一种制备镧钙锰氧纳米线复合阵列的方法与流程

本发明涉及一种制备镧钙锰氧纳米线复合阵列的方法，属于制备钙钛矿型巨磁阻纳米线材阵列技术领域。

背景技术：

阳极氧化铝模板模板是一种二维纳米模板，其常规孔径范围可达30~150nm，排布结构为整齐的正六边形密排结构，在微纳尺寸上具有极好的线性阵列关系，其化学成分为三氧化二铝，拥有极好的化学抗性和物理极限，因而被大范围应用在纳米制备及合成等领域。镧钙锰氧体系材料因为其独特的巨磁阻性能，引起了科研领域的广泛关注，特别是将该材料制备到纳米级尺寸时，其所表现的各项物理性能均大大优于宏观状态时所表现的情况。例如采用物理溅射法，化学沉积法等将该材料制备成一维纳米薄膜，以研究其微观情况下的物理性能，或将其制备成复合薄膜用在微纳磁学器件上，亦有通过水热法或是气相沉积法制备三维量子点或纳米岛的。但无论是点状材料或是面状材料都存在一定的问题，例如量子点材料在基础物理现象研究时无法充分表现其巨磁阻性能，薄膜材料在构建磁学器件时无法充分的进行结构设计等。故而结合阳极氧化铝模板制备二维纳米阵列成为了当前该领域最热门的研究方向，但目前的研究大多只能制备得到全填充分布的纳米阵列，而且阵列中的单元无论是纳米线还是纳米管的尺寸均一致，一来会导致其无法通过调节结构来调整性能使其达到最优，例如无法让阵列呈现最佳耦合放大位置使得巨磁阻性能成倍放大，二来无法得到特殊结构的阵列，在制备微纳磁学器件上无法充分发挥纳米阵列在结构上优于薄膜的优势。故而现今急需发明一种制备工艺，其不但能够调节纳米阵列单元之间的间距以形成特殊的分布趋势，而且能在同一个空间区域交叉生长得到直径尺寸不同的纳米线，得到复合阵列以填补上述现行技术的缺陷。

技术实现要素：

为了解决背景技术中存在的问题，本发明提供了一种制备镧钙锰氧纳米线复合阵列的方法，该方法能在保证纳米阵列单元间距可控的基础上，进一步优化得到纳米线直径不同的阵列交叉混合生长在同一区域，形成复合阵列。因为不同尺寸的纳米单元耦合叠加能够进一步放大，故而该阵列能够更好在微观尺寸下展现巨磁阻材料的物理性能，并进一步拓宽了磁学器件的制备结构基础。

本制备尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线复合阵列的方法，具体包括如下步骤：

（1）一次氧化过程：按常规工艺对铝箔原材料进行规格裁剪、高温退火、清洗去脂和电化学抛光可得表面预处理的铝箔片；以表面预处理后高光洁镜面铝箔片作阳极，铝箔片的表面镜面平整度会极大影响制备所得阳极氧化铝模板阵列有序度，其成正比关系；铂电极作为阴极，在0.2~0.4mol/l草酸电解质中，35~50v直流电压下，进行1~3h一次氧化，得到一次氧化过程模板；

（2）去氧化层过程：用质量分数1.5%~2%铬酸和质量分数5%~10%磷酸的混合酸液，在60~80℃下对步骤（1）一次氧化过程模板进行化学腐蚀脱洗1~3h，其中铬酸和磷酸的体积比为=1:1~1:3，得到排布为正六边形且阵列有序的凹坑过程模板，模板上的有序凹坑将成为二次氧化高度阵列的诱发点；

（3）二次氧化过程：以步骤（2）凹坑过程模板作阳极，铂电极作为阴极，在0.2~0.4mol/l草酸电解质中，80~120v直流电压下，进行1~2h二次氧化，得到二次氧化过程模板；

