专利名称：半导体器件、其制造方法、及其测量方法
技术领域：
作为无线芯片的传输系统，有三种类型电磁耦合系统、 电磁感应系统以及无线电波系统。通过交替电磁场，电磁耦合系统采 用线圏的互感，并采用13.56 MHz的频率。利用电磁耦合系统，最多 可以进行大约几十cm范围内的通信。电/P兹感应系统釆用两类分级广 泛的频率； 一个是135kHz或更小，另一个是13.56 MHz。利用无线 芯片可以进行最大大约1m范围内的通信，尽管它依赖于无线芯片和 读取器/写入器的形状以及尺寸。无线电波系统采用UHF和2.45 GHz
的频带，其最大特征是通信距离长。通常，无线芯片(也被称作IC芯片)包括集成电路部分(包 括晶体管等)和天线。无线芯片可以通过无线电波与外部设备(读取器/
写入器)交换信息。最近，尝试了向各种物件、监测、管理等之类的物 件提供无线芯片。例如，已经提出货物管理系统，通过将无线芯片附 着在物件上，容易自动地执行货物管理以及对库存数量、库存情况等 的库存管理(参考文献l:日本专利公开第2004-359363号)。此外，已 经提出将无线芯片应用到安全器件或安全系统以提高反犯罪效果(参
考文献2:日本专利公开第2003-303379号)。此外，已经提出了用于 防范因将无线芯片安装在纸币、有价证券等的非法利用而导致滥用的 方法(参考文献3:日本专利公开第2001-260580号)。因此，已经提出 了无线芯片在各种领域的应用。此外，无线芯片的使用是通过附着在物件表面、嵌入物 件内部或诸如此类的方式，以将其固定。例如，在嵌入由有机树脂制 成的封装的有机树脂内或附着在其表面后，使用无线芯片。
发明内容
在无线芯片的制造过程中，无线芯片不是独立于其他无 线芯片形成的，而是在一个晶片上同时制造几十到几百个无线芯片， 然后将其分成每个芯片。在此制造过程中，当同时制造多个无线芯片 时，在某些情况下，制造被称作TEG(测试元件组)的测试元件。TEG 用于测量已完成的无线芯片的成品率，以及当发生无线芯片性能问题 时测量包含在无线芯片内的集成电路的元件的电特性。有一些类型的 TEG:用于总体评价集成电路的TEG、用于仅评价单一晶体管或电 阻等的TEG。本说明书中所披露的半导体器件的一个发明特征是包括 利用具有柔性的第一薄膜和第二薄膜密封的测试元件；其中所述测试 元件中包括防污染薄膜、位于所述防污染薄膜上的元件层、以及形成 于元件层上的用于保证元件层强度的层，在所述元件层内提供了终端 部分，并且通过提供于所述终端部分上的接触孔内的各向异性的导 体，所述终端部分与具有柔性的布线基片电连接。另外，在本发明的上述特征中，各向异性导体为各向异 性导电膏或各向异性导电膜。本说明书中所披露的半导体器件的制作方法的一个发明 特征是包括在基片上形成剥离层的步骤；在所述剥离层上形成提供有 含终端的测试元件的元件层；在选择性地去除所述剥离层和所述元件 层以形成开口部分后，将所述元件层与所述基片分离；用具有柔性的
第一薄膜和第二薄膜密封所述元件层；去除形成于所述终端部分上的 所述第一薄膜以形成触及所述终端部分的接触孔；用含导电材料的树 脂填充所述接触孔；以及在将具有柔性的布线基片布置在用来进行填 充的树脂上之后，实施加热，使得所述终端部分和具有柔性的所述布 线基片通过含导电材料的树脂被电连接起来。本说明书中所披露的半导体器件的制作方法的一个发明 特征是包括在基片上形成剥离层的步骤；在所述剥离层上形成提供有 含终端的测试元件的元件层；在选择性地去除所述剥离层和所述元件 层以形成开口部分后，将所述元件层与所述基片分离；用具有柔性的 第一薄膜和第二薄膜密封所述元件层；去除形成于所述终端部分上的 所述第一薄膜以暴露所述终端部分；以及通过使用各向异性导电薄膜 将所暴露的终端部分与具有柔性的所述布线基片电连接。