技术特征：
技术总结
本发明公开了一种背面深反应离子蚀刻的方法，包括：根据微机电结构设计要求确定待背面深反应离子蚀刻器件所需蚀刻的形状；根据该形状确定在所述器件的正面所对应的形状；将所述正面所对应的形状蚀刻出沟槽；按背面深反应离子蚀刻工艺在所述器件背面根据微机电结构设计要求进行蚀刻。采用本发明，可以在不考虑蚀刻设备因素，晶片厚度以及设计结构尺寸和密度的情况下，有效地减小微机电系统元件在背面深反应离子蚀刻后形成的机械结构差异，提高元件的稳定性，一致性和生产出元件的性能的可预知性，最终提高产能。
技术研发人员：王韬
受保护的技术使用者：深圳市诺维创科技有限公司
技术研发日：2016.08.27
技术公布日：2018.03.09