用于处理微机电系统组件的方法与流程

本发明实施例涉及一种用于处理微机电系统(mems)组件的方法。

背景技术：

微机电系统(microelectro-mechanicalsystem；mems)运动传感器现广泛用于汽车用电子设备、医疗设备、硬盘驱动器以及便携式消费电子产品。举例来说，典型的智能手机包括mems加速度计、陀螺仪以及可能存在的指南针。单轴mems加速度计检测给定方向上的速度变化，其几乎普遍用于在发生撞击的情况下为汽车安全气囊充气。由于振动可模式化为以周期方式快速发生的加速与减速，因此所述单轴mems加速度计也用作振动传感器以检测机械设备中的轴承磨损。双轴加速度计实施第二维度，其可与通过测量重力对加速度计的x-y轴的影响来检测倾斜一样简单。三轴加速度计可检测三个不同方向上的运动，其广泛用于移动装置以实现点击(tap)、摇动(shake)以及定向(orientation)检测。陀螺仪基本上是三轴惯性传感器。多轴mems陀螺仪通常与三轴加速度计一起嵌入于惯性测量单元中。

电容器是确定mems装置性能的关键组件之一。电容器的平方测量有助于运动传感电路的灵敏度。具有相对较大尺寸的可移动mems组件可能容易卡在另一可移动mems组件或其周围的mems结构中。

静摩擦(stiction)被视为mems运动传感器中的一个显著问题。内部mems结构如此小，使得表面力可能导致显微结构在其表面接触时粘着在一起。现有方法仅可以通过失去设计性能来解决静摩擦问题，例如通过损害mems运动传感器的灵敏度性能，且因此不完全令人满意。

技术实现要素：

本发明实施例提供一种用于处理微机电系统(mems)组件的方法。所述方法包括以下步骤：提供第一晶圆；使用第一化学气相沉积法来处理第一晶圆，以在第一晶圆的顶面上形成腔室以及至少一个氧化物层；提供第二晶圆；将第二晶圆接合在至少一个氧化物层的顶面上；处理第二晶圆以形成多个第一结构；使用第二化学气相沉积法将自组装单层(sam)的层沉积到微机电系统组件的表面。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下具体实施方式最好地理解本发明的各方面。应注意，根据工业中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1为根据一些实施例的用于处理mems组件以减小静摩擦的过程的示意图。

图2a至图2c为根据一些实施例分别施加sam涂布、热处理以及湿式刻蚀的示范性步骤的示意图。

图3为根据一些实施例的说明在硅和锗上具有不同热处理温度以及持续时间的sam上的接触角的图表。

图4为说明根据一些实施例的由对硅和锗进行湿式刻蚀的sam图案的接触角的图表。

图5a至图5d为根据一些实施例的说明单一次湿式刻蚀处理的扫描电子显微镜照片。

图5e为根据一些实施例的扫描电子显微镜操作的示意图。

图6a至图6d为根据一些实施例的说明多次湿式刻蚀处理的扫描电子显微镜照片。

图7为根据一些实施例的说明在每一处理步骤之后各种材料上的接触角的图表。

图8a至图8d为根据一些实施例的用于比较mems上的三个不同位点的结合能(bindingenergies)的图式。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实施主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件以及布置的具体实例以简化本发明。当然，这些只是实例且并不意欲为限制性的。举例来说，在以下描述中，第一特征在第二特征上方或第二特征上的形成可包括第一特征和第二特征直接接触地形成的实施例，并且还可包括额外特征可在第一特征与第二特征之间形成使得第一特征和第二特征可不直接接触的实施例。另外，本发明可以在各种实例中重复参考标号和/或字母。此重复是出于简化和清楚的目的，且本身并不指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。

此外，在本文中为了易于描述，可使用例如“在…下方”、“下方”、“下部”、“在…上方”、“上部”以及类似术语的空间相对术语来描述如图式中所说明的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除图式中所描绘的取向之外，空间相对术语意图涵盖在使用或操作中的装置的不同取向。设备可以其它方式取向(例如旋转90度或处于其它取向)，且本文中所使用的空间相对描述词可同样相应地进行解释。