本说明书中所披露的半导体器件的制作方法的一个发明 特征是包括在基片上形成基膜的步骤；在所述基膜上形成剥离层；在 所述剥离层上形成防污染薄膜；在所述防污染薄膜上形成提供有包括 薄膜晶体管和终端部分的测试元件的元件层；在所述元件层上形成用 于保证元件层强度的层；在选择性地去除所述剥离层、所述防污染薄 膜、所述元件层和用于保证元件层强度的所述层以及形成开口部分之 后，将所述防污染薄膜、所述元件层以及用于保证元件层强度的所述 层与所述基片分离；用具有柔性的第一薄膜和第二薄膜密封所述防污 染薄膜、所述元件层以及用于保证元件层强度的所述层；去除位于所 述终端部分上的所述第一薄膜和用于保证元件层强度的所述层，以形 成触及所述终端部分的接触孔；用含导电材料的树脂填充所述接触 孔；以及在将具有柔性的布线基片布置在用来进行填充的树脂上之 后，实施加热，使得所述终端部分和具有柔性的所述布线基片通过含 导电材料的树脂被电连接起来。本说明书中所披露的半导体器件的制作方法的一个发明
特征是包括在基片上形成基膜的步骤；在所述基膜上形成剥离层；在 所述剥离层上形成防污染薄膜；在所述防污染薄膜上形成提供有含薄 膜晶体管和终端部分的测试元件的元件层；在所述元件层上形成用于 保证元件层强度的层；在选择性地去除所述剥离层、所述防污染薄膜、 所述元件层和用于保证元件层强度的所述层以及形成开口部分之后， 将所述防污染薄膜、所述元件层以及用于保证元件层强度的所述层与 所述基片分离；用具有柔性的第一薄膜和第二薄膜密封所述防污染薄 膜、所述元件层以及用于保证元件层强度的所述层；去除位于所述终 端部分上的第一薄膜和用于保证元件层强度的所述层，以暴露终端部 分；以及通过使用各向异性导电薄膜将所暴露的终端部分与具有柔性 的布线基片电连接。另外，在本发明的上述特征中，在对电连接在一起的所 述终端部分和具有柔性的所述布线基片实施测量后，具有柔性的所述 布线基片被隔离，用第三和第四薄膜密封所述元件层。另外，在本说明书中，用于具有本发明新特征的TEG的 芯片、通过使用用于TEG的芯片制造的无线芯片等类似物被称作半 导体器件。另外，用于TEG的芯片提供有TEG，即测试元件。半导 体器件是指利用半导体特性的所有器件。在制造包含终端部分的TEG之后，测量电特性等。在已 经通过此特性测试的TEG内，在切除所述终端部分之后，再次密封
所述元件层。或者，在分离具有柔性的所述布线基片后，利用薄膜再
次密封所述元件层。因此，TEG可以被用作无线芯片。
在附图中
图1A到1E解释了实施例1;
图2A和2B解释了实施例1;
图3A到3D解释了实施例1; 图4A到4C解释了实施例1; 图5解释了实施例1; 图6A到6C解释了实施例1; 图7A到7C解释了实施方式1; 图8解释了实施方式1; 图9解释了实施方式1; 图10A到10C解释了实施方式1; 图11A到11D解释了实施例2; 图12解释了实施例2; 图13A到13D解释了实施例2; 图14解释了实施例4; 图15解释了实施例5; 图16解释了实施例7; 图17解释了实施例7; 图18解释了实施例7; 图19A和19B解释了实施例7; 图20A到20D解释了实施例7; 图21A到21E解释了实施例8;以及 图22A和22B解释了实施例8。
具体实施方式
实施方式
C实施方式l)在实施方式1中，将解释工艺的实例，其中在柔性基片上制造多个无线芯片的同时，制造用于TEG的芯片。
作为将成为用于TEG的芯片的元件250的薄膜电路部分 的结构，可以使用包含在将成为无线芯片的元件102内的薄膜电路部 分的相同结构，或者可以使用包含在将成为无线芯片的元件102的薄 膜电路部分内的电路的一部分的相同结构。此外，还提供将成为无线 芯片的元件102的薄膜电路部分的相同电路，优选的是提供多个单一 晶体管以测量形成于柔性基片上的单一晶体管的特性。
然后，通过将刻蚀剂引入开口部分404，去除剥离层401。 剥离层401可以被完全去除，或者可以被去除以部分地保留(见图1C、 1D和1E)。除了通过引入刻蚀剂来去除剥离层401的方法以外，可以 使用通过激光照射(例如，UV光)去除提供于开口部分404下方的剥离 层401的方法。