（4）降压减薄过程：在0.2~0.4mol/l草酸电解质中，通过设定程序对所施加直流电压进行阶梯式降压处理得到具有特殊减薄分布的阳极氧化铝模板（本领域通识，电压值与模板多孔层壁厚呈正比关系），同等面积下不断降压会造成虚拟电位线不断重新排布，进而形成不同程度的减薄区，而且不单单是壁厚减薄包括孔洞底端阻挡层同时也减薄。阻挡层也是壁，每个纳米孔洞有一个阻挡层，每两个纳米孔洞共享一个方向上的壁，故而阻挡层厚度为壁厚的一半，两者材质均为三氧化二铝。在减薄程度较大的减薄区，其阻挡层更薄为后续步骤（9）中进行分段低压直流择优电沉积生长提供更佳的电学通路基础，只需满足第一阶段较低电压输出值，且壁厚更薄也为后续步骤（5）中进行化学腐蚀修饰提供更大反应空间进而修饰得到尺寸更大的孔径，保证能得到孔径尺寸交叉混合的阳极氧化铝模板。减薄程度一般的减薄区因为电学通路基础一般所以需要满足第二阶段较高电压输出值，且因为壁厚较厚反应空间较小孔径修饰扩大程度较小，和上一条配合保证能得到孔径尺寸交叉混合的阳极氧化铝模板，进而能得到孔径不同的纳米复合阵列。因降压电位线不断重新排布导致产生非减薄区，该区域孔洞为闭合状态，后续无法在此区域择优生长纳米阵列；

（5）腐蚀修饰过程：对步骤（4）中所得具有特殊减薄分布的阳极氧化铝模板进行磷酸旋涂，因减薄程度不同导致孔径不同进而导致磷酸填充量和反应扩孔程度不同，所以需要用旋涂法保证磷酸完全填充进纳米孔洞进行化学腐蚀修饰，得到纳米孔洞尺寸交叉混合且具有特殊可控分布的阳极氧化铝模板；

（6）清洗干燥过程：用二次蒸馏水对步骤（5）中所得纳米孔洞尺寸交叉混合且具有特殊可控分布的阳极氧化铝模板进行浸泡清洗12~24h，后在20~25℃下干燥阳极氧化铝模板，此步骤能保证阳极氧化铝模板不会污染镧钙锰氧纳米线材料且清空孔洞内杂质；

（7）成胶过程：称取硝酸镧、硝酸钙、硝酸锰、乙二醇和柠檬酸，加入到二次蒸馏水中搅拌溶解，在80~95℃下进行蒸发成胶，得到已完成螯合的成胶溶液，该步骤无需得到完全螯合发泡的成胶，只需要得到已有螯合且具有常规流动粘度的成胶溶液即可，以保证后续步骤（8）和步骤（9）能得以实施；

（8）浸润过程：将步骤（6）中所得纳米孔洞尺寸交叉混合且具有特殊可控分布的阳极氧化铝模板浸泡至步骤（7）中的成胶溶液10~30min，通过毛细管吸力作用得到具有一定浸润填充程度的模板；

（9）分段低压直流择优电沉积生长过程：以步骤（8）中得到具有一定浸润填充程度的模板作为阴极，以铂电极作为阳极，进行分段低压直流择优电沉积形成尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线溶胶可控填充分布的阳极氧化铝模板，因为阻挡层减薄程度不同和纳米阵列填充尺寸不同，故电输运辅助沉积的难易程度和所需电压值不同，需要分段沉积；

（10）干燥凝胶过程：对步骤（9）中所得尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线溶胶可控填充分布的阳极氧化铝模板进行干燥处理得到尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线凝胶可控填充分布的阳极氧化铝模板，干燥温度为70~140℃，干燥时间为6~12h；

（11）烧结成相过程：对步骤（9）中所得尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线凝胶可控填充分布的阳极氧化铝模板进行烧结成相处理得到尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线复合阵列的阳极氧化铝模板，烧结温度为500~650℃，烧结时间为5~8h。

步骤（4）中阶梯式降压处理操作如下：从80v~120v的上限电压降压至20v时，降压幅度范围为2~3v，间隔频率为40~60s；从20v的阶段电压降压至10v时，降压幅度范围为1.5~2v，间隔频率为60s~120s；从10v的阶段电压降压至5v时，降压幅度范围为1~1.5v，间隔频率为120s~180s；从5v的阶段电压降压至3v时，降压幅度范围为0.5~1v，间隔频率为180s~240s；在3v的终点电压进行3~5min的恒压氧化，根据上述不同阶段、幅度、间隔的配合能得到不同特殊减薄分布的阳极氧化铝模板。

