技术特征：
1.一种通过磁场调控微纳米平板近场辐射传热的方法，其特征是：在两个微纳米平板的相对一面分别铺上一层石墨烯，用于增加磁场对近场辐射传热调控的范围，通过调节两个微纳米平板之间的热磁阻或间隙，来调控微纳米平板近场辐射传热。2.根据权利要求1所述的方法，其特征是：磁场对两个相同的掺杂浓度为n的insb微纳米平板之间的辐射传热系数如公式(1
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2)表示：其中t为300k，t1表示热源的温度，t2表示冷源的温度，δt代表冷源和热源的温差，趋近于零，公式表示该温度下的热流密度，光子隧穿率ξ(ω,k；d)是根据单轴各向异性的公式进行计算，insb微纳米平板厚度设置为0.5mm；磁场对近场辐射的调控能力，表示为公式(1
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3)：热阻值越大，磁场对近场辐射的调控能力也就越强；在两个相同的insb微纳米平板之间分别铺上一层石墨烯，用于增加磁场对近场辐射传热调控的范围。3.根据权利要求1所述的方法，其特征是：所述的insb微纳米平板的厚度为0.5mm，两个微纳米平板之间的间隙为10
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300nm。4.一种通过磁场调控近场辐射传热的装置，其特征是：具有两个相同的掺杂浓度insb微纳米平板，厚度为0.5mm，相对的一面分别铺有一层石墨烯，相距为10
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300nm。
技术总结
本发明公开了一种通过磁场调控微纳米平板近场辐射传热的方法及装置。所述的方法，在两个微纳米平板的相对一面分别铺上一层石墨烯，用于增加磁场对近场辐射传热调控的范围，通过调节两个微纳米平板之间的热磁阻或间隙，来调控微纳米平板近场辐射传热。所述的装置，具有两个相同的掺杂浓度InSb微纳米平板，厚度为0.5mm，相对的一面分别铺有一层石墨烯，相距为10
技术研发人员：何赛灵 陈肇扬 史可樟
受保护的技术使用者：华南师范大学
技术研发日：2021.05.26
技术公布日：2021/9/9