接下来，如图6A所示，第一薄膜203^皮布置于将成为无 线芯片的元件102和将成为用于TEG的芯片的元件250上。接下来， 如图6B所示，基片400的下表面和第一薄膜203的上表面被安插在 臂状物111和112之间。然后保持此状态，将基片400翻转180度以 将基片400的上表面和下表面颠倒过来。通过去除基片400，形成了 将成为无线芯片的元件102和将成为用于TEG的芯片的元件250规 则地排列在第一薄膜203上的情形(见图6C)。
然后，如图7A所示，第二薄膜204被布置于第一薄膜203上，在第一薄膜203上形成将成为无线芯片的元件102和将成为 用于TEG的芯片的元件250。
此外，为了减少因外部静电造成的对半导体的不利影响， 也可以使用提供有抗静电处理的薄膜(下文称为"抗静电薄膜")作为第 一薄膜和第二薄膜。作为抗静电薄膜，可以给出在树脂中散布了抗静 电材料的薄膜、附着了抗静电材料的薄膜等。提供有抗静电材料的薄 膜可以是仅一侧提供有抗静电材料的薄膜，或可以是两侧都提供有抗 静电材料的薄膜。仅一侧提供有抗静电材料的薄膜可以具有这样的结 构，在该结构中拥有抗静电材料的一侧被附着以成为薄膜的内侧或薄 膜的外侧。请注意，抗静电材料优选形成于薄膜的整个表面；然而， 它可以形成于薄膜的一部分。
首先，用激光(例如，UV光或C02激光)照射包括用于 TEG的芯片251的终端部分1621和1622的区域。从而，形成提供于 用于TEG的芯片内部的、触及终端部分1621和1622的开口部分(接 触孔)(图IOB)。
(实施方式2)在实施方式2中，在柔性基片上制造多个无线芯片的同时，制造 用于TEG的芯片，将要描述如何反映对用于TEG的芯片进行的特性 评估或缺陷分析的结果的实例。
在通过对用于TEG的芯片所进行的特性评估或缺陷分析 来获得预期的特性结果的情况下，在制造用于TEG的芯片的同时制 造的无线芯片可以照原来的样子作为产品被装运。同样在这种情况 下，在切割用于TEG的芯片的终端部分后，再次将元件层密封。或 者，在分离具有柔性的布线基片后，再次用薄膜密封元件层。因此， 可以使用作为用于TEG的芯片制造的芯片作为无线芯片，从而可以 提高生产能力。
利用含有钨(W)、钼(Mo)、铌(Nb)、钬(Ti)、硅(Si)等的金 属薄膜形成剥离层401。在本实施例中，含有W的金属薄膜被用作剥 离层401。可以通过CVD、溅射、电子束等形成含有W的金属薄膜。 这里，通过溅射形成含W的金属薄膜。在基片在随后步骤中被物理 性剥离的情况下，可以在金属薄膜(例如，W)上形成金属氧化物(例如， WOx)。或者，作为金属薄膜和金属氧化物薄膜的组合，可以使用 Mo/MoOx、 Nb/NbOx,、 Ti/TiOx等。此外，或者，可以仅形成金属氧 化物诸如WOx，、 MoOx、 NbOx或者TiOx，作为剥离层401。
接下来，在剥离层401上形成含有薄膜晶体管的多个集 成电路(薄膜电路)以及含有终端部分的层402(下文称为元件层402a和 402b)(图1B)。终端部分的数量可以是一个，或者可以根据用途形成 多个终端部分。例如，可以采用含有两个终端部分的结构，其中，通 过拉伸(延伸)用于测量单一薄膜晶体管的电特性等的布线而形成第一 终端部分，通过拉伸(延伸)用于测量整个集成电路的特性的布线而形 成第二终端部分。用作将成为无线芯片的元件的元件层402a可以具 有任何一种结构；例如，可以提供LSI、 CPU、存储器等。
然后，如图1D所示，向开口部分404引入刻蚀剂以去除 剥离层401。在本实施例中，利用刻蚀剂通过其化学反应去除剥离层 401。可以使用与剥离层401容易反应的含有卣素的氟化物(囟化物) 气体或液体，作为刻蚀剂。在本实施例中，可以使用与用于剥离层401 的鴒(W)充分反应的三氟化氯(C1F3)气体作为刻蚀剂。或者，也可以 ^使用含氟气体诸如CF4、 SF6、 NF3或F2;及其多种类型的混合气 体；或者强碱溶液诸如氢氧化四曱基铵(TMAH)，技术人员可以适当 地进行选择。另外，除了用于通过引入刻蚀剂去除剥离层401的剥离 方法外，也可以使用另一种方法，即，在通过激光照射(例如，UV光) 来去除提供于开口部分404下方的剥离层401的一部分之后进行剥 离。
