技术总结
本发明提供了一种g‑C3N4/H‑TiO2基纳米管阵列及其制备方法，属于纳米复合材料技术领域。具体制备方法的步骤为：在含钛金属基体上，通过阳极氧化法制备纳米管有序阵列；对所制备的纳米管有序阵列进行晶化和表面氢化处理，得到H‑TiO2基纳米管阵列；对所制备的H‑TiO2基纳米管阵列与g‑C3N4复合，制备得到g‑C3N4/H‑TiO2基纳米管阵列。该有序纳米管阵列复合材料应用广泛，如可作为光电极来使用，通过充分发挥纳米管有序阵列的优势，在不明显改变其形貌结构的同时实现多元改性，显著拓展太阳光响应范围，明显提高其光电转换效率，为高性能光电极的设计、开发和应用提供支持。
技术研发人员：刘世凯;郭丽萍;邓士炜;刘鑫鑫
受保护的技术使用者：河南工业大学
文档号码：201710120583
技术研发日：2017.03.02
技术公布日：2017.06.30