静摩擦被视为mems运动传感器中的一个显著问题。内部mems结构如此小，使得表面力可能导致显微结构在其表面接触时粘着在一起。重要的表面力是由毛细冷凝、范德华分子力(vanderwaalsmolecularforce)以及表面之间的化学键和氢键(静电)所致的力。毛细管力涉及例如接触面积、疏水性表面、温度以及液体的密度的因素。范德华分子力涉及例如接触面积以及材料类型的因素。静电力涉及例如介电电荷、接触电位差的因素。这三种力中的两种直接涉及接触面积。因此，如果使得表面是疏水性的，那么在静摩擦存在的情况下mems致动器在运行期间将更容易恢复。

有机分子的自组装单层(self-assembledmonolayer；sam)是通过吸附而在表面上自发地形成的分子组装体。sam是一种常用材料且在制造过程中易于添加。疏水性是sam涂布特性且可以在选择性的刻蚀以及图案化处理之后保持。接触角测量可用于确定表面自由能，其反映sam表面的平均组成，并且可用于探测sam形成的动力学和热力学。也可通过离子散射技术(例如低能离子散射(lowenergyionscattering)和飞行时间直接反冲光谱(timeofflightdirectrecoilspectroscopy))以实时获得诱导解吸附的吸附和温度的动力学以及结构信息。

本发明实施例提供一种用于通过减小mems运动传感器中的接触能量来改良mems运动传感器的可靠性和品质的抗静摩擦方法。在一个实施例中，一种组合sam处理通过按顺序的热处理和湿式清洁过程来执行。根据所公开的方法，sam从金属表面完全移除，但保留在mems表面上，这确保接合品质和无静摩擦mems。这是一种低成本的解决方案，且不会对mems装置功能产生任何副作用。

图1为根据一些实施例的用于处理mems组件以减小静摩擦的过程的示意图。根据一些实施例，第一步骤1100形成衬底102中的面朝上腔室(upwardfacingcavities)，衬底102为(例如)硅、锗或其它材料。举例来说，这些面朝上腔室可通过刻蚀形成。随后在下一步骤1200中处理所得具有腔室的衬底102。根据一些实施例，化学气相沉积(chemicalvapordeposition；cvd)法期间，具有腔室的衬底102出现在化学蒸气中，其中氧化物层103沉积在具有腔室的衬底102上。cvd是实施产生高品质、高性能固体材料的化学过程。通常在半导体工业中实施所述过程以产生薄膜。在典型的cvd中，晶圆(衬底)暴露于一或多个挥发性前体，其在衬底表面上反应和/或分解以产生所需沉积层。经常地，也产生挥发性副产物，其由通过气流穿过反应腔室(图中未示)而被移除。微型制造过程广泛实施cvd以沉积各种形式的材料，所述形式包括：单晶、多晶、非晶形以及外延。这些材料包括硅化合物(例如sio2、sige、碳化硅、氮化硅以及氮氧化硅)、碳(纤维、纳米纤维、纳米管、金刚石以及石墨烯)、碳氟化合物、长丝(filaments)、钨、氮化钛以及各种高k介电质。在一些实施例中，氧化物层103用热氧化方法形成。

根据一些实施例，在下一步骤1300中，mems装置晶圆104的另一层被熔融(fused)在氧化物层103的顶部上。在一些实施例中，mems装置晶圆104包括硅(si)、锗(ge)或其它合适材料。提供mems装置晶圆104以在以下步骤中构建mems装置和结构。

根据一些实施例，在下一步骤1400中，ge层107通过物理气相沉积(physicalvapordeposition；pvd)或溅镀而沉积在mems装置晶圆104上。根据一些实施例，在下一步骤1500中，根据预定设计将ge层107刻蚀为图案化ge层108。另外，致动器109和致动器110通过刻蚀mems装置晶圆104来产生。

根据一些实施例，下一步骤1600是sam涂布步骤，其中步骤1500的最终产物出现在cvd的化学蒸气中。在一些实施例中，sam包含于化学蒸气中且sam层111沉积在mems组件的外表面以及内表面上，所述mems组件可通过含有sam的化学蒸气来实现。根据一些实施例，sam是常用材料且在制造过程中易于添加。举例来说，sam可包括分子，所述分子中的每一个具有对衬底有强亲和力并且将分子锚定在其上的头部基团。示范性头部基团包括(但不限于)硫醇、膦酸酯等。sam涂布的疏水性在选择性的刻蚀以及图案化之后仍保留下来。根据一些实施例，通过使用sam涂布，mems可靠性改良中不存在额外掩模或额外成本。根据一些实施例，对mems装置功能性而言不具有副作用。