在去除剥离层401之后，将成为无线芯片的元件102和 将成为用于TEG的芯片的元件250(包括元件层402和强度保证层403) 从基片400分离(转移)。为了彻底地去除本实施例中的剥离层401, 可以不使用物理方法使将成为无线芯片的元件102和将成为用于 TEG的芯片的元件250从基片400分离出去。图1E中示出该情形的 横截面，图2B中示出其顶视图。沿图2B中的直线A-B截取的横截 面图对应于图1E。
图4A中示出去除剥离层401后的透视图。接下来，将基 片上的将成为无线芯片的元件102和将成为用于TEG的芯片的元件 250转移到第一薄膜203上。此时，如图4B中所示，通过吸附装置(真 空吸盘)IIO，吸附住从基片400已剥离的将成为无线芯片的元件102 和将成为用于TEG的芯片的元件250，并将其布置在第一薄膜203 上(图4C)。
此后，根据实施方式1中描述的工艺对将成为无线芯片 的元件和将成为用于TEG的芯片的元件进行密封和切割，从而完成 本发明的无线芯片和用于TEG的芯片。
在通过在具有绝缘表面的基片上形成薄膜电路从而制造
无线芯片或用于TEG的芯片的情况下，与从圆形的硅晶片上取出芯 片的情况比较而言，对母基片的形状没有限制。因此，可以提高无线 芯片的生产率，并可以进行大规模生产。而且，由于可以重复使用绝 缘基片，可以降低成本。本实施例可以随意地与上述实施方式结合。 [实施例2]实施例2描述了与实施例1中的方法不同的、达到将多 个将成为无线芯片的元件102和将成为用于TEG的芯片的元件250 布置于如图4C和6C所示的第一薄膜203上的情形的工艺。接下来，通过抛光装置906对基片900的已研磨表面进 行抛光(见图IIC)。优选将基片900抛光至其厚度变为20 nm或更薄。 在本实施例中，将基片900抛光至其厚度变为10nm。通过旋转固定 基片900的一个或两个载物台和抛光装置906，按与上述研磨步骤相 同的方式实施上述抛光步骤。抛光装置906对应于，例如，旋转研磨 机。之后，根据需要冲洗基片以去除在研磨或抛光步骤中产生的灰尘。 在这种情况下，利用自然烘干或通过烘干装置去除由冲洗产生的水 滴。具体而言，作为烘干装置，有旋转基片900方法、利用吹风机向 基片卯0吹送气体诸如空气(大气)的方法等。然后，通过切割装置907对基片900、元件层901和第三 薄膜902进行切割。至于元件层卯l，集成电路间的每个边界都被切 割以将多个集成电路彼此分开。不切割提供于元件层901内的元件， 但切割提供于元件层901内的绝缘薄膜。因此，通过上述切割步骤， 形成了将成为无线芯片的元件940和将成为用于TEG的芯片的元件 950(见图IID)。切割装置907对应于切片机、激光器、线锯等等。在 上述步骤中，不切割第四薄膜903。接下来，扩展第四薄膜903，以在将成为无线芯片的元件
的元件950之间形成间隙(见图13A)。同时，优选以平行于第四薄膜 903的表面的方向均匀地拉伸第四薄膜903，如图13A中的箭头所示，
元件940和将成为用于TEG的芯片的元件950之间形成每一个间隙
接着，用光照射第四薄膜903。如果第四薄膜903是UV薄带，用紫 外光照射第四薄膜903。于是，第四薄膜903的粘附力降低，第四薄 膜卯3与将成为无线芯片的元件904之间或者第四薄膜903与将成为 用于TEG的芯片的元件950之间的粘附性被降低。因此，获得了可 以通过物理装置使将成为无线芯片的元件904和将成为用于TEG的 芯片的元件950与第四薄膜卯3分隔开来的情形。可以采用拾取装置或吸附装置(真空吸盘)作为物理装置。 当采用拾取装置时，如图13B所示，利用UV光照射第四薄膜903， 通过拾取装置909使将成为无线芯片的元件904和将成为用于TEG 的芯片的元件950与第四薄膜903分隔开，然后，将将成为无线芯片 的元件904和将成为用于TEG的芯片的元件950布置于第一薄膜203 上。当采用真空吸盘时，如图13C所示，用UV光照射第四薄膜903，