步骤（5）中化学腐蚀修饰时间为5~60min，磷酸浓度为0.1~1mol/l。

步骤（7）中每ml二次蒸馏水中添加硝酸镧8.938×10^-3~1.033×10^-2g、硝酸钙2.598×10^-3~2.846×10^-3g、硝酸锰9.432×10^-3~1.015×10^-2g、柠檬酸为3.04×10^-2~3.27×10^-2g、乙二醇为10~15ml。

步骤（9）中分段低压直流择优电沉积过程分为第一阶段和第二阶段，第一阶段施加电压范围为1.5~5v，沉积时长范围为15~30min，第二阶段施加电压范围为3~10v，沉积时长范围为15~45min，根据不同阶段不同沉积工艺相互配合得到各种尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线溶胶可控填充分布的阳极氧化铝模板。

本发明对比已有技术具有以下创新点：本发明通过配套不同的降压工艺组合，包含有不同降压阶段、降压幅度、降压间隔，得到具有分布间距可控的阳极氧化铝模板，在此基础上辅以化学腐蚀修饰工艺得到纳米孔洞尺寸交叉混合且具有特殊可控分布的阳极氧化铝模板，而后采用分段低压直流择优电沉积法通过电输运辅助沉积作用制备得到尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线溶胶可控填充分布的阳极氧化铝模板，再对其进行热处理操作得到尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线复合阵列，解决现有技术只能制备单一尺寸和填充的纳米阵列缺点，丰富了镧钙锰氧纳米阵列作为微纳物理基础研究对象的磁学性能表现力，同时拓宽了其作为磁学器件的结构基础和性能基础。

附图说明

图1为实施例1中步骤（5）经过化学腐蚀修饰所得间距分布为55~60nm，小孔径为55~60nm，大孔径为70~75nm的孔径尺寸交叉混合阳极氧化铝模板复合阵列正面的sem图；

图2为实施例3中步骤（5）经过化学腐蚀修饰所得间距分布为80~85nm，小孔径为80~85nm，大孔径为90~105nm的孔径尺寸交叉混合阳极氧化铝模板复合阵列正面的sem图；

图3为实施例3的孔径尺寸交叉混合阳极氧化铝模板复合阵列横截面sem图，可见其间距分布为80~85nm，小孔径为80~85nm，大孔径为90~105nm；

图4为实施例1中所制得间距分布为55~60nm，小尺寸为55~60nm，大尺寸为70~75nm的尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线复合阵列正面sem图（含阳极氧化铝模板）；

图5为图4间距分布为55~60nm，小尺寸为55~60nm，大尺寸为70~75nm的尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线复合阵列横截面sem图（含阳极氧化铝模板）；

图6为实施例2中所制得间距分布为70~75nm，小尺寸为70~75nm，大尺寸为80~95nm的尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线复合阵列正面sem图（含阳极氧化铝模板）；

图7为实施例3中所制得间距分布为80~85nm，小尺寸为80~85nm，大尺寸为90~105nm的尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线复合阵列正面sem图（含阳极氧化铝模板）。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明做进一步详细说明，但本发明的保护范围并不限于所述内容。

实施例1：本制备镧钙锰氧纳米线复合阵列的方法，具体包括如下步骤：

（1）一次氧化过程：对铝箔原材料进行规格裁剪、高温退火、丙酮酒精去脂和高氯酸混合液电化学抛光可得表面预处理的铝箔片，以表面预处理后高光洁镜面铝箔片作阳极，铂电极作为阴极，在0.25mol/l草酸电解质中，40v直流电压下，进行1h一次氧化，得到一次氧化过程模板；

（2）去氧化层过程：用质量分数1.5%铬酸和质量分数6%磷酸的混合酸液，在75℃下对步骤（1）中一次氧化过程模板进行化学腐蚀脱洗1h，其中铬酸和磷酸的体积比为=1:1，得到排布为正六边形且阵列有序的凹坑过程模板；

