技术特征：
技术总结
一种用于处理微机电系统(MEMS)组件的方法。在一个实例中，所述方法包括以下步骤：提供第一晶圆(wafer)；使用第一化学气相沉积(CVD)法来处理第一晶圆，以在第一晶圆的顶面上形成腔室以及至少一个氧化物层；提供第二晶圆；将第二晶圆接合在至少一个氧化物层的顶面上；处理第二晶圆以形成多个第一结构；使用第二化学气相沉积法将自组装单层(SAM)的层沉积到微机电系统组件的表面。
技术研发人员：翁睿均;许希丞;陈信宇;蒋季宏;程世伟;吴威鼎;胡景翔;拉瓦亚沙纳卡瓦拉普
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2018.05.17
技术公布日：2019.02.12