的芯片的元件950上方。然后，通过真空吸盘910吸取将成为无线芯 片的元件904和将成为用于TEG的芯片的元件950，将将成为无线芯 片的元件904和将成为用于TEG的芯片的元件950转移到第一薄膜 203上(见图13D)。在实施例3中，将要描述与实施方式1中所描述的密封 和切割无线芯片和用于TEG的芯片的方法不同的方法。换言之，在 实施方式1中描述了同时密封和切割无线芯片和用于TEG的芯片的 情况；然而，密封和切割不必要同时进行，可以在不同步骤中进行。
此后，将描述在不同步骤中进行密封和切割的方法。作为在不同步骤中进行密封和切割的实例，例如，可以 给出下列方法用具有仅能够进行密封而不能切割的能量密度的激光 进行照射以进行密封，然后用具有能够进行切割的能量密度的激光照 射以进行切割。在这种情况下，用于密封的激光的宽度大于用于切割 的激光的宽度。通过使用于密封的激光宽度大于用于切割的激光宽 度，可以使用于键合第一薄膜和第二薄膜的区域较大。因此，与同时 进行密封和切割的情况相比，可以更确定地进行密封。另外，当在不 同步骤中进行密封和切割时，可以先进行密封或切割。参考标号361表示充当基膜的绝缘膜。绝缘膜361包括 硅氮氧化物和硅氧氮化物的叠层薄膜，硅氧氮化物、硅氮氧化物和硅 氧氮化物的叠层薄膜，硅氧化物、硅氮氧化物和硅氧氮化物的叠层薄 膜等。在绝缘薄膜361上形成多个元件。多个元件对应于，例 如，选自薄膜晶体管、电容元件、电阻元件、二极管等的多个元件。 图14示出形成N型沟道薄膜晶体管362和364以及P型沟道薄膜晶 体管363和365作为多个元件的情况的横截面结构。薄膜晶体管362 和364的每一个具有包括沟道形成区域、轻掺杂杂质区域和重掺杂杂质区域的LDD(轻掺杂漏极)结构。薄膜晶体管363和365的每一个具 有包括沟道形成区域和杂质区域的单一漏极结构。在薄膜晶体管362 到365的栅极电极的侧面上形成侧壁。
另夕卜，本实施例示出在TEG部分内没有提供天线的结构； 然而，可以采用给TEG部分提供天线的结构。与没有提供天线的结 构的情况相比，通过给TEG部分提供与提供有天线的无线芯片的电 路相同的结构，可以更确定地弄清无线芯片的电路的电特性。请注意， 可以将本实施例随意地与上述实施方式或其他实施例结合。[实施例5
参照图15，实施例5描述了不同于实施例4的元件层的 结构的实例。在图15中，示出后续将成为用于TEG的芯片的区域 (TEG部分591)和将成为无线芯片的区域(无线芯片部分592)。
硅氮化物薄膜511和硅氧化物薄膜512是起基膜作用的绝 缘薄膜。在硅氧化物薄膜512上形成多个元件。这里，起基绝缘薄膜
作用的硅氮化物薄膜511和硅氧化物薄膜512不限于这些材料和叠层 薄膜的顺序。也可以采用(例如)硅氮氧化物和硅氧氮化物的叠层薄 膜，硅氧氮化物、硅氮氧化物和硅氧氮化物的叠层薄膜，硅氧化物、 硅氮氧化物和硅氧氮化物的叠层薄膜等，作为基绝缘薄膜。
此后，描述了薄膜晶体管523的结构。请注意，提供于 TEG部分591内的薄膜晶体管525具有与薄膜晶体管523相同的结 构。
具有上述下电极的TFT具有尺寸减小的优势结构。通常， 当缩小TFT的尺寸并增加驱动电路的时钟频率时，增加了集成电路 的功耗。因此，通过向下电极施加偏压并变化偏压，可以改变TFT 的临界电压。因此，可以抑制功耗的增加。
实施例6描述通过激光照射而已结晶的晶态半导体层用 作包含在元件层内的薄膜晶体管的半导体层的实例。
为进一步增加工作频率，激光的扫描方向优选与晶体管 的沟道长度方向相同。这是因为，在通过连续波激光进行结晶的步骤 中，当晶体管的沟道长度方向和相对于基片的激光扫描方向几乎平行时(优选，从-30。到30。)，可以得到最高的电子迁移率。请注意，沟 道长度方向对应于电流在沟道形成区域内的流动方向，换言之，即电 荷移动的方向。由此形成的晶体管包括由多晶半导体形成的有源层， 在多晶半导体中晶粒在沟道长度方向上延伸，这意味着晶粒边界几乎 沿沟道长度方向而形成。
