电子装置及其制造方法

专利名称：电子装置及其制造方法
技术领域：
本发明涉及电子装置及其制造方法。
背景技术：
近年，使用MEMS(Micro Electro Mechanical System)技术，制造超小型、超高性能的电子零件(MEMS元件)的研究和开发盛行。使用MEMS技术的电子零件跨多个领域，但是作为其中一种，知道构成喷墨打印机的喷墨头等。可是，在由MEMS技术制造的电子零件(电子装置)、以及由MEMS以外的技术制造的电子零件中，由于构成电子零件的基板的面积上的限制和其他理由，有时无法将形成在基板上的基板配线、基板上安装的半导体芯片等零件的端子部，在基板面上直接连接形成。
例如当在基板上安装在侧面露出连接端子的端部的半导体芯片时，不易使连接端子和该基板的配线直接接触。
于是，有一种技术，在半导体芯片的侧面上，通过将与所述连接端子连接的配线绕到半导体芯片的上表面，将该配线与设置在基板上的基板配线连接，借助于配线将半导体芯片的连接端子和基板的基板配线进行导通(例如参照专利文献1)。
美国专利第6646289号说明书可是，在半导体芯片的侧面露出的连接端子和形成在该侧面上的配线的连接配线成为线状，因此，所述连接端子和所述配线变为线接触的状态。因此，在作用外部应力和弯曲力时，在所述连接端子和基板配线的连接部容易产生断线，在连接可靠性上存在问题。
可是，在基板上不直接安装半导体芯片时，考虑在基板上设置基于底座等的阶差，在该阶差上设置半导体芯片的方法。

发明内容
本发明是鉴于所述事实而提出的，其目的在于提供一种电子装置及其制造方法在形成基板上形成的配线、借助于阶差要与该基板连接的配线时，防止这些配线的连接部分的断线，提高其连接可靠性，并且简化了配线间的连接工序。
为了解决所述课题，在本发明的电子装置中，其特征在于在已形成第一配线的基板上设置底座，在所述底座上形成第二配线，所述第二配线在所述基板面上与所述第一配线连接着。
根据这样的电子装置，形成在底座上的第二配线和形成在基板上的第一配线，在基板上连接着，所述第一配线和所述第二配线的连接部在基板面上通过面接触而连接，所以能可靠地使第一配线和第二配线导通。另外，第一配线和第二配线的连接部以面连接，所以能增加连接部的强度，例如由于弯曲或落下等，从外部对接合部作用力时，能防止接合部的断线，提高第一配线和第二配线的连接可靠性，能提高具有该接合部的电子装置的可靠性。
另外，优选所述底座的端面的至少一部分对于所述基板的上表面成为倾斜面。
据此，通过将第二配线绕到所述倾斜面上，能防止第二配线尖锐弯曲引起的断线，能提高电子装置的可靠性。
另外，优选所述倾斜面变为形成锐角的倾斜面。
据此，底座的端面和基板的上表面的梯度缓和，能更可靠地防止第二配线尖锐弯曲引起的断线。
另外，在所述底座上设置其他零件，该其他零件连接在所述第二配线上。
据此，设置在底座上的其他零件与第二配线连接，所以介由第二配线与基板上的第一配线导通。因此，例如，当由于基板的制约，有必要在基板上设置阶差的位置配置其他零件时，如果采用本发明，就能将基板上的第一配线介由底座上的第二配线与其它零件和基板导通。
另外，所述第二配线也可以连接在所述其他零件的上表面上。
据此，在底座之上设置其他零件后，在形成第二配线的同时，能进行其他零件和第二配线的接合，所以能简化电子装置的制造工序。
另外，优选所述其他零件是IC芯片。
据此，即使存在基板的制约时，能在基板和IC芯片之间设置阶差并安装IC芯片，所以能以高密度安装IC芯片，能使电子装置小型化。
另外，在所述电子装置中，优选所述底座由多个底座层叠而成。
据此，底座成为多级的构造，所以能使电子装置自身为多级构造。
在本发明的电子装置中，其特征在于在形成了第一配线的基板上设置其他零件，在该其他零件的上表面上形成第二配线，该第二配线与所述第一配线在所述基板面上连接着。
根据本发明的电子装置，形成在其他零件上的第二配线和形成在基板上的第一配线，在基板上连接着，所述第一配线和所述第二配线的连接部在基板面上通过面接触连接着，所以能可靠地使第一配线和第二配线导通。因此，所述第一配线和所述第二配线的连接部以面连接，所以能增加连接部的强度，通过设置连接可靠性高的接合部，能提高电子装置的可靠性。
另外，例如所述其他零件是半导体装置时，通过形成所述第二配线，在同一工序中进行与半导体装置的端子面(上表面)的配线连接、以及与所述第一配线的连接，所以能简化与半导体装置连接的配线形成工序。