根据一些实施例，在下一步骤1700中，mems组件经受热处理以至少部分地移除金属表面上的sam。与步骤1600相比，在步骤1700处，留在金属层108的表面上的sam112更少，所述金属层108包括金属或类金属。根据一些实施例，所述金属是ge。热处理的影响根据热处理的温度和持续期间的不同组合而变化。热处理的影响也取决于材料表面的性质，例如在与ge相比时，具有相同温度和持续期间的热处理对si产生不同影响。温度、持续期间以及材料的影响将在以下段落更详细地论述。

根据一些实施例，在下一步骤1800中，施加湿式刻蚀以完全移除沉积在层108的表面上的sam。与步骤1700相比，在步骤1800处，sam113仅保留在致动器109和致动器110的表面上，但不保留在金属层108的表面上。

根据一些实施例，为了完全移除层108的表面上的sam，在湿式刻蚀步骤1800期间也移除层108的至少一部分。根据一些实施例，湿式刻蚀也称为化学刻蚀或液体刻蚀。湿式刻蚀是一种材料移除过程。在所述过程期间，使用液态化学品或刻蚀剂以从晶圆中移除材料。虽然晶圆上的掩模形成特定图案，但是未受掩模保护的材料被液态化学品刻蚀掉。可使用光刻以沉积及图案化晶圆上的这些掩模。湿式刻蚀过程可包括消耗初始反应物并产生新反应物的多个化学反应。湿式刻蚀过程可包括三个基础步骤：第一，将液态刻蚀剂扩散到待移除的结构；第二，液态刻蚀剂与经刻蚀掉的材料之间起反应；以及第三，副产物从反应表面扩散到反应中。与从mems表面移除所有sam的表面清洁过程不同，在步骤1800处的湿式刻蚀可从金属表面移除sam，但是在mems表面的其他部分(例如在致动器109和致动器110的表面)上保留sam。因此，在mems通过金属表面接合到cmos晶圆时，在步骤1800处的湿式刻蚀提供强力接合，且同时确保具有疏水性sam的无静摩擦mems保留在mems表面的其他部分上。

根据一些实施例，在步骤1800处施加各向异性湿式刻蚀。在这种情况下，液态刻蚀剂可根据暴露于刻蚀剂的晶体面来以不同速率刻蚀晶体材料。刻蚀速率基于si晶体平面而非常不同。所述影响可允许非常高的各向异性，例如在像si的材料中。

根据一些实施例，在步骤1800处施加各向同性湿式刻蚀。在这种情况下，氢氟酸、硝酸以及乙酸的混合物(hna)是用于si的刻蚀剂溶剂。刻蚀速率取决于每一种刻蚀剂的浓度。通常将si的二氧化物或si的氮化物用作针对hna的掩模材料。在反应发生时，即使对于各向同性干式刻蚀，材料也以与向下刻蚀的速度类似的速率横向移除。

根据一些实施例，与sam沉积紧密接触的层108的顶面也被移除，以确保完全移除sam沉积。根据一些实施例，为了实现所需的效果，湿式刻蚀步骤1800在热处理步骤1700之后进行。将在下文与图7相关的段落中更详细地论述在sam移除中热处理步骤与湿式刻蚀步骤的顺序的影响。

根据一些实施例，在下一步骤1900中，实施共晶接合以将适当处理的mems晶圆与互补型金属氧化物半导体(complementarymetal-oxide-semiconductor；cmos)晶圆114接合。接合点处的组件115和组件116是(例如)铝铜合金或另一合适的金属材料。

共晶系统是原子和/或化学物质的均匀固体混合物，其中每一纯元素具有其自身独特的体晶格排列(bulklatticearrangement)。共晶合金具有多种材料并且具有共晶组成。共晶接合是晶圆接合技术，其中中间金属层产生共晶系统。那些共晶金属是一种合金，其在特定组成和温度下直接由固体转化为液体，或反过来由液体转化为固体，而无需液态和固态的两相平衡。在共晶接合中，重要的是共晶温度可比多种纯元素的熔化温度低很多。

在非共晶合金固化时，其组件以不同温度固化，展示了塑性熔化范围。相反地，在良好混合的共晶合金熔化时，所述组件在单一且剧烈温度下熔化。共晶合金通过溅镀、双源蒸镀或电镀来沉积，或通过纯材料的扩散反应以及随后的共晶组合物的熔化来形成。共晶接合能够在单一过程内产生密闭性密封封装和电互连。当在低处理温度下实施共晶接合过程时，所述过程在最终组装中产生低所得应力并且得到高接合强度。另外，所述过程增加制造产率且改良可靠性。

