技术特征：
技术总结
本发明公开了一种超导真空桥及其制备方法，该制备方法包括：在衬底上旋涂LOR材料作为LOR牺牲层；在LOR牺牲层上旋涂第一光刻胶，进行掩膜曝光，该掩膜曝光定义出桥墩的位置；进行第一显影，得到桥墩和桥拱的三维结构；利用第一光刻胶和LOR材料在丙酮中的溶解性差异，去除桥拱上未曝光的光刻胶；对桥拱处的LOR材料进行设定温度加热回流，获得边缘圆拱化桥拱；在边缘圆拱化拱桥上依次旋涂LOR层和第二光刻胶；曝光第二光刻胶，并进行第二显影；蒸镀超导金属层；以及释放超导金属层桥拱下方的LOR牺牲层及非超导桥位置处的结构，得到超导真空桥。该方法不需要进行泛曝光和采用显影液去除光刻胶的工艺，工艺简单且能制备10微米以上的超导真空桥。
技术研发人员：荣皓;邓辉;龚明;吴玉林;梁福田;廖胜凯;彭承志;朱晓波;潘建伟
受保护的技术使用者：中国科学技术大学
技术研发日：2019.01.24
技术公布日：2019.04.12