在所述电子装置中，优选所述其他零件是IC芯片。
据此，即使存在基板的制约时，也能在基板和IC芯片之间设置阶差并安装IC芯片，所以能以高密度安装IC芯片，能使电子装置小型化。
在本发明的电子装置的制造方法中，其特征在于包括在基板上形成第一配线和底座的工序；在所述基板上，在该基板面上与所述第一配线连接，并且绕到所述底座上的状态下，形成第二配线的工序。
根据这样的电子装置的制造方法，在基板上形成第一配线后，在第一配线上形成第二配线，第一配线和第二配线可靠地导通。另外，由于所述第一配线和第二配线的接合部在基板上以面连接，所以能增加连接部的强度。
因此，例如，由于弯曲和落下而引起从外部对接合部作用力时，通过防止在接合部的断线，能取得提高连接可靠性的电子装置。
另外，所述底座的端面的至少一部分对于所述基板的上表面成为倾斜面。
据此，通过将第二配线绕到所述倾斜面上，能减小在底座和基板之间产生的阶差，能防止第二配线尖锐弯曲引起的断线，能提高电子装置的可靠性。
另外，例如通过溅射涂敷导电材料，将光致抗蚀剂曝光，形成第二配线时，所述底座上的端面成为倾斜面，能使曝光的焦点调节变得容易。因此，能形成可靠地连接基板上和底座的上表面的第二配线。
另外，优选所述倾斜面成为形成锐角的倾斜面。
据此，由于底座和基板的上表面之间的梯度变得缓和，所以能可靠地防止第二配线尖锐弯曲引起的短线，能提高电子装置的可靠性。
另外，在所述底座上设置有其他零件，该其他零件连接在所述第二配线上。
据此，设置在底座上的其他零件与第二配线连接着，所以能通过第二配线可靠地与基板上的第一配线连接。因此，当在基板和其他零件之间设置阶差而导通时，如果采用本发明，就能通过第二配线使基板上的第一配线与其他零件导通。
另外，优选在基板上形成第一配线和底座，在所述底座上形成其他零件，在所述基板上形成在该基板上与所述第一配线连接，并且与所述其他零件的上表面连接的第二配线。
据此，能成为在底座上设置其他零件后，形成与其他零件的上表面连接的第二配线。因此，能同时进行第二配线的形成、与其他零件的接合，能简化电子装置的制造工序。
另外，优选所述其他零件是IC芯片。
据此，即使存在基板的制约时，在基板和IC芯片之间设置阶差，能安装IC芯片，所以能以高密度安装IC芯片，能使电子装置小型化。
另外，在所述IC芯片的侧面的至少一部分上设置有绝缘部，该绝缘部的端面对于底座的上表面成为倾斜面。
据此，由于在IC芯片的侧面形成绝缘部，所以第二配线在IC芯片的端子部分以外成为绝缘的状态，能防止IC芯片的侧面部的短路。
另外，所述绝缘部备有倾斜面，所以通过在所述倾斜面上配置第二配线，能防止第二配线尖锐弯曲引起的短线。因此，通过第二配线可靠地连接基板上的第一配线和IC芯片，能提高电子装置的可靠性。
另外，如上所述，当通过溅射将光致抗蚀剂曝光，形成第二配线时，在倾斜面上曝光的焦点调节变得容易，能容易形成第二配线。
另外，优选所述倾斜面成为形成锐角的倾斜面。
据此，倾斜面的梯度变缓和，能更可靠地防止第二配线的断线。


下面简要说明附图。
图1是实施例1的电子装置的侧剖视图。
图2是实施例1的电子装置的平面图。
图3是实施例1的电子装置的制造工序说明图。
图4是实施例2的电子装置的侧剖视图。
图5是实施例2的电子装置的平面图。
图6是实施例2的电子装置的制造工序说明图。
图7是实施例3的电子装置的侧剖视图。
图8是基于绝缘部的其他形状的侧剖视图。
图9是基于绝缘部的其他形状的侧剖视图。
图10是基于绝缘部的其他形状的侧剖视图。
图11是基于绝缘部的其他形状的侧剖视图。
图中1—电子装置；2—电子装置；5—基板；10—底座；10a—倾斜面；17—其他底座(底座)；20—第一配线；25—第二配线；30—IC芯片(其他零件)；40—绝缘部；40a—倾斜面。
具体实施例方式
下面，详细说明本发明。
图1是说明使用本发明的电子装置制造方法制造的电子装置的图，是基于图2的A-A线向视的侧剖视图。图1中符号1是本发明的电子装置。
图2是用于说明本发明的电子装置的局部(后面描述的树脂35)透视平面图。
如图1所示，电子装置1，例如备有由Si构成的基板5、形成在该基板上的底座10。所述底座10例如是由Si、陶瓷等材料构成的板状的。另外，所述底座10可以是由有机基板、电子零件构成的其他零件。