实施例7描述了用于TEG的芯片的电路结构的实例。除 了包括与无线芯片相同的电路外，用于TEG的芯片还包括用于检查 单一元件(诸如晶体管)的电特性的元件。另外，此处所解释的用于 TEG的芯片的规格符合ISO(国际标准化组织)标准15693，这是一个 接近型的标准，其通讯信号频率为13.56 MHz。另外，接收仅响应于 数据读出指令，发送的数据传输速率大约为13kHz，曼彻斯特编码用 于数据编码。
终端部分包括第一终端部分731和第二终端部分732。通 过拉伸布线形成笫一终端部分731以测量单一元件组733的电特性 等，在单一元件组733中提供有多个单一元件诸如薄膜晶体管。通过 拉伸(延长)布线形成第二终端部分732以测量作为电路的电源部分 722或逻辑部分723的特性。
接下来，参照图17和图18解释具有上述结构的用于TEG 的芯片的设计的一个实例。首先，解释一个TEG的整体设计图(见图 17)。在用于TEG的芯片中，在不同层上形成天线701和包括电源部 分722、逻辑部分723和终端部分的元件组714。具体而言，在元件 组714上形成天线701。在其上形成元件组714的区域的一部分与在 其上形成天线701的区域的一部分重叠。在图17所示的结构中，被 设计成这样，使得形成天线701的布线的宽度为150 pm、布线间的间 隔宽度为10nm、其线圏的数量为15。请注意，本发明不限于如上所 述的在不同层上形成天线701和元件组714的模式。另外，天线701 不限于图17所示的线圏形状。
随后，解释电源部分722、逻辑部分723和终端部分的设 计(见图18)。在相同区域提供包含在电源部分722内的整流电路702 和存储电容703。在两个地方上提供都形成逻辑部分723的解调电路 704和用于识别和判别每一个编码的电路706。紧挨着地提供了掩模 型ROM 711和存储器控制器707。紧挨着地提供了时钟生成-补偿 电路705和用于识别和判别每一个编码的电路706。在时钟生成-补 偿电路705和用于识别和判别每一个编码的电路706之间提供了解调 电路704。另外，尽管在图16的结图形化中没有显示，但还提供用于 逻辑部分的探测电容712和用于电源部分的探测电容713。在探测电 容712和713之间提供调制电路和调制电阻708。
在实施例8中，描述了重复使用用于TEG的芯片作为无 线芯片。制造用于TEG的芯片，以将在实施方式或其他实施例中描 述的终端部分包括在内，并通过特性测试，然后，在切割终端部分或 去除具有柔性的布线基片后将其密封。另外，将描述作为在上述实施 方式或实施例中描述的用于TEG的芯片而同时制造的无线芯片的应 用。[0141作为无线芯片应用的实例，可以通过为纸币、硬币、有 价证券、不记名证券、证件(驾驶证、居住证等，见图21A)、包装箱(包 装纸、瓶子等，见图21B)、记录介质(诸如DVD软件、CD和录像 带(见图21C))、车辆(诸如汽车、摩托车和自行车(见图21D))、个 人物品(诸如包和眼镜(见图21E))、食物、衣服、商品、电子装置 等提供而使用无线芯片。请注意，电子装置是指液晶显示装置、EL 显示装置、电视装置(也称为TV或TV机)、手机等。[0142可以通过贴在表面或嵌入其内部将无线芯片固定到物品 上。例如，就书而言，可以将无线芯片嵌入纸中，或者，就由有机树 脂制成的封装而言，可以将无线芯片嵌入到有机树脂中。通过向纸币、 硬币、有价证券、无记名证券、证件等中的每一个提供无线芯片可以 防止伪造。通过向包装箱、记录介质、个人物品、食物、衣服、商品、 电子装置等中的每一个提供无线芯片，可以提高监查系统或用于出租 商店中的系统的效率。通过向车辆提供无线芯片，可以防止仿制品或 偷窃。