1.一种含双键的液态聚硅烷的电化学合成方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)将含双键的卤代硅烷单体置于电解槽中，加入一定量的有机溶剂溶解并加入一定量的电解质，反应系统内抽真空，再用惰性气体置换反应系统内气体至常压，重复≥3次，得活性组分a；
(2)在惰性气体气氛保护下，控制电流大小，对组分a通电，发生电解反应得到组分b；滴加反应终止剂终止反应，过滤浓缩，萃取离心，进一步浓缩提纯，即得含双键的液态聚硅烷。
2.根据权利要求1所述的含双键的液态聚硅烷的电化学合成方法，其特征在于：步骤(1)中，所述卤代硅烷单体分子式为R4-mSiXm，其中，R为不含氧的有机基团，具体为C原子数≤10的氢、饱和烃基、不饱和烃基、卤代烃基或芳香基中的一种或几种，且至少有一个R基含碳碳双键，X为无机基团Cl、Br、I或F中的一种或几种，m为与Si相连的卤素原子个数。
3.根据权利要求1所述的含双键的液态聚硅烷的电化学合成方法，其特征在于：步骤(1)中，所述电解槽为配备Mg-Mg、Fe-Fe、Al-Al等电极的电解槽。
4.根据权利要求1所述的含双键的液态聚硅烷的电化学合成方法，其特征在于：步骤(1)中，所述有机溶剂为四氢呋喃、乙二醇二甲醚、苯、甲苯、二甲苯、一氯甲烷、二氯甲烷、三氯甲烷、四氯化碳、乙二醇二甲醚、丙酮、N,N-二甲基亚砜中的一种或几种。
5.根据权利要求1所述的含双键的液态聚硅烷的电化学合成方法，其特征在于：步骤(1)中，所述电解质为LiAlH4、NaAlH4、KAlH4中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述的含双键的液态聚硅烷的电化学合成方法，其特征在于：步骤(1)中，所述反应终止剂为甲基溴化镁、溴乙烷、一氯丁烷、氯苯、烯丙基氯的一种或几种。
7.根据权利要求1所述的含双键的液态聚硅烷的电化学合成方法，其特征在于：步骤(1)和(2)中，所述反应时间按照通电电流的大小来决定。
8.根据权利要求1所述的含双键的液态聚硅烷的电化学合成方法，其特征在于：步骤(1)和(2)中，所述惰性气体为氮气或氩气。
9.一种SiC陶瓷先驱体，其特征在于：所述SiC陶瓷先驱体包括根据权利要求1-8所述的含双键的液态聚硅烷的电化学合成方法所制备的液态聚硅烷。