在本实施例中，所述底座10优选是由与基板5相同的材料Si形成的。这是因为当在所述基板5和底座10中使用不同的材料时，由于热膨胀系数的不同，应力的影响减少。另外，作为底座10的高度，使用400μm的。而且，所述底座10通过由粘合剂等构成的粘合层12粘贴在基板5上。而且，作为在基板5上粘贴底座10的方法，可以不使用由粘合剂构成的粘合层12，能通过常温接合或原子间接合粘贴。另外，假定在基板5上设置其他零件时，在基板5和其他零件之间需要高度差时，使用本发明的电子装置1。
在所述基板5上，连接在周边电路(未图示)上，形成有构成例如由电镀等构成的配线图案的第一配线20。在所述底座10上形成着电连接在所述第一配线20上的第二配线25，在所述基板5上，第一配线20和第二配线25电连接。所述第二配线25是由电镀处理、溅射法、溅射掩模法、CVD法或喷墨法等形成的。
底座10的端面对于基板5的上表面成为倾斜面10a，所述倾斜面10a对于所述基板5的上表面，成为锐角(大于0度，小于90度的角度)。
具体而言，使用面方位为(110)的Si，通过各向异性蚀刻处理形成了底座10时，底座10的倾斜面10a对于基板5的上表面为54.3度。
而且，在本发明中，当在底座10的外周面和底座10上形成有开口部时，底座10的端面也包含所述开口部的内侧的面。
而且，连接于基板5上的第一配线20上的第二配线25，形成得通过所述倾斜面10a，绕到底座10的上表面一侧。在粘合层12之下也可以形成第一配线图案20。另外，优选所述倾斜面10a的倾斜角度小。而且，由于也可以在所述倾斜面10a上形成配线，所以根据溅射条件或光刻条件，倾斜面10a的倾斜角度可以接近垂直，底座10如果薄，可以为垂直(90度)也无妨。进而，通过CVD法形成第二配线25时，对于基板5的上表面，能以钝角(大于90度，小于180度的角度)形成底座10的倾斜面10a。
在所述底座10上设置有IC芯片30(其他零件)。
而且，形成在底座10上的其他零件如本实施例那样为IC芯片30时，能将电子装置1称半导体装置。
在所述IC芯片30的第一面32上，如图2所示，形成有多个电极34。第一面32可以是四边形(例如矩形)。多个电极34可以形成在第一面32的周围部(端部)。例如多个电极34可以沿着第一面32的四边排列，也可以沿着二边排列。至少一个电极34配置在第一面32的中央部。
如图1所示，在第一面32上形成有至少由1层构成的电绝缘膜即钝化膜16。钝化膜16可以只由非树脂的材料(例如SiO2或SiN)形成，在其上还可以包含由树脂(例如聚酰亚胺树脂)构成的膜，也可以由树脂层单独形成。在钝化膜16上形成有使电极34的至少一部分(例如中央部)露出的开口。即避开电极34的至少中央部(与第二配线25连接的部分)，形成有钝化膜16。另外，钝化膜16可以骑在电极34的端部，钝化膜16也可以覆盖着第一面32的全面。
如图2所示，所述电极34和所述第二配线25通过接触而成为电连接的。另外，所述第一配线20和所述第二配线25的连接部成为以面连接的状态。
如图1所示，在第一配线20和第二配线25的连接部、以及IC芯片30上，通过由环氧树脂、硅树脂等构成的树脂35覆盖住，从外部的冲击或湿气得到保护。
另外，在本实施例中，在底座10和基板5具有绝缘性的前提下记载的，但是当它们的表面绝缘性不足时，或没有绝缘性时，希望在底座10上以及基板5上，在配线形成面上预先形成着绝缘层。具体而言，可以用适当的方法(例如溅射、旋转涂敷等)形成氧化膜、氮化膜、树脂等。
而且，在图1和图2中，表示将IC芯片30的电极34一侧向下方(向下)安装在底座10上的所谓的倒装方式的情形，但是也可以采用将电极34一侧向着上方，通过Au、Al等的引线连接该电极34和第二配线25的引线接合方式。
(电子装置的制造方法)
下面参照图3(a)～(d)说明本发明的电子装置1的制造方法。
如图3(a)所示，如上所述，在由Si构成的底座10上，形成用于使后面描述的第二配线25的形成变得容易的V沟槽11。作为所述V沟槽11的形成方法，使用各向异性蚀刻，或机械地使用切片的倾斜形状(斜边切割)刀而形成。将所述基底10用V沟槽分离成2个后，利用具备一方的倾斜面10a的底座10，而且，也可以利用通过树脂等收缩而形成的锥面。按照必要，也可以实施所述的绝缘膜形成处理。另外，底座10的端部不是垂直或锐角的倾斜面10a，可以是锐角的倾斜面10a。