（3）二次氧化过程：以步骤（2）中凹坑过程模板作阳极，铂电极作为阴极，在0.25mol/l草酸电解质中，80v直流电压下，进行1h二次氧化，得到二次氧化过程模板；

（4）降压减薄过程：在0.25mol/l草酸电解质中，从80v上限电压降压至20v，采用降压幅度为2v，间隔频率为40s；从20v的阶段电压降压至10v，采用降压幅度为1.5v，间隔频率为75s；从10v的阶段电压降压至5v，采用降压幅度为1v，间隔频率为135s；从5v的阶段电压降压至3v，采用降压幅度为0.5v，间隔频率为190s；在3v的终点电压进行3min的恒压氧化，得到间距分布为55~60nm的阳极氧化铝模板；

（5）腐蚀修饰过程：对步骤（4）中所得具有特殊减薄分布的阳极氧化铝模板进行浓度0.2mol/l的磷酸旋涂，进行15min的化学腐蚀修饰，得到间距分布仍为55~60nm，小孔径为55~60nm，大孔径为70~75nm的孔径尺寸交叉混合阳极氧化铝模板复合阵列；

（6）清洗干燥过程：用二次蒸馏水对步骤（5）中所得纳米孔洞尺寸交叉混合且具有特殊可控分布的阳极氧化铝模板进行浸泡清洗12h，后在20℃低常温环境下干燥阳极氧化铝模板；

（7）配置及成胶过程：在300ml二次蒸馏水中加入硝酸镧2.7g、硝酸钙0.78g、硝酸锰2.85g、乙二醇10ml和柠檬酸9.5g，搅拌溶解后在80℃下进行蒸发成胶至175ml，得到成胶溶液；

（8）浸润过程：将步骤（6）中所得纳米孔洞尺寸交叉混合且具有特殊可控分布的阳极氧化铝模板浸泡至步骤（7）的成胶溶液中10min，通过毛细管吸力作用得到具有一定浸润填充程度的模板；

（9）分段低压直流择优电沉积生长过程：以上述步骤（8）中得到具有一定浸润填充程度的模板作为阴极，以铂电极作为阳极，第一阶段施加2v低压直流电进行电输运辅助沉积，沉积时长为20min，第二阶段施加4v低压直流电进行电输运辅助沉积，沉积时长为15min，形成间距分布为55~60nm，小尺寸为55~60nm，大尺寸为70~75nm的尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线溶胶可控填充分布的阳极氧化铝模板；

（10）干燥凝胶过程：对步骤（9）中所得尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线溶胶可控填充分布的阳极氧化铝模板进行干燥处理得到尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线凝胶可控填充分布的阳极氧化铝模板，干燥温度为75℃，干燥时间为7h；

（11）烧结成相过程：对步骤（10）中所得尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线凝胶可控填充分布的阳极氧化铝模板进行烧结成相处理得到间距分布为55~60nm，小尺寸为55~60nm，大尺寸为70~75nm的尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线复合阵列，烧结温度为500℃，烧结时间为6h。

对该实施例制备所得间距分布为55~60nm，小尺寸为55~60nm，大尺寸为70~75nm的尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线复合阵列正面进行sem扫描可得图4，对横截面进行sem扫描可见图5，均可以看见其尺寸交叉混合结构和间距分布可控结构。图1则为经过化学腐蚀修饰所得的纯阳极氧化铝模板正面sem图，图中黑色衬度为不同孔径尺寸的通孔孔洞，灰色衬度区为非减薄区，是闭合孔洞，无法在该区域生长镧钙锰氧纳米阵列，将作为调整纳米阵列间距分布的节点；其结构和尺寸与后续产物（图4、图5）相符合。

实施例2：本制备镧钙锰氧纳米线复合阵列的方法，具体包括如下步骤：

（1）一次氧化过程：对铝箔原材料进行规格裁剪、高温退火、丙酮酒精去脂和高氯酸混合液电化学抛光可得表面预处理的铝箔片，以表面预处理后高光洁镜面铝箔片作阳极，铂电极作为阴极，在0.3mol/l草酸电解质中，43v直流电压下，进行2h一次氧化，得到一次氧化过程模板；