另外，通过向健康保险卡提供用于记录先前疾病或用药历史的 无线芯片并且通过在医生诊断时检查健康保险卡，甚至在去多家医院 的情况下，可以防止在药物种类、剂量等上的误诊。[0143此外，通过将无线芯片应用到用于物品管理的系统或分 发系统，系统可以非常复杂精密。例如，考虑含有显示部分294的便 携式终端的侧面被提供有读取器/写入器295并将无线芯片提供给物 品297的侧面的情况(图22A)。在这种情况下，当无线芯片296 ^L保 持在读出器/记录器295时，在显示部分294内形成系统以显示物品 297的信息，诸如材料、原产地或分发过程的历史。作为另一个实例， 在把读取器/写入器295提供给传送带的侧面的情况下，可以容易地监 查物品297(图22B)。请注意，可以随意地将本实施例与上述实施方式 或实施例结合。[01441本申请基于2005年3月28日向日本专利局提交的第 2005-093295号日本专利申请，该专利申请的全部内容以引入的方式 并入本文中。
权利要求
1.一种半导体器件的测量方法，其中用具有柔性的第一薄膜和具有柔性的第二薄膜将提供有包括终端部分的测试元件的元件层密封，该测量方法包括以下步骤去除所述第一薄膜以形成触及所述终端部分的接触孔；用含导电材料的树脂填充所述接触孔；在将具有柔性的布线基片布置在已经用来进行填充的树脂上之后，实施加热，使得所述终端部分和具有柔性的所述布线基片通过含有导电材料的所述树脂电连接起来；以及通过使用所述布线基片测量所述测试元件的电特性。
2. —种半导体器件的测量方法，其中用具有柔性的第一薄膜和 具有柔性的第二薄膜将提供有包括终端部分的测试元件的元件层密 封，该测量方法包括以下步骤去除所述第一薄膜以暴露所述终端部分； 通过使用各向异性导电薄膜将所暴露的终端部分和具有柔性的 布线基片电连接起来；以及通过使用所述布线基片测量所述测试元件的电特性。
3. —种半导体器件的测量方法，其中用具有柔性的第一薄膜和 具有柔性的第二薄膜将提供有包括终端部分的元件的元件层密封，包 括以下步骤去除所述第一薄膜以暴露所述终端部分； 将所暴露的终端部分和布线电连接起来；以及 通过使用所述布线测量所述元件的电特性。
4. 一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤 在基片上形成剥离层；在所述剥离层上形成提供有包含终端部分的测试元件的元件层； 选择性地去除所述剥离层和所述元件层以形成开口部分； 使所述元件层与所述基片分离；用具有柔性的第一薄膜和具有柔性的第二薄膜密封所述元件层； 去除所述第一薄膜以形成触及所述终端部分的接触孔； 用含有导电材料的树脂填充所述接触孔；以及 在将具有柔性的布线基片布置在已经用来进行填充的树脂上之后，实施加热，使得所述终端部分和具有柔性的所述布线基片通过含 导电材料的所述树脂电连接起来。
5. —种半导体器件的制造方法，包括以下步骤 在基片上形成剥离层；在所述剥离层上形成提供有包含终端部分的测试元件的元件层； 选择性地去除所述剥离层和所述元件层以形成开口部分； 使所述元件层与所述基片分离；用具有柔性的第一薄膜和具有柔性的第二薄膜密封所述元件层； 去除所述第一薄膜以暴露所述终端部分；以及 通过使用各向异性导电膜对所暴露的终端部分和具有柔性的所 述布线基片进行电连接。
6. 根据权利要求4和5中的任何一项的制造方法，其中通过激 光照射去除形成于所述终端部分上的所述第一薄膜。
7. —种半导体器件的制造方法，包括以下步骤 在基片上形成基膜； 在所述基膜上形成剥离层；在所述剥离层上形成防污染薄膜；在所述防污染薄膜上形成提供有包含薄膜晶体管和终端部分的 测试元件的元件层；在所述元件层上形成用于保证元件层强度的层；选择性地去除所述剥离层、所述防污染薄膜、所述元件层和用于 保证元件层强度的所述层，并形成开口部分；将所述防污染薄膜、所述元件层和用于保证元件层强度的所述层 与所述基片分离；用具有柔性的第一薄膜和具有柔性的第二薄膜密封所述防污染 薄膜、所述元件层和用于保证元件层强度的所述层；去除形成于所述终端部分上的所述第一薄膜和用于保证元件层 强度的所述层，以形成触及所述终端部分的接触孔；用含导电材料的树脂填充所述接触孔；以及在将具有柔性的布线基片布置在已经用来进行填充的树脂上之 后，实施加热，使得所述终端部分和具有柔性的所述布线基片通过含 有导电材料的树脂电连接起来。