接着，如图3(b)所示，在所述基板5上，使用Cu、Ni-p或Au等材料，通过电镀处理、溅射法、溅射掩模法、CVD法或喷墨法，形成第一配线20。而且，所述第一配线20可以预先形成在基板5上。另外，也可以通过溅射或将基板5上粘贴的金属箔蚀刻，形成所述第一配线20。根据需要，也可以在基板上形成配线之前预先实施上述的绝缘膜形成处理。
在基板5上将所述底座10对位，通过粘合层12粘贴。另外，代替粘合层12，可以使用预先粘贴在底座10上的薄板状粘合剂，也可以使用基于合金等的金属扩散接合、熔化、焊接等粘合以外的固定方法。
接着如图3(c)所示，在基板5上形成与所述第一配线20连接，并且绕到底座10上的第二配线25。
首先通过溅射，覆盖第一配线20和底座10，形成成为第二配线的材料的金属膜。作为金属膜，能使用导电性优异的各种材料。例如对金属膜使用2层的情况下，第一层能使用密接强度优异的Ti、W、Ti-W、Ni、Cr等，第二层使用电阻率低的Cu、Al、Au。另外可以通过使用Al，形成单层的金属膜。当对基板5或底座10使用硅时，与所述的金属种类的匹配优异。
而且，在进行溅射前，通过进行等离子体处理，增加金属膜的密接性。
接着在金属膜上全面涂敷光致抗蚀剂。在涂敷光致抗蚀剂时，在基板5和底座10的连接部上也有必要涂敷光致抗蚀剂，凹凸增大。因此，通过在本发明中，希望使用喷镀法，涂敷光致抗蚀剂。当然也可以是公开的其他方法。
然后，通过热处理使光致抗蚀剂固化，进而通过进行曝光处理和显影处理，形成所需的图案的第二配线25。这时，形成得使所述第二配线25与基板5上的第一配线20在基板5上重叠，所以所述第一配线20和所述第二配线25成为以面接触的形态。另外，在底座10的端面上如果形成着倾斜面10a，所述倾斜面10a向着溅射靶方向，溅射的附着性提高，所以膜厚度稳定，涂敷的光致抗蚀剂全面曝光，所以能稳定地曝光。
因此，第二配线25通过所述倾斜面10a能稳定地连接基板5上和底座10上之间。
这样就形成与所述第一配线20连接，并且到达底座10上的第二配线25。
接着，如图3(d)所示，在第二配线25上安装IC芯片30。为了将在所述IC芯片30上形成着的电极34连接到第二配线25上，将所述电极34一侧向着下方(倒装)，安装IC芯片30，通过粘合剂连接电极34和第二配线25。虽然未图示，但是优选在IC芯片30和底座10之间填充用于提高连接可靠性的树脂。进而，作为倒装安装方式，除了粘合剂以外，提出使用金凸台(bump)的各种金属接合方式和树脂压接方式，所以当然可以使用它们。
另外，可以使用在向上的状态(所述电极34一侧向着上方的状态)下，将IC芯片30安装在第二配线25上，通过Au、Al等的引线连接的引线接合。
在安装IC芯片30后，通过由所述的环氧树脂、硅树脂等构成的树脂35浇铸，以便保护第一配线20和第二配线25的连接部、IC芯片30和第二配线25的连接部。
这时，优选树脂35使用低应力树脂，以便不易产生浇铸在配线连接部的树脂35引起的残留应力。通过这样，从基板到配线接合部分、配线部分、IC芯片安装部分由树脂覆盖，所以尤其能提高耐湿度、可靠性。
通过以上的工序，制造本发明的电子装置1。
根据这样的电子装置1，能取得在基板5上连接基板5上形成的第一配线20、底座10上形成的第二配线25的构造。这里，第一配线20和第二配线25的连接部如图2所示，在基板5面上，不是线，而已具有面积的面连接，所以与线接触时相比，能通过增加连接部的强度，以防止断线，能可靠地使第一配线20和第二配线25导通。因此，能提高第一配线20和第二配线25的连接部的可靠性，能提高耐温度周期、弯曲和落下等可靠性试验中的连接可靠。
另外，通过在基板5上设置底座10，通过使第二配线25绕到底座10上，对于基板5，能取得高位置的导通。
另外，如果所述底座10的端面对于所述基板5的上表面，成为倾斜面10a，就防止在基板5上的连接部分，第二配线25尖锐弯曲，防止第二配线25断线。另外，由于所述倾斜面10a对于所述基板5的上表面，成为形成锐角的倾斜面，所以倾斜面10a的梯度变缓，第二配线25的断线不易发生，能可靠地防止第二配线25的断线，能提高电子装置1的可靠性。而且，例如当通过CVD法形成第二配线25时，对于基板5的上表面，能以钝角形成底座10的倾斜面10a。
另外，在所述底座10上设置着IC芯片30，该IC芯片30连接在所述第二配线25上。
因此，设置在底座10上的IC芯片30的电极34与第二配线25连接着，所以通过第二配线25能与基板5上的第一配线20导通。因此，当在基板5上设置IC芯片30时，例如由于基板5的制约，在比基板5高的位置设置IC芯片30时，如果应用本发明，就能通过底座10上的第二配线25，使基板5的第一配线20和IC芯片30导通。
