技术特征：
1.一种制备交叉堆叠的异质结构阵列的方法，其特征在于：包括以下步骤：s1、一维纳米线阵列制备：利用一级毛细液桥制备一维纳米线阵列；s2、交叉堆叠的异质结构阵列：在二级毛细液桥硅柱模板上滴加二级前驱液，然后将所述一维纳米线阵列覆盖在所述二级毛细液桥硅柱模板的二级毛细液桥硅柱阵列上得到三明治结构，将所述三明治结构放入烘箱中加热使正交溶剂挥发后取出拆开，得到交叉堆叠的异质结构阵列；所述二级前驱液为溶解在所述正交溶剂中的聚合物发光材料，所述正交溶剂可溶解所述聚合物发光材料但不溶解所述一维纳米线阵列；所述二级毛细液桥硅柱阵列包括至少两个二级毛细液桥硅柱，所述二级毛细液桥硅柱顶部亲液、侧壁疏液。2.根据权利要求1所述的一种制备交叉堆叠的异质结构阵列的方法，其特征在于：步骤s1包括：s11、在一级毛细液桥硅柱模板上滴加一级前驱液；s12、将基底覆盖在所述一级毛细液桥硅柱模板上得到三明治结构；s13、将所述三明治结构放入烘箱中使所述一级毛细液桥诱导定向退浸润得到所述一维纳米线阵列；所述一级毛细液桥硅柱模板包括一级毛细液桥硅柱阵列，所述一级毛细液桥硅柱阵列的顶部亲液、侧壁疏液；步骤s2中，所述二级毛细液桥硅柱阵列与所述一维纳米线阵列交叉设置。3.根据权利要求2所述的一种制备交叉堆叠的异质结构阵列的方法，其特征在于：所述一级前驱液为有机-无机杂化钙钛矿前驱液或半导体材料前驱液。4.根据权利要求3所述的一种制备交叉堆叠的异质结构阵列的方法，其特征在于：所述一级前驱液为以下任意一种：mapbbr3前驱液、f8bt前驱液和mapbi3前驱液；步骤s2中，所述聚合物发光材料为以下任意一种：p3ht和c8-btbt，所述正交溶剂为甲苯或氯苯。5.根据权利要求2所述的一种制备交叉堆叠的异质结构阵列的方法，其特征在于：所述一级毛细液桥硅柱模板通过fas修饰使所述一级毛细液桥硅柱阵列的顶部亲液、侧壁疏液；所述二级毛细液桥硅柱模板通过fas修饰使所述二级毛细液桥硅柱阵列的顶部亲液、侧壁疏液。6.根据权利要求2所述的一种制备交叉堆叠的异质结构阵列的方法，其特征在于：所述一级毛细液桥硅柱阵列和所述二级毛细液桥硅柱阵列的形状包括以下任意一种：直线阵列、圆形阵列、三角形阵列、多边形阵列和曲线阵列。7.根据权利要求2所述的一种制备交叉堆叠的异质结构阵列的方法，其特征在于：所述一级毛细液桥硅柱阵列和所述二级毛细液桥硅柱阵列的硅柱宽度为2 μm、间隔为5 μm。8.根据权利要求2所述的一种制备交叉堆叠的异质结构阵列的方法，其特征在于：步骤s12和步骤s2中所述烘箱的温度为60~80℃、保持时间为10~20h。9.根据权利要求2所述的一种制备交叉堆叠的异质结构阵列的方法，其特征在于：步骤s12中，所述基底为以下任意一种：硅片、二氧化硅片、石英片、玻璃片和氧化铟锡导电玻璃。10.根据权利要求1所述的一种制备交叉堆叠的异质结构阵列的方法，其特征在于：步
骤s2中，通过三维转移平台使所述二级毛细液桥硅柱阵列与所述一维纳米线阵列在水平方向上形成90
°
交叉设置。
技术总结
本发明提供一种制备交叉堆叠的异质结构阵列的方法，通过设计周期性硅微柱模板，选择性修饰FAS分子使其顶部亲液、侧壁疏液来控制毛细液桥的形成，从而利用一级毛细液桥的定向退浸润过程来诱导半导体材料进行定向的成核和生长，获得表面平整、长程有序、高质量的一维半导体微米线阵列。进一步发展了利用正交溶剂的二级毛细液桥来诱导双组份异质结构的组装方法，利用正交溶剂和三维转移平台可以在第一层微米线阵列顶部垂直生长第二层半导体微米线阵列，形成交叉堆叠的异质结构阵列。本发明制备的具有多组分半导体材料的异质结构可以有效地控制器件性能，集成多种功能并产生特定的应用，为交叉堆叠的异质结构阵列化制备提供了新思路。了新思路。了新思路。
技术研发人员：范鑫 吴雨辰 江雷
受保护的技术使用者：北京仿生界面科学未来技术研究院
技术研发日：2022.09.05
技术公布日：2022/10/3