8. —种半导体器件的制造方法，包括以下步骤 在基片上形成基膜； 在所述基膜上形成剥离层； 在所述剥离层上形成防污染薄膜；在所述防污染薄膜上形成提供有包含薄膜晶体管和终端部分的 测试元件的元件层；在所述元件层上形成用于保证元件层强度的层；选择性地去除所述剥离层、所述防污染薄膜、所述元件层和用于 保证元件层强度的所述层，并形成开口部分；将所述防污染薄膜、所述元件层和用于保证元件层强度的所述层 与所述基片分离；用具有柔性的第一薄膜和具有柔性的第二薄膜密封所述防污染 薄膜、所述元件层和用于保证元件层强度的所述层；去除形成于所述终端部分上的第一薄膜和用于保证元件层强度 的所述层，以暴露所述终端部分；以及通过使用各向异性导电膜对所暴露的终端部分和具有柔性的所 述布线基片进行电连接。
9. 一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤 形成具有终端部分的薄膜晶体管；用具有柔性的第一薄膜和具有柔性的第二薄膜密封所述薄膜晶体管；去除所述第一薄膜以暴露所述终端部分；以及 将所暴露的终端部分与布线电连接。
10. 根据权利要求7和8中的任何一项的半导体器件的制造方法， 其中通过激光照射去除形成于所述终端部分上的第一薄膜和用于保 证元件层强度的所述层。
11. 根据权利要求7和8中的任何一项的半导体器件的制造方法， 其中选自由硅氧化物、硅氮化物、硅氧氮化物以及硅氮氧化物构成的 组中的至少 一种被用于所述基膜中。
12. 根据权利要求7和8中的任何一项的半导体器件的制造方法， 其中有机材料和无机材料中的任何一种被用于用来保证所述元件层 的强度的层中。
13. 根据权利要求4、 5、 7和8中的任何一项的半导体器件的制 造方法，其中含有选自由鴒、钼、铌、钛和硅构成的组中的至少一种 的金属薄膜被用作所述剥离层。
14. 一种半导体器件，包括用具有柔性的第一薄膜和具有柔性的第二薄膜密封的测试元件；以及包含在所述测试元件内的终端部分；其中所述终端部分通过位于所述终端部分上的接触孔与布线电连接,
15. —种半导体器件，包括用具有柔性的第一薄膜和具有柔性的第二薄膜密封的测试元件， 其中所述测试元件包括 防污染薄膜；位于所述防污染薄膜上的元件层；以及 形成于所述元件层上的用于保证所述元件层的强度的层， 其中所述元件层包括终端部分，以及连接<
16. 根据权利要求15的半导体器件，其中通过利用选自由硅氧 化物、硅氮化物、硅氧氮化物和硅氮氧化物构成的组中的至少一种来 形成所述防污染薄膜。
17. 根据权利要求14和15中的任何一项的半导体器件，其中有 机材料和无机材料中的任何一种被用于用来保证所述元件层的强度 的层。
18.根据权利要求14和15中的任何一项的半导体器件，其中所Zy -、士祖乂+t工乂；工66 ;士、 4夂；it血A导体与布线电连接，所述各向异性导体为各向异性导电膏或各向异性 导电膜。
全文摘要
提供一种半导体器件，能够容易地进行物理测试，而没有使特性退化。根据半导体器件的测量方法，用具有柔性的第一薄膜和第二薄膜密封提供有包括终端部分的测试元件的元件层；去除形成于所述终端部分上的所述第一薄膜，以形成触及所述终端部分的接触孔；用含有导电材料的树脂填充所述接触孔；在将具有柔性的布线基片布置在用来进行填充用的树脂上之后，实施加热，使得所述终端部分和具有柔性的所述布线基片经由含导电材料的所述树脂电连接起来；以及实施测量。
文档编号G01R31/26GK101151544SQ20068001041
公开日2008年3月26日 申请日期2006年3月17日 优先权日2005年3月28日
发明者浅野悦子, 鹤目卓也 申请人:株式会社半导体能源研究所