根据这样的电子装置1的制造方法，在第一配线20上重叠形成第二配线25，所以能可靠地使第一配线20和第二配线25导同，所述第一配线20和第二配线25的接合部在基板5上以面接触，能增加连接部的强度。
因此，尤其是能提高耐温度周期、弯曲或落下等可靠性试验中的连接可靠性。另外，通过防止接合部的短线，能提高连接可靠性。另外，第二配线25的形成和与第一配线20的连接能同时进行，所以能减少电子装置1的制造工序。
另外，所述底座10的端面如上所述，成为倾斜面10a，第二配线25在所述倾斜面10a上盘绕，防止第二配线25尖锐弯曲。另外，所述倾斜面10a成为锐角，从而第二配线25的断线不易发生，能更可靠地防止第二配线25的断线，能提高电子装置1的可靠性。
另外，在所述底座10上设置着IC芯片30，该IC芯片30连接在所述第二配线25上。
因此，设置在底座10上的IC芯片30与第二配线25连接着，所以当在比基板5高的位置设置IC芯片30时，能通过第二配线25与基板5上的第一配线20导通。据此，即使想积极地从基板5的表面向上方远离配置时，也能配置IC芯片30。另外，由于基板5的设计上的制约等，无法在基板5上直接安装IC芯片30时，如果采用本发明，就能在基板5和IC芯片30之间设置底座10，安装IC芯片30，所以能在基板5上以高密度安装IC芯片30，能使电子装置1小型化。
下面说明本发明的电子装置的实施例2。
图4、图5是说明实施例2的电子装置的图，是基于图5的A-A线向视的侧剖视图。图4中的符号2是电子装置。图5是用于说明本发明的电子装置2的局部(后面描述的树脂35)透视平面图。
而且，将本实施例的电子装置2连接为所述实施例的电子装置1的第二配线25覆盖IC芯片30的第一面(上表面)32上形成的电极34，在IC芯片30的外周部形成后面描述的绝缘部。而且，为了防止电极34的氧化，优选通过Ni等的电镀覆盖电极34的全面。还希望在电极34上形成由A1、Ni-Cr、Cu、Ni、Au或Ag等金属材料构成的突起(凸台)，实现第二配线25和电极34的导通。上述的电镀和突起通过无电解电镀处理形成。其他电子装置1的构成与所述实施例1的电子装置1的构成相同。
如图4所示，电子装置2备有基板5、形成在该基板之上的底座10。所述底座10通过粘合层12粘贴在基板5上。另外，在基板5上，通过电镀、溅射、溅射掩模法、CVD法或喷墨法形成有第一配线20。
所述底座10的端面，对于基板5的上表面，备有倾斜面10a。而且，该倾斜面10a对于基板5的上表面，优选为锐角。另外，在所述底座10上设置有IC芯片30。所述IC芯片30通过粘合层39粘贴在底座10上。另外，在所述IC芯片30的侧面覆盖IC芯片30的侧面部，设置有绝缘部40。所述绝缘部40具备向着底座的面，逐渐向外侧倾斜的倾斜面40a。因此，形成斜面，从而绝缘部40的最厚的部分与IC芯片30接触，最薄的部分从IC芯片30最远离。
所述绝缘部40由具有电绝缘性的材料(例如树脂)形成的。而且，所述绝缘部40可以由与粘合层39不同的材料形成，也可以由相同的材料形成。另外，如本实施方式那样，也可以绝缘部40与IC芯片30的侧面接触。即在绝缘部40和IC芯片30之间可以不形成间隙。在图4所示的例子中，设置绝缘部40，以使不超过IC芯片30的高度。
因此，绝缘部40的上端成为IC芯片30的上表面(钝化膜16的表面)相同的高度。这时，通过使绝缘部40和IC芯片30的阶差消失，在第二配线25和绝缘部40的连接部，圆滑地连接。也可以IC芯片30中只有由半导体或导体构成的部分由绝缘部40覆盖住。这时，绝缘部40的上端优选是与钝化膜16上表面相同的高度。另外，可以只在形成第二配线25的部分设置绝缘部40。也可以跨在钝化膜16的上表面上形成绝缘部的一部分。
在电子装置2中，与所述电子装置1同样，通过溅射或光刻法形成的第二配线25，如图5所示，在基板5上与第一配线20连接，通过在图4所示的所述倾斜面10a上盘绕，形成在底座10上，再在所述绝缘部40的倾斜面40a上盘绕，与IC芯片30的上表面(第一面32)一侧形成的电极34连接。
因此，所述第一配线20和所述第二配线25的连接部、电极34和第二配线25的连接部成为以面连接的状态。