（2）去氧化层过程：用质量分数1.75%铬酸和质量分数7.5%磷酸的混合酸液，在70℃下对步骤（1）一次氧化过程模板进行化学腐蚀脱洗2h，其中铬酸和磷酸的体积比为=1:2，得到排布为正六边形且阵列有序的凹坑过程模板；

（3）二次氧化过程：以步骤（2）的凹坑过程模板作阳极，铂电极作为阴极，在0.3mol/l草酸电解质中，100v直流电压下，进行1.5h二次氧化，得到二次氧化过程模板；

（4）降压减薄过程：在0.3mol/l草酸电解质中，从100v上限电压降压至20v，采用降压幅度为2.5v，间隔频率为50s；从20v的阶段电压降压至10v，采用降压幅度为1.75v，间隔频率为90s；从10v的阶段电压降压至5v，采用降压幅度为1.25v，间隔频率为150s；从5v的阶段电压降压至3v，采用降压幅度为0.75v，间隔频率为210s；在3v的终点电压进行4min的恒压氧化，得到间距分布为70~75nm的阳极氧化铝模板；

（5）腐蚀修饰过程：对上骤（4）中所得具有特殊减薄分布的阳极氧化铝模板进行浓度0.5mol/l的磷酸旋涂，进行33min的化学腐蚀修饰，得到间距分布仍为70~75nm，小孔径为70~75nm，大孔径为80~95nm的孔径尺寸交叉混合阳极氧化铝模板复合阵列；

（6）清洗干燥过程：用二次蒸馏水对步骤（5）中所得纳米孔洞尺寸交叉混合且具有特殊可控分布的阳极氧化铝模板进行浸泡清洗18h，后在22.5℃低常温环境下干燥阳极氧化铝模板；

（7）配置及成胶过程：在400ml二次蒸馏水中加入硝酸镧4g、硝酸钙1.08、硝酸锰4g、乙二醇12ml和柠檬酸12.8，搅拌溶解后在88℃下进行蒸发成胶至150ml，得到成胶溶液；

（8）浸润过程：将步骤（6）中所得纳米孔洞尺寸交叉混合且具有特殊可控分布的阳极氧化铝模板浸泡至步骤（7）的成胶溶液中20min，通过毛细管吸力作用得到具有一定浸润填充程度的模板；

（9）分段低压直流择优电沉积生长过程：以步骤（8）中得到具有一定浸润填充程度的模板作为阴极，以铂电极作为阳极，第一阶段施加3.25v低压直流电进行电输运辅助沉积，沉积时长为22.5min，第二阶段施加6.5v低压直流电进行电输运辅助沉积，沉积时长为30min，形成间距分布为70~75nm，小尺寸为70~75nm，大尺寸为80~95nm的尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线溶胶可控填充分布的阳极氧化铝模板；

（10）干燥凝胶过程：对步骤（9）中所得尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线溶胶可控填充分布的阳极氧化铝模板进行干燥处理得到尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线凝胶可控填充分布的阳极氧化铝模板，干燥温度为105℃，干燥时间为9h；

（11）烧结成相过程：对步骤（10）中所得尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线凝胶可控填充分布的阳极氧化铝模板进行烧结成相处理得到间距分布为70~75nm，小尺寸为70~75nm，大尺寸为80~95nm的尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线复合阵列，烧结温度为575℃，烧结时间为6.5h。

对该实施例制备所得间距分布为70~75nm，小尺寸为70~75nm，大尺寸为80~95nm的尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线复合阵列正面进行sem扫描可得图6，可见其尺寸交叉混合结构和间距分布可控结构。

实施例3：本制备镧钙锰氧纳米线复合阵列的方法，具体包括如下步骤：

（1）一次氧化过程：对铝箔原材料进行规格裁剪、高温退火、丙酮酒精去脂和高氯酸混合液电化学抛光可得表面预处理的铝箔片，以表面预处理后高光洁镜面铝箔片作阳极，铂电极作为阴极，在0.4mol/l草酸电解质中，50v直流电压下，进行3h一次氧化，得到一次氧化过程模板；

