh3溢出的目标值220，使得所述第二scr催化器13的nh3填充水平尽可能地保持在最小的nh3填充水平212与最大的nh3填充水平214之间的区带（korridor）中。如果所述第一scr催化器12的温度200低于280℃，那么所述nh3溢出的目标值220和所述nh3溢出的实际值218就接近于零，参见在1675与1725秒之间的范围内的温度200、所述第一scr催化器12后面的nh3溢出218和针对所述第一scr催化器12后面的nh3溢出的目标值220。自所述第一scr催化器12中的大约280℃起，所述用于nh3溢出调节器的最小的校正因数的限制特性曲线120允许校正。在进一步的进程中，参见1725秒之后的范围，所述第一scr催化器12后面的nh3溢出218跟随着针对所述第一scr催化器12后面的nh3溢出的目标值220。

图5示出了一种用于运行具有第一scr催化器12和第二scr催化器13的scr催化器系统的方法300。在第一步骤310中调节所述第一scr催化器12后面的nh3质量流量。在此，在第一调节中将所述第一scr催化器12后面的nh3质量流量的实际值100调节到所述第一scr催化器12后面的nh3质量流量的目标值101上。此外，通过所述第二scr催化器13的模型求取所述第一scr催化器12后面的nh3质量流量的目标值101。

作为由所述第二scr催化器13的当前的模型效率114和所述第二scr催化器13前面的nox质量流量112构成的乘积，计算所述第一scr催化器12后面的nh3质量流量的目标值101。

在第二步骤320中，所述第一调节的调节器输出108根据调节偏差102来改变所述第二scr催化器13的模型的当前的模型效率，其中所述调节偏差对应于所述第一scr催化器12后面的nh3质量流量的实际值100和所述第一scr催化器12后面的nh3质量流量的目标值101的差。

在此，如果所述第一scr催化器12的温度小于下温度阈值或者大于所述上温度阈值，那就不改变所述第一调节的调节器输出108。

在另一个步骤330中，第二调节110调节所述第二scr催化器13的nh3填充水平。所述第二调节110相应地在最小的填充水平204、212与最大的填充水平206、214之间调节所述第一scr催化器12及第二scr催化器13的填充水平，其中，如果所述第一scr催化器12具有最大的填充水平206，则将所述第二scr催化器13的填充水平调节到所述第二scr催化器13的最小的填充水平212上。

在此，将所述第一scr催化器12后面的nh3质量流量的实际值101与乘法的校正因数142相乘并且为此加上偏移量146，其中相应地借助特性曲线140、144不仅选择所述乘法的校正因数142而且选择所述偏移量146，并且其中不仅所述针对乘法的校正因数142的特性曲线140而且所述针对偏移量146的特性曲线144都作为参数而具有第二调节偏差136，所述第二调节偏差对应于所述第二scr催化器13的nh3填充水平的目标值132和所述第二scr催化器13的nh3填充水平的实际值134的差。