以覆盖所述第一配线20和所述第二配线25的连接部、所述IC芯片30上的方式，由树脂35浇铸并保护着。据此，从基板到配线接合部分、配线部分、IC芯片安装部分由树脂覆盖，所以尤其能提高耐湿度、可靠性。
下面，参照图6(a)～(f)，说明本实施例的电子装置2的制造方法。而且，在本实施例中，图6(a)所示的底座10的制造工序、图6(b)所示的所述底座10和基板5的粘贴工序相同，省略说明。
在基板5上粘贴底座10后，如图6(c)所示，使用粘合层39在所述底座10上粘贴IC芯片30。而且，在图6(c)中，模式地表示IC芯片30。接着如图6(d)所示，在IC芯片30的侧面形成绝缘部40。这时，绝缘部40形成为具有向着底座10的底面，向外侧倾斜的倾斜面40a。
另外，所述绝缘部40可以由聚酰亚胺树脂、硅变性聚酰亚胺树脂、环氧树脂、硅变性环氧树脂、苯环丁烯(BCBbenzocyclobutene)、聚苯并唑(PBOpolybenzoxazole)等树脂形成。另外，所述绝缘部40可以通过浇铸封装(potting)液状树脂而形成，也可以通过固定干薄膜而形成。而且，可以在形成粘合层39的粘合剂之外，设置材料，形成所述绝缘部40，也可以使用相同的材料。
另外，优选在IC芯片30的电极34上的全面覆盖Ni等的电镀。据此，能防止在电极34上形成氧化膜。进而，在电极34上形成由Al、Ni-Cr、Cu、Ni、Au或Ag等金属材料构成的突起(凸台)，谋求第二配线25和电极34的导通。
接着如图6(e)所示，在基板5上形成与所述第一配线连接，并且与设置在IC芯片30的上表面一侧即第一面32一侧的电极34连接的第二配线25。
作为所述第二配线25的形成方法，与所述实施例同样，通过溅射和光刻法，涂敷金属膜，以覆盖第一配线20和底座10。作为金属膜，能使用导电性优异的各种材料。另外，也可以在进行溅射前，通过进行等离子体处理，增加金属膜的密接性。而且，所述第二配线25可以由电镀处理、溅射法、溅射掩模法、CVD法、或喷墨法形成。
而且，通过喷镀等涂敷光致抗蚀剂，通过热处理使光致抗蚀剂固化，通过实施曝光处理和显影处理，形成所需图案的第二配线25。
这时，如图5所示，所述第二配线25在基板5上与第一配线20连接着，第二配线25和第一配线20在面接触的状态下连接着。另外，所述第二配线25与IC芯片30的电极34也成为面接触的状态。而且，优选设置凸台，或设置阻挡层金属(barrier metal)，使IC芯片30的电极34的表面不易氧化。
然后，如图6(f)所示，由树脂35浇铸，以覆盖所述第一配线20和第二配线25的连接部、以及所述IC芯片30上。
通过以上的工序制造本发明的电子装置2。
根据这样的电子装置2，与所述实施例中的电子装置1同样，在第一配线20上重叠形成第二配线25，能可靠地使第一配线20和第二配线25导通，所述第一配线20和第二配线25的接合部在基板5面上成为面接触的状态。因此，能增加第一配线20和第二配线25的连接部的强度，尤其能提高耐温度周期、弯曲和落下等可靠性试验中的连接可靠性，并增加接合部的强度而防止断线。
另外，如果使所述底座10的端面的至少一部分对于所述基板5的上表面，形成锐角的倾斜面10a，就能防止在底座10和基板5的接合部，第二配线25尖锐弯曲引起的断线，能提高电子装置2的可靠性。另外，当不使用底座10，直接将具有倾斜面的IC芯片30安装在基板5上时，与底座10同样，也能防止第二配线25的短线，能提高电子装置的可靠性。
另外，在所述底座10上设置着IC芯片30，该IC芯片30连接在所述第二配线25上，所以设置在底座10上的IC芯片30与第二配线25连接，通过第二配线25与基板5上的第一配线20导通。
另外，所述第二配线25与形成在所述IC芯片30的上表面一侧的电极34连接着，所以在底座10上设置IC芯片30后，形成第二配线25。因此，能同时进行第二配线25的形成、与IC芯片30的连接，能谋求电子装置2的制造工序的大幅度简化。另外，通过光刻处理，能与第二配线25对应，对光致抗蚀剂图案形成，所以能以微细的间隔形成第二配线25。
根据这样的电子装置2的制造方法，所述第一配线20和第二配线25的接合部在基板5上，不是以线，而是以面连接，所以能增加连接部的强度。
因此，防止例如弯曲或落下等引起的从外部对接合部作用力时的接合部的短线，能提高连接可靠性。另外，能同时进行第二配线25的形成和与第一配线20的连接，所以能减少制造工序。这一点表示，尤其连接数越多的构造，就越对工序负载的削减有利。