在适当处理的mems晶圆经由步骤1900中的共晶接合而接合到cmos晶圆时，mems组件的接触能量减少。在mems晶圆的表面上(即在mems晶圆与cmos晶圆之间)存在残留的sam。由于残留的sam的疏水性特性，mems晶圆的表面上(例如mems晶圆与cmos晶圆之间)的有效接触面积减少，这因此导致静摩擦力相应地减小或减弱。

举例来说，这些抗静摩擦技术实质上提升了mems运动传感器的可靠性。根据一些实施例，对于涉及例如ge的半导体材料的晶圆之间的接合，涂布在金属表面上的sam往往会降低可接合性。根据一些实施例，各向同性sam涂布随后进行热处理，以移除金属上大部分的sam涂布。根据一些实施例，所述热处理使得表面的疏水性降低，且为湿式刻蚀化学提供渗透并完全从金属表面中移除sam的机会。根据一些实施例，湿式刻蚀通过刻蚀金属来完全移除sam同时保持si上的sam完好。

图2a至图2c为根据一些实施例分别施加sam涂布、热处理以及湿式刻蚀的示范性步骤的示意图。根据一些实施例，201是simems装置晶圆，且包括金属或类金属的金属层202形成于晶圆201的顶部上。根据一些实施例，金属层202是ge层。根据一些实施例，层203是涂布在simems装置晶圆201的顶部上的sam层，且层204是涂布在金属层202的顶部上的sam层。根据一些实施例，mems组件210在一温度下经受热处理一段时间，并且因此，部分地移除涂布在金属层202的顶部上的sam层204，以变成mems组件220的薄化的sam层205。将在随后段落中详细论述热处理的温度和持续期间的影响。也将在下文更详细地论述热处理和湿式刻蚀的顺列的影响。

根据一些实施例，经热处理的mems组件220进一步经受湿式刻蚀，这完全移除金属层202的顶部上的sam层。所得mems组件是230。

图3为根据一些实施例的说明在si和ge上具有不同热处理温度以及持续时间的sam的示范性接触角的图表。根据一些实施例，处理且比较两种材料ge和si。x轴列出多个不同热处理条件，第一条件是“按原样”，意味着不执行热处理，第二条件是在430℃下处理(即加热)30分钟，第三条件是在450℃下处理30分钟，第四条件是在450℃下处理60分钟，第五条件是在450℃下处理120分钟，第六条件是在470℃下处理30分钟，第七条件是在490℃下处理30分钟，第八条件是在490℃下处理120分钟，且第九条件是在490℃下处理240分钟。每一条形图的高度表示出sam接触角度。对于所列出的所有处理条件，si上的sam接触角比ge上的sam接触角大。在热处理之后，si上的sam接触角比热处理过的ge上的sam接触角大。因此，在相同条件下与热处理过的ge相比，热处理过的si具有疏水作用的倾向。

图4为说明根据一些实施例的由对si和ge进行湿式刻蚀的sam图案的接触角的图表。根据一些实施例，x轴列出湿式刻蚀处理之前和湿式刻蚀处理之后的si和ge，且y轴列出接触角度。si上的湿式刻蚀处理之前/湿式刻蚀处理之后的角度差小于ge上的角度差。因此，在si的表面上，其在湿式刻蚀之后保持疏水性，且在ge的表面上，湿式刻蚀使得所述表面更加亲水性。

图5a至图5d为根据一些实施例的说明单一次湿式刻蚀处理的扫描电子显微镜(scanningelectronmicroscopic；sem)照片。根据一些实施例，图5a和图5b是单一次湿式刻蚀处理之后的粗糙ge的顶视图，且图5c和图5d是单一次湿式刻蚀处理之后的ge的前视图。形成于部分531与部分533之间的前视图照片图5c中的角度532与形成于部分521与部分523之间的俯视图照片图5b中的角度522相对应。下文将更详细地论述湿式刻蚀对角度532的影响。

