专利名称：：导电组合物以及用于半导体装置制造中的方法
技术领域：
：本发明的实施方案涉及硅半导体装置，以及用于太阳能电池装置的正面上的导电银浆。发明
背景技术：
：常规的具有p型基板的太阳能电池结构具有通常位于电池的正面或光照面上的负极和位于背面上的正极。众所周知，在半导体的p-n结上入射的合适波长的辐射充当在该半导体中产生空穴_电子对的外部能源。由于在P-n结处存在电势差，因此空穴和电子以相反的方向跨过该结移动，从而产生能够向外部电路输送电力的电流。大部分太阳能电池为金属化的硅片形式，即，具有导电的金属触点。尽管存在用于形成太阳能电池的多种方法及组合物，但是仍然需要具有改善的电性能的组合物、结构和装置、以及制造方法。发明_既述本发明涉及厚膜导电组合物，所述厚膜导电组合物包括(a)导电银；(b)一种或多种玻璃料组合物，其中所述玻璃料组合物中的至少一种包含按总玻璃料的重量百分比计4-26重量％的5102、6-52重量％的财203以及5-29重量％的？&&;分散于(c)有机载体中。厚膜导电组合物可包括一种或多种含锌添加剂。含锌添加剂可包括ZnO。在一个实施方案中，厚膜导电组合物中的玻璃料可包括按总玻璃料组合物的重量百分比计18-26重量％的5102。厚膜导电组合物中的玻璃料可包括按总玻璃料组合物的重量百分比计20-52重量％&Pb0、0-l重量％的々1203、2-7重量％的Ti02、以及0-8重量％的B203。玻璃料组合物可包括按总玻璃料组合物的重量百分比计0-1重量％的彻0。玻璃料组合物可以不包括BaO。在另一个实施方案中，厚膜导电组合物可包括按总组合物的重量计2-8重量％的含锌添加剂、以及1-3重量％的玻璃料。另一个实施方案涉及由厚膜导电组合物形成的电极，所述组合物包括(a)导电银；(b)—种或多种玻璃料组合物，其中所述玻璃料中的至少一种包括氟；分散于(c)有机载体中；其中所述组合物已被加工以移除所述有机载体并烧结所述玻璃料和银粉。在一个实施方案中，所述组合物可包括含锌添加剂。玻璃料组合物可包括Si02。玻璃料组合物可包括按总玻璃组合物的重量百分比计5-36重量％的Si02、6-52重量％的Bi203和5_29重一个实施方案涉及结构，所述结构包括(a)组合物，所述组合物包括导电银；一种或多种玻璃料组合物，其中所述玻璃料中的至少一种包括氟；分散于有机载体中；(b)绝缘膜；和(c)半导体基板。在一个实施方案中，所述组合物可包括含锌添加剂。另一个实施方案涉及半导体装置，所述半导体装置包括(a)电极，其中所述电极包括银和氟；(b)绝缘膜；和(c)半导体基板。所述电极也可包括含锌添加剂。所述半导体装置可为太阳能电池。一个实施方案涉及制造半导体装置的方法，所述方法包括(a)提供承载结点的半导体基板；(b)将绝缘膜施加到所述半导体基板上；(c)将厚膜组合物施加到所述绝缘膜4上，其中所述厚膜组合物包括导电银；一种或多种玻璃料组合物，其中所述玻璃料中的至少一种包括氟；分散于有机载体中；以及(d)焙烧所述装置。另一个实施方案涉及厚膜导电组合物，所述厚膜导电组合物包括(a)导电银;(b)一种或多种玻璃料，其中所述玻璃料中的至少一种包括按总玻璃料组合物的重量百分比计5-15重量％的Si02、20-29重量％的PbF2、以及15-25%的ZnO；分散于(c)有机载体中。所述玻璃料组合物可包括按总玻璃料组合物的重量百分比计17-64重量％的？130、0-9重量％的六1203、以及0.1-2.5重量％的&02。一个实施方案涉及厚膜导电组合物，所述厚膜导电组合物包括(a)导电银；(b)一种或多种玻璃料，其中所述玻璃料中的至少一种包括按总玻璃料组合物的重量百分比计5-36重量％的Si02和0.50-5.3重量％的氟；分散于(c)有机载体中。所述组合物也可包括一种或多种含锌添加剂。另一个实施方案涉及厚膜导电组合物，所述厚膜导电组合物包括(a)导电银;(b)一种或多种玻璃料，其中所述玻璃料中的至少一种包括按总玻璃料组合物的重量百分比计4-26重量％的Si02、0-1重量％的BaO以及5_29重量％的PbF2；分散于(c)有机载体中。所述组合物也可包括一种或多种含锌添加剂。附图简述图1为示出半导体装置制造过程的工艺流程图。图1中所示的附图标号说明如下。10:p型硅基板20:n型扩散层30氮化硅膜、氧化钛膜或氧化硅膜40:p+层(背表面场，BSF)60背面上形成的铝浆61铝背电极(通过焙烧背面铝浆获得)70背面上形成的银浆或银/铝浆71银或银/铝背电极(通过焙烧背面银浆获得)500根据本发明在正面上形成的银浆501根据本发明的银正电极(通过焙烧正面银浆获得)图2描述了玻璃组合物对电池性能的影响。图3描述了电池效率对熔炉设定温度。图4描述了玻璃料的熔融条的水平膨胀。图5描述了用于模压玻璃粒料的热机械分析仪数据。图6描述了导体浆料的光伏电池效率。图7描述了本文实施例的温度_时间特征图。图8描述了整个焙烧温度范围内的归一化效率。图9描述了浆料B在单晶硅上的响应。图10描述了不同硅片上的浆料。