另外，通过将第二配线25绕到所述底座10的端面的倾斜面10a上，能防止在底座10和基板5的接合部，第二配线25尖锐弯曲引起的断线。
另外，在所述底座10上设置IC芯片30后，形成第二配线25，以使与所述IC芯片30的上表面一侧形成的电极34连接，所以能同时进行第二配线25的制造、IC芯片30和第二配线25的接合，能简化电子装置2的制造工序。
另外，由于在该IC芯片30的侧部设置有绝缘部40，所以第二配线25在形成在IC芯片30的上表面的电极34部分以外绝缘。因此，能防止形成在绝缘部40上的第二配线25和IC芯片30的端面的短路。另外，IC芯片30的表面由钝化膜16覆盖着，所以能防止IC芯片30和第二配线25的短路。
另外，所述绝缘部40备有倾斜面40a，所以将第二配线25绕到IC芯片30的电极34一侧时，通过利用所述倾斜面40a使第二配线尖锐弯曲引起的断线不易发生。另外，所述倾斜面40a对于所述底座10的上表面呈锐角，所以第二配线25对于底座10的梯度变缓，能防止第二配线25端线。
另外，与底座10的端部的倾斜部10a同样，通过溅射等在所述倾斜部40a上形成第二配线25时，所述绝缘部40上的端面成为倾斜面40a，使所述倾斜面40a向着溅射靶方向，溅射的附着性提高，所以膜厚稳定，涂敷的光致抗蚀剂全面曝光，所以能稳定地曝光，能使第二配线25的形成变得容易。因此，能形成在所述绝缘部40和底座10之间可靠连接的第二配线25。同样，通过溅射法、溅射掩模法、CVD法或喷墨法形成第二配线25时，在绝缘部40和底座10之间能可靠地连接。
下面说明本发明的电子装置的实施例4。
图7是模式地表示实施例4的电子装置的侧剖视图。而且，对于与所述实施例1共同的构成要素付与相同的符号，省略详细的说明。
如图7所示，在本实施例中，在配置在基板5上的底座10上再配置着其他底座17。即在基板5上以2级构造配置着底座10、17。而且，基板5上配置的底座并不局限于2级，能以多级配置。
另外，作为在底座10上粘贴其他底座17的方法，能通过由粘合剂构成的粘合层12粘贴，也可以不使用粘合材料，例如通过常温接合或原子间接合粘贴。底座17的端面与所述实施例同样，具有对于基板5成为锐角的倾斜面。
所述第二配线25如所述实施例1和实施例2中说明的那样，由溅射和光刻法形成。另外，第二配线25如图7所示，从第一配线20上沿着底座10的倾斜面、底座17的倾斜面和绝缘部40的倾斜面40a，到达IC芯片30的上表面(第一面32)盘绕，与IC芯片30的上表面(第一面32)的电极34连接。据此，第一配线20和IC芯片30的电极34，通过第二配线25电连接。而且，也能通过溅射法、溅射掩模法、CVD法或喷墨法形成第二配线25。
根据本实施例的电子装置，能实现与所述实施例同样的作用效果。即在基板5上层叠多级底座10、17时，也通过电镀处理形成第二配线25，所以使第一配线20和第二配线25可靠地面接合并电连接。因此，能使电子装置为多级构造。
在所述实施例中，说明了在IC芯片30周围形成的绝缘部40具备倾斜面40a，但是所述绝缘部40的形状也可以如下。
例如，如图8所示，绝缘部40形成为其一部分跨在IC芯片30的第一面32(具体而言，钝化膜16)上。绝缘部40的一部分跨在比IC芯片30的电极34更周缘一侧的部分。
另外，为了防止电极34由绝缘部40覆盖，绝缘部40可以停止到从电极34远离的位置(比电极更周缘一侧的位置)。或者也可以使绝缘部40形成为与电极34的从钝化膜16的露出部相邻。这时，第二配线25不跨在与它密接性低的钝化膜16上。绝缘部40具有与IC芯片30相邻，从第一面32隆起的部分。其他的构成相当于与图1所示的IC芯片30相同的内容。
另外，如图9所示，绝缘部40形成为其一部分不跨在IC芯片30的第一面32上。绝缘部40具有与IC芯片30相邻，从第一面32隆起的部分。绝缘部40在与IC芯片30相反一侧具有阶梯状的部分。其他的构成相当于与图1所示的IC芯片30相同的内容。
另外，如图10所示，绝缘部40和粘合层可以一体化形成。粘合层52由与绝缘部40相同的材料形成。这时，在底座10和IC芯片30之间设置绝缘性的粘合剂，通过在底座10和IC芯片30之间作用按压力，将所述粘合剂向IC芯片30的相邻压出，从该粘合剂形成绝缘部40和粘合层52。
所述绝缘部40的倾斜面54是凹面(例如在与第一面32垂直的截面中，描绘曲线的凹面)。其他的构成相当于与图1所示的IC芯片30相同的内容。