图5e根据一些实施例的晶圆表面的顶部的扫描电子显微镜的示意图。扫描电子显微镜面向下朝向晶圆的表面。举例来说，si晶圆201的表面上存在金属202层且涂布有sam层。根据一些实施例，在扫描电子显微镜与晶圆表面之间的距离为适当的且其它条件以适当方式调节时，扫描电子显微镜产生表面照片，例如图5a和图5b中所绘示的那些照片。在晶圆的前侧朝向扫描电子显微镜时，产生图5c和图5d。

图6a至图6d为根据一些实施例的说明多次湿式刻蚀处理的sem照片。根据一些实施例，图6a和图6b是多次湿式刻蚀处理之后的粗糙ge的顶视图，且图6c和图6d是多次湿式刻蚀处理之后的ge的前视图。形成于部分631与部分633之间的前视图照片图6c中的角度632与形成于部分621与部分623之间的俯视图照片图6b中的角度622相对应。根据一些实施例，多次湿式刻蚀对角度532的影响使得所述角度变大成为角度632。

根据一些实施例，湿式刻蚀不仅完全移除sam层，并且还使得ge表面更粗糙。根据一些实施例，更粗糙的ge表面有助于在先前论述的共晶接合过程期间实现更好地扩散。与图5a和图5b中仅用湿式刻蚀处理一次的表面相比，图6a和图6b中多次湿式刻蚀处理之后的ge表面更粗糙。从扫描电子显微镜照片中，同样清楚的是，在多次湿式刻蚀之后ge侧壁变得更加倾斜。

图7为根据一些实施例的说明在每一处理步骤之后各种材料上的接触角的图表。根据一些实施例，x轴列出不同处理下的不同材料：alcu的sam处理、si的sam处理、ge的sam处理、alcu的sam处理和湿式刻蚀处理、ge的sam+湿式刻蚀处理、si的sam+湿式刻蚀处理、alcu的sam+热处理、ge的sam+热处理、si的sam+热处理、alcu的sam+热处理+湿式刻蚀处理、ge的sam+热处理+湿式刻蚀处理以及si的sam+热处理+湿式刻蚀处理。y轴表示出相对应的接触角度。在所有处理情况中，sam(si)、sam+湿式刻蚀(si)、sam+热处理(si)以及sam+热处理+湿式刻蚀(si)为si疏水性的，其产生无静摩擦表面。在所有处理情况中，sam(ge)、sam+湿式刻蚀(ge)、sam+热处理(ge)以及sam+热处理+湿式刻蚀(ge)为亲水性的，其确保了良好的可接合性。在所有处理情况中，sam(alcu)、sam+湿式刻蚀(alcu)、sam+热处理(alcu)以及sam+热处理+湿式刻蚀(alcu)也为亲水性的，其确保了良好的可接合性。

根据一些实施例，最后三个处理情况(绘示在虚线中)遵循如下处理顺序：sam涂布，随后热处理，随后湿式刻蚀。图表显示在遵循这样的顺序时，在最后三个数据点，即sam+热处理+湿式刻蚀(alcu)、sam+热处理+湿式刻蚀(ge)以及sam+热处理+湿式刻蚀(si)的实施例中可实现更好的处理结果，如由图7中金属上的小接触角以及si上的大接触角所展现。根据一些实施例，对于si表面，sam在湿式刻蚀之后仍保留在表面上，如图7中所绘示，其接触角为约100度。作为比较，对于金属表面，sam可被移除以产生小于10度的接触角，这保证了接合品质。根据一些实施例，如果接触角大于90度，那么表面为疏水性的或非润湿的，如图7中紧靠图表右侧所示。作为比较，如果接触角小于90度，那么表面为亲水性的或润湿的，如图7最右侧所示。

图8a至图8d为根据一些实施例的用于比较用如图1中所说明的sam涂布+热处理+湿式刻蚀处理过程以及不用sam涂布+热处理+湿式刻蚀处理过程的mems装置上的三个不同位点的结合能的图式。根据一些实施例，图8a说明不使用图1中所示的处理过程的情况下处理的mems装置上的三个位点：正面位点(位点a)、背面位点(位点b)以及腔室位点(位点c)，且图8b说明所述三个位点相对应的结合能，其中曲线801a说明位点b的结合能，曲线802a说明位点c的结合能，以及曲线803a说明位点a的结合能。

相比之下，图8c说明使用图1中所示的处理过程的情况下处理的mems装置上的三个类似位点：正面位点(位点a)、背面位点(位点b)以及腔室位点(位点c)，且图8d说明那三个位点相对应的结合能，其中曲线801b说明位点b的结合能，曲线802b说明位点c的结合能，以及曲线803b说明位点a的结合能。图8c示出在sam移除过程之后所有位点(包括位点a)上sam的存在情况。

