1.一种红外吸收结构，其特征是：包括衬底（1）以及设置于所述衬底（1）上的烛灰纳米颗粒结构层（2）。
2.根据权利要求1所述的红外吸收结构，其特征是：所述衬底（1）包括与MEMS工艺兼容的材料基片、材料层或红外传感器的红外吸收区。
3.根据权利要求1所述的红外吸收结构，其特征是：所述烛灰纳米颗粒结构层（2）通过固定薄膜层（5）固定在衬底（1）上，固定薄膜层（5）覆盖在烛灰纳米颗粒结构层（2）以及衬底（1）上。
4.根据权利要求3所述的红外吸收结构，其特征是：所述固定薄膜层（5）的材料包括氧化硅、氮化硅、多晶硅或非晶硅；固定薄膜层（5）设置在烛灰纳米颗粒结构层（2）上的方式包括气相化学淀积。
5.根据权利要求1所述的红外吸收结构，其特征是：烛灰纳米颗粒结构层（2）利用蜡烛（4）的火焰熏镀制备在衬底（1）上；或将预先收集的烛灰纳米颗粒旋涂在衬底（1）上，以得到烛灰纳米颗粒结构层（2）；或通过在液体中超声提取得到烛灰纳米颗粒，将提取得到的烛灰纳米颗粒喷涂在衬底（1）上。
6.一种红外吸收结构与红外传感器件的集成方法，其特征是，所述集成方法包括如下步骤：
步骤1、提供用于红外辐射探测的红外传感器裸芯片（7），并将所述红外传感器裸芯片（7）置于用于封装的管壳基座（17）上，且将红外传感器裸芯片（7）与管壳基座（17）上的引线柱（8）电连接；
步骤2、在上述管壳基座（17）上设置烛灰纳米颗粒结构层（2），所述烛灰纳米颗粒结构层（2）覆盖在红外传感器裸芯片（7）的红外吸收区上。
7.根据权利要求6所述红外吸收结构与红外传感器件的集成方法，其特征是：步骤2中，烛灰纳米颗粒结构层（2）利用蜡烛（4）的火焰熏镀制备在红外传感器裸芯片（7）的红外吸收区上；或将预先收集的烛灰纳米颗粒旋涂在红外传感器裸芯片（7）的红外吸收区上，以得到烛灰纳米颗粒结构层（2）；或通过在液体中超声提取得到烛灰纳米颗粒，将提取得到的烛灰纳米颗粒喷涂在红外传感器裸芯片（7）的红外吸收区上。
8.根据权利要求6所述红外吸收结构与红外传感器件的集成方法，其特征是：在所述烛灰纳米颗粒结构层（2）上设有固定薄膜层（5），所述的材料包括氧化硅、氮化硅、多晶硅或非晶硅；固定薄膜层（5）设置在烛灰纳米颗粒结构层（2）上的方式包括气相化学淀积。
9.根据权利要求6所述红外吸收结构与红外传感器件的集成方法，其特征是：所述管壳基座（17）的下方设有与引线柱（8）电连接的管脚（12），在管壳基座（17）上设有盖帽（16），所述盖帽（16）支撑于管壳基座（17）上，且管帽（16）通过帽沿（14）键合固定在管壳基座（17）的基座连接支撑边沿（11）上，管帽（16）上设有通光孔（13），所述通光孔（13）位于红外传感器裸芯片（7）的正上方。
10.一种红外吸收结构与红外传感器件的集成方法，其特征是，提供待封装的晶圆级或芯片级的红外传感器，并在所述待封装的晶圆级或芯片级的红外传感器的红外吸收区设置烛灰纳米颗粒结构层（2）。