专利名称：无需调零的半导体导电类型鉴别仪的制作方法
技术领域：
本实用新型属于测量装置，特别涉及一种无需调零的半 导体导电类型鉴别仪。
背景技术：
国内太阳能用单晶硅生产中单晶硅导电类型的测试基 本采用整流法和热电势法，热电势法是使用半导体受热会
产生热电动势进行检测的，信号为0.1mV以下。现有测试仪 器是将信号放大10000倍一OOOO倍进行导电类型鉴别的， 测量过程中易受外界电场干扰，需要很高要求的检测环境和 反复调整电路的零点，给测量准确度带来一定误差。 发明内容
本实用新型的目的是要解决现有技术存在的上述问题， 提供一种无需调零的半导体导电类型鉴别仪。
本实用新型的具体实施方案是它由依次相连的探针、 一级放大电路、有源滤波电路、隔离电路、二级放大电路 和N型P型判别指示电路组成，通过一级放大电路将输入 电压进行100-1000倍放大，通过二级放大电路将由隔离电 路输出的电压信号进行10-100倍放大。
本实用新型的优点是由于采用两级放大电路并在两级放大电路之间采用隔离电路进行隔离，克服了信号干扰 所产生的零点偏移现象，无需调零，直接测试就可以读出 测试结果，使测量更简单、更快速、更准确。
图l是本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
如图所示，本实用新型由依次相连的探针1、 一级放大
电路2、有源滤波电路3、隔离电路4、 二级放大电路5和N 型P型判别指示电路6组成，隔离电路4采用隔离模块，N 型P型判别指示电路6是由驱动模块Ul及嵌位二极管Dl、 D2，串接在正电源端Vcc与嵌位二极管Dl之间的限流电阻 Rl、插座J1及N型数码管、NPN型三极管Q1，串接在负 电源端Vss和嵌位二极管D2之间的限流电阻R2、插座J2 及P型数码管、PNP型三极管Q2组成。通过一级放大电路 将输入电压进行100-1000倍放大，通过二级放大电路将由 隔离电路输出的电压信号进行10-100倍放大。该半导体导电 类型鉴别仪还设有用于给各单元提供电源的电源电路7，
使用时，将探针l点到单晶硅片上，在热电势法测试中 获得O.lmV以下信号，经过一级放大电路2将输入电压信号 放大1000倍，经过有源滤波3输入到隔离电路4再经过二 级放大电路5的10倍放大输出给N型P型判别指示电路6， 实现导电类型的鉴别。
权利要求1、一种无需调零的半导体导电类型鉴别仪，其特征是由依次相连的探针、一级放大电路、有源滤波电路、隔离电路、二级放大电路和N型P型判别指示电路组成，通过一级放大电路将输入电压进行100-1000倍放大，通过二级放大电路将由隔离电路输出的电压信号进行10-100倍放大。
专利摘要一种无需调零的半导体导电类型鉴别仪，解决了测量过程中易受外界电场干扰，需要很高要求的检测环境和反复调整电路的零点，给测量准确度带来一定误差的问题。它由依次相连的探针、一级放大电路、有源滤波电路、隔离电路、二级放大电路和N型P型判别指示电路组成，通过一级放大电路将输入电压进行100-1000倍放大，通过二级放大电路将由隔离电路输出的电压信号进行10-100倍放大。优点是克服了信号干扰所产生的零点偏移现象，无需调零，直接测试就可以读出测试结果，使测量更简单、更快速、更准确。
文档编号G01R31/00GK201242578SQ20082021858
公开日2009年5月20日 申请日期2008年10月20日 优先权日2008年10月20日
发明者晶 刘 申请人:锦州阳光能源有限公司