通过比较图8b和图8d，在图1中所说明的处理过程之后三个位点的结合能全部变得更大。在正面位点(或位点a)上观测到结合能最显著增大，从约500到约1000。腔室位点(或位点c)上的结合能的增大为从约800到约1200。背面位点(或位点b)上的结合能的增大为从约1500到约1700。结合能的中心值在使用处理过程和不使用处理过程的情况下表现为相同的，如分别由图8c和图8d中的804a和804b所说明。根据一些实施例，f-c是氟碳结合能。

根据一些实施例，公开一种用于处理微机电系统(mems)组件的方法。所述方法包括以下步骤：提供第一晶圆，例如衬底晶圆；使用第一cvd法来处理第一晶圆，以在第一晶圆的顶面上形成腔室以及至少一个氧化物层；提供第二晶圆；将第二晶圆接合在至少一个氧化物层的顶面上；处理第二晶圆以形成第一多个结构；使用第二cvd法将自组装单层(sam)的层沉积到mems组件的表面。根据一些实施例，处理第一晶圆的步骤进一步包括以下步骤：刻蚀第一晶圆以产生第一多个面朝上腔室。根据一些实施例，处理第一晶圆的步骤进一步包括以下步骤：使用第一cvd法将氧化物层沉积在具有多个第一面朝上腔室的衬底的顶部上，其中第一化学蒸气至少含有氧化物。根据一些实施例，处理第二晶圆的步骤进一步包括以下步骤：将第二晶圆熔融在至少一个氧化物层的顶部上，以及刻蚀第二晶圆以形成第二多个结构。根据一些实施例，处理第二晶圆的步骤进一步包括以下步骤：使用物理气相沉积法将ge层沉积在第二晶圆上。根据一些实施例，处理第二晶圆的步骤进一步包括以下步骤：刻蚀ge层以形成第二多个结构。根据一些实施例，处理第二晶圆的步骤进一步包括以下步骤：刻蚀第二晶圆以形成多个mems致动器。

根据一些实施例，所述过程进一步包括以下步骤：通过将温度保持在恒定值一段时间，以部分地移除sam的层来处理mems组件。根据一些实施例，所述过程进一步包括以下步骤：湿式刻蚀mems组件，以完全移除sam的层。根据一些实施例，所述过程进一步包括以下步骤：使用共晶接合将mems组件接合到cmos晶圆。根据一些实施例，温度是450摄氏度。根据一些实施例，一段时间是30分钟。根据一些实施例，温度在430摄氏度到490摄氏度范围内。根据一些实施例，一段时间在30分钟到240分钟范围内。

根据一些实施例，公开一种用于处理微机电系统(mems)组件的过程。所述过程包括以下步骤：提供mems组件；使用cvd法将自组装单层(sam)的层沉积到mems组件，化学蒸气至少含有sam。根据一些实施例，所述过程进一步包括以下步骤：通过将温度保持在恒定值一段时间，以部分地移除ge层上的sam涂布来处理mems组件。根据一些实施例，所述过程进一步包括以下步骤：湿式刻蚀mems组件，以完全移除ge层上的sam。根据一些实施例，所述过程进一步包括以下步骤：使用共晶接合将mems组件接合到cmos晶圆。根据一些实施例，温度在430摄氏度到490摄氏度范围内。根据一些实施例，一段时间在30分钟到240分钟范围内。

根据一些实施例，公开一种装置。所述装置包括：第一晶圆，其中第一晶圆包括第一多个腔室以及第二多个层；接合在第一晶圆上的第二晶圆，其中第二晶圆包括第三多个结构以及第四多个层；以及共晶接合到第二晶圆的cmos晶圆，其中第一晶圆以及第二晶圆涂布有sam。根据一些实施例，将sam涂布到接触角大于90度的表面。

前文概述若干实施例的特征，以使得本领域的技术人员可更好地理解本发明的各方面。本领域的技术人员应了解，其可以易于使用本发明作为设计或修改用于进行本文中所介绍的实施例的相同目的和/或获得相同优势的其它制程和结构的基础。本领域的技术人员还应认识到，此类等效构造并不脱离本发明的精神及范围，且其可在不脱离本发明的精神和范围的情况下在本文中进行各种改变、替代及更改。