（2）去氧化层过程：用质量分数2%铬酸和质量分数10%磷酸的混合酸液，在80℃下对上述步骤（1）中所得一次氧化过程模板进行化学腐蚀脱洗3h，其中铬酸和磷酸的体积比为=1:3，得到排布为正六边形且阵列有序的凹坑过程模板；

（3）二次氧化过程：以步骤（2）的凹坑过程模板作阳极，铂电极作为阴极，在0.4mol/l草酸电解质中，120v直流电压下，进行2h二次氧化，得到二次氧化过程模板；

（4）降压减薄过程：在0.4mol/l草酸电解质中，从120v上限电压降压至20v，采用降压幅度为3v，间隔频率为60s；从20v的阶段电压降压至10v，采用降压幅度为2v，间隔频率为120s；从10v的阶段电压降压至5v，采用降压幅度为1.5v，间隔频率为180s；从5v的阶段电压降压至3v，采用降压幅度为1v，间隔频率为240s；在3v的终点电压进行5min的恒压氧化，得到间距分布为80~85nm的阳极氧化铝模板；

（5）腐蚀修饰过程：对步骤（4）中所得具有特殊减薄分布的阳极氧化铝模板进行浓度1mol/l的磷酸旋涂，进行60min的化学腐蚀修饰，得到间距分布仍为80~85nm，小孔径为80~85nm，大孔径为90~105nm的孔径尺寸交叉混合阳极氧化铝模板复合阵列；

（6）清洗干燥过程：用二次蒸馏水对步骤（5）中所得纳米孔洞尺寸交叉混合且具有特殊可控分布的阳极氧化铝模板进行浸泡清洗24h，后在25℃低常温环境下干燥阳极氧化铝模板；

（7）配置及成胶过程：在500ml二次蒸馏水中加入硝酸镧4.75g、硝酸钙1.4、硝酸锰4.8g、乙二醇15ml和柠檬酸15.75，搅拌溶解后在90℃下进行蒸发成胶至200ml，得到成胶溶液；

（8）浸润过程：将步骤（6）中所得纳米孔洞尺寸交叉混合且具有特殊可控分布的阳极氧化铝模板浸泡至步骤（7）的成胶溶液中30min，通过毛细管吸力作用得到具有一定浸润填充程度的模板；

（9）分段低压直流择优电沉积生长过程：以步骤（8）中得到具有一定浸润填充程度的模板作为阴极，以高纯铂电极作为阳极，第一阶段施加5v低压直流电进行电输运辅助沉积，沉积时长为30min，第二阶段施加10v低压直流电进行电输运辅助沉积，沉积时长为45min，形成间距分布为80~85nm，小尺寸为80~85nm，大尺寸为90~105nm的尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线溶胶可控填充分布的阳极氧化铝模板；

（10）干燥凝胶过程：对步骤（9）中所得尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线溶胶可控填充分布的阳极氧化铝模板进行干燥处理得到尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线凝胶可控填充分布的阳极氧化铝模板，干燥温度为140℃，干燥时间为12h；

（11）烧结成相过程：对步骤（10）中所得尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线凝胶可控填充分布的阳极氧化铝模板进行烧结成相处理得到间距分布为80~85nm，小尺寸为80~85nm，大尺寸为90~105nm的尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线复合阵列，烧结温度为650℃，烧结时间为8h。

对该实施例制备所得间距分布为80~85nm，小尺寸为80~85nm，大尺寸为90~105nm的尺寸交叉混合镧钙锰氧纳米线复合阵列正面进行sem扫描可得图7，可见其尺寸交叉混合结构和间距分布可控结构。图2为经过化学腐蚀修饰所得纯阳极氧化铝模板正面sem图，其结构和尺寸与后续产物（图7）相符合；图中黑色衬度为不同孔径尺寸的通孔孔洞，灰色衬度区为非减薄区，是闭合孔洞，无法在该区域生长镧钙锰氧纳米阵列，将作为调整纳米阵列间距分布的节点。图3则为该纯模板的横截面sem图，其结构尺寸和间距分布也符合于上文所述。