专利名称：一种微等离子体氧化处理装置的制作方法
技术领域：
本实用新型属于电子工程技术领域，涉及一种微等离子体氧化处理装黄
背景技术：
当前电子元器件正朝着轻型化、薄型化和超小型化方向发展，提高电介质
材料的室温介电常数，减小介电损失和温度系数成为科技界研究的热点。BaTi(), 是一种强介电材料，被誉为"电子工业的支柱"。但由于分子结构的原因，使 得仁偏高120°C，即在12(TC时才有最大介电常数值 10'而室温下的介电常数 仅有居里点的1/5 2000，从而大大影响了它的使用性能。目前工业上的解决 办法是在电子元器件的制造过程中，采用固相掺杂方法，于BaTiO,粉体屮掺入 适量锶、钙、锆、锡和一些稀土元素的氧化物，以改善其性能。但由于同相掺 杂的不均匀性，对元器件的各项参数改善并不理想。前的方法多为溶胶凝胶法、 微波方法等工艺进行离子掺杂。国外虽有用sol-gel法对BaTiO,进行掺杂改性
的研究，但却因为工艺设备复杂，原材料价格昂贵而无法在我国付诸生产， 发明内
本实用新型的目的是为了改善生产的TiO/性能、工艺复杂和成本高的缺点， 提供种工艺设备简单，适于大规模生产的实现金属离子掺杂的(Ba， X)TiOJ膜层 的设备。
本实用新型解决其技术所采用的技术方案是， 一种微等离子体氧化处理装 置，由脉冲电源l、负极2、正极3、电解质溶液4、阳极电极5、阴极电极8、 氧化处理槽9组成，脉冲电源1的正极3和阳极电极5相连，负极2和阴极电 极8相连，阳极电极5和阴极电极8插入置有电解液4的微等离子体氧化处理 槽9中，微等离子体氧化处理槽9中设有冷却管道6，微等离子体氧化处理槽9 内的下端设有搅拌器7。电解质溶液4为酸性介质Ba(OHh或同时添加含有W0,2 ， M&OJ 、 SnO:广酸根离子的盐。本实用新型的有益效果是，结构简单，操作方便，成本低，可直接在金属 表面成膜。
以下结合附图和实施例对本实用新型作进-步说明 图l是本实用新型的结构示意图。 图中1、脉冲电源，2、负极，3正极，4、电解质溶液，5、阳极电极，6、 冷却管道，7搅拌器，8、阴极电极，9、微等离子体氧化处理槽。
具体实施方式
如图1，装置包括脉冲电源1和微弧反应槽9两大部份，金属表面微等离子 体氧化专用脉冲直流电源，电压50(T600 V均可调节，阳极电极5为Ti片，阴 极电极8为不锈钢板。将浓度为O. lmol/LBa(OH)2的溶液作为电解质溶液4，以 搅拌速度120转/分搅拌5分钟，在阳极5和阴极8之间施加直流脉冲电压，则 阴极Ti表面形成为等离子体放电，放电时间为10 20min，在阳极5表面形成 厚度为10 15,厚的BaTi(X;膜层。
权利要求1、一种微等离子体氧化处理装置，其特征在于，由脉冲电源(1)、负极(2)、正极(3)、电解质溶液(4)、阳极电极(5)、阴极电极(8)、氧化处理槽(9)组成，脉冲电源(1)的正极(3)和阳极电极(5)相连，负极(2)和阴极电极(8)相连，阳极电极(5)和阴极电极(8)插入置有电解液(4)的微等离子体氧化处理槽(9)中，微等离子体氧化处理槽(9)中设有冷却管道(6)，微等离子体氧化处理槽(9)内的下端设有搅拌器(7)。
2、 如权利要求1所述的一种微等离子体氧化处理装置，其特征在于，所述 的电解质溶液(4)为酸性介质Ba(OH)2或同时添加含有W042'， Mo70242'、 Sn032 一酸根离子的盐。
专利摘要本实用新型属涉及一种微等离子体氧化处理装置，由脉冲电源、负极、正极、电解质液、阳极电极、阴极电极、氧化处理槽组成，脉冲电源的正极和阳极电极相连，负极和阴极电极相连，阳极电极和阴极电极插入置有电解液的微等离子体氧化处理槽中，微等离子体氧化处理槽中设有冷却管道，微等离子体氧化处理槽内的下端设有搅拌器。电解质溶液为酸性介质Ba(OH)<sub>2</sub>，同时添加含有WO<sub>4</sub><sup>2-</sup>，Mo<sub>7</sub>O<sub>24</sub><sup>2-</sup>、SnO<sub>3</sub><sup>2-</sup>酸根离子的盐。本实用新型的有益效果是，结构简单，操作方便，成本低，可直接在金属表面成膜。
文档编号C25D11/26GK201024219SQ20062016881
公开日2008年2月20日 申请日期2006年12月29日 优先权日2006年12月29日
发明者于志伟, 刘世永, 张会臣, 亮 王, 许晓磊, 高玉周 申请人:大连海事大学