另外，如图11所示，绝缘部40和粘合层62可以一体化形成。粘合层62由与绝缘部40相同的材料形成。在底座10和IC芯片30之间设置绝缘性的粘合剂，在底座10和IC芯片30之间作用按压力，将粘合剂向IC芯片30的相邻压出，从该粘合剂形成绝缘部40和粘合层62。绝缘部40的倾斜面64是凸面(例如在与第一面32垂直的截面中，描绘曲线的凸面)。其他的构成相当于与图1所示的IC芯片30相同的内容。
本发明并不局限于所述实施例，各种变更成为可能。例如第二配线25形成在底座10的外周面上，但是形成在底座10上设置的开口部时，通过在该开口部的内侧面(端面)上盘绕，可以与开口部中形成的配线连接并导通。另外，在本实施例中，说明了底座10上形成的其他零件为IC芯片30，但是代替IC芯片30，也可以是被动零件(电阻器、电容器、电感)等。也可以配置不同种类、多个。
权利要求
1.一种电子装置，其特征在于在形成了第一配线的基板上设置底座，在所述底座上形成第二配线，所述第二配线在所述基板面上与所述第一配线连接着。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于所述底座的端面的至少一部分对于所述基板的上表面成为倾斜面。
3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于所述倾斜面成为形成锐角的倾斜面。
4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的电子装置，其特征在于在所述底座上设置有其他零件，该其他零件连接在所述第二配线上。
5.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于所述第二配线连接在所述其他零件的上表面上。
6.根据权利要求4或5所述的电子装置，其特征在于所述其他零件是IC芯片。
7.根据权利要求1～6中的任意一项所述的电子装置，其特征在于所述底座由多个底座层叠而成。
8.一种电子装置，其特征在于在形成了第一配线的基板上设置其他零件，在该其他零件的上表面上形成第二配线，该第二配线在所述基板面上与所述第一配线连接着的。
9.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于所述其他零件是IC芯片。
10.一种电子装置的制造方法，其特征在于，包括在基板上形成第一配线和底座的工序；在所述基板上，在该基板面上与所述第一配线连接，并且绕到所述底座上的状态下，形成第二配线的工序。
11.根据权利要求10所述的电子装置的制造方法，其特征在于所述底座的端面的至少一部分对于所述基板的上表面成为倾斜面。
12.根据权利要求11所述的电子装置的制造方法，其特征在于所述倾斜面成为形成锐角的倾斜面。
13.根据权利要求10～12中的任意一项所述的电子装置的制造方法，其特征在于在所述底座上设置有其他零件，该其他零件连接在所述第二配线上。
14.根据权利要求13所述的电子装置的制造方法，其特征在于还具有在所述底座上形成其他零件的工序；在形成所述第二配线的工序中，在所述其他零件的上表面上形成所述第二配线。
15.根据权利要求13或14所述的电子装置的制造方法，其特征在于所述其他零件是IC芯片。
16.根据权利要求15所述的电子装置的制造方法，其特征在于在所述IC芯片的侧面的至少一部分上设置有绝缘部，该绝缘部的端面对于底座的上表面成为倾斜面。
17.根据权利要求16所述的电子装置的制造方法，其特征在于所述倾斜面成为呈锐角的倾斜面。
全文摘要
在形成了第一配线(20)的基板(5)上设置底座(10)，在底座(10)上形成第二配线(25)，第二配线(25)在基板(5)上与第一配线(20)连接着。而且，底座(10)的端面的至少一部分成为对于所述基板(5)的上表面，形成锐角的倾斜面(10a)。另外，在底座(10)上设置其他零件(30)，其他零件(30)与第二配线(25)连接着。提供形成在基板上形成的配线、通过阶差与该基板连接的配线时，防止这些配线的连接部分的断线，提高连接可靠性的电子装置及其制造方法。
文档编号B81C3/00GK1747165SQ200510092159
公开日2006年3月15日 申请日期2005年8月23日 优先权日2004年9月9日
发明者桥元伸晃 申请人:精工爱普生株式会社