图11描述了浆料在不同硅片上的填充因数。图12描述了浆料在不同硅片上的平均“Vos”。图13、14、15和16为接触电阻图。图17图示出了焊接粘附力。图18为比较浆料的显微照片。发明详述一种或多种厚膜导体组合物中的主要组分为分散于有机载体中的电功能银粉、含锌添加剂、以及玻璃料。附加的添加剂可包括金属、金属氧化物或任何在焙烧时可生成这些金属氧化物的化合物。本文下面开始讨论各个组分。A.无机组分本发明的无机组分包含(1)电功能银粉；(2)含锌添加剂；(3)玻璃料；以及任选地(4)附加的金属/金属氧化物添加剂，所述金属/金属氧化物添加剂选自(a)金属，其中所述金属选自锌、铋、铅、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬；(b)—种或多种金属的金属氧化物，所述金属选自锌、铋、铅、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬；(c)经过焙烧可生成(b)的金属氧化物的任何化合物；以及(d)它们的混合物。B.电功能银粉厚膜组合物可包括赋予组合物适当电功能性质的功能相。功能相可包括分散在有机载体中的电功能粉，所述有机载体充当用于形成组合物的功能相的载体。焙烧组合物以烧掉有机相、以活化无机粘结剂相、以及赋予电功能性质。组合物的功能相可以是涂覆的或未涂覆的导电银颗粒。在其中银颗粒被涂覆的一个实施方案中，它们至少部分地涂覆有表面活性剂。表面活性剂可选自但不限于硬脂酸、棕榈酸、硬脂酸盐、棕榈酸盐以及它们的混合物。可利用其他表面活性剂，包括月桂酸、棕榈酸、油酸、硬脂酸、癸酸、肉豆蔻酸以及亚油酸。抗衡离子可为但不限于氢离子、磷酸根离子、铵离子、钠离子、钾离子以及它们的混合物。银的粒度不受任何特定限制。在一个实施方案中，银的平均粒度可小于10微米；在另一个实施方案中，银的平均粒度可小于5微米。在一个实施方案中，银粉占总浆料组合物的70至85重量％；在该实施方案的一个方面，银粉可为组合物中固体(即，不包括有机载体)的85至99重量％。C.含锌添加剂本发明的含锌添加剂可选自(a)锌，(b)锌的金属氧化物，(C)经过焙烧可生成锌的金属氧化物的任何化合物，以及(d)它们的混合物。在一个实施方案中，含锌添加剂为ZnO，其中ZnO具有在10纳米至10微米范围内的平均粒度。在另一个实施方案中，ZnO具有40纳米至5微米的平均粒度。在另一个实施方案中，ZnO具有60纳米至3微米的平均粒度。在另一个实施方案中，含锌添加剂具有小于0.Ιμπι的平均粒度。具体地讲，含锌添加剂具有在7纳米至小于100纳米范围内的平均粒度。在另一个实施方案中，含锌添加剂具有在例如7nm至80nm、7nm至70nm、7nm至60nm、或者7nm至50nm范围内的平均粒度。在一个实施方案中，ZnO可以按总组合物的重量计2至10重量％的范围存在于组合物中。在一个实施方案中，ZnO以按总组合物的重量计2至8重量％、3至8重量％、4至8重量％的范围存在。在另一个实施方案中，ZnO以总组合物的5至7重量％范围内的含量存在。在另一个实施方案中，含锌添加剂(例如锌、树脂酸锌等)可以2至16重量％范围内的含量存在于总厚膜组合物中。在另一个实施方案中，含锌添加剂可以总组合物的4至12重量％范围内的含量存在。D.玻璃料本发明的示例性玻璃料组合物(玻璃组合物)列于下表I中。需要注意的是，列于表I中的组合物并非是限制性的，因为可以预料到，玻璃化学领域内的技术人员可用其他成分进行小幅度地替代而不会显著改变本发明玻璃组合物所需的性质。这样的话，玻璃生成体的替代物如P2050-5、Ge020-5、V2050_5(重量％)可单独或组合使用以实现类似性能。还可以用一种或多种中间氧化物，例如Ti02、Ta205、Nb205、Zr02,Ce02、Sn02来取代存在于本发明玻璃组合物中的其他中间氧化物(即，A1203、Ce02、Sn02)。由数据观察到包括PbF2作为玻璃组分组成本发明的关键方面。换句话讲，将作为氧的阴离子取代的氟添加到含铅玻璃化学中赋予PV电池性能特定的优点，并且可通过许多原料氟化物盐添加，如玻璃制造领域的技术人员可看到的。由氟取代提供的具体优点为随着加量的氟引入到玻璃组合物中，玻璃中的不混溶逐渐加剧。在许多情况下可高温产生两个液相，特征在于一个硅酸的更耐火玻璃相和一个软的玻璃相，其特征为一般包含氧化铅、氧化硼和氟化物盐。第二个优点是，当氟取代氧时，逐渐偏向较低的焙烧温度开始，如由玻璃的TMA测量所证实的。这种玻璃不混溶性的加剧可以动力学方式随时间有利地改变熔融玻璃的化学活性，所述时间由移除装置结构上的绝缘层所必需的最初熔合与反应条件至较少活性状态，同时提供配制的金属导体材料与玻璃的粘附力以影响对半导体基板的粘附力和电接触。随着软玻璃由小滴合并成较大滴，软玻璃相趋于被硅酸玻璃相包封，所得结果为玻璃中可能的性质改变，所述性质改变对用此类材料制成的太阳能电池的应用性能具有特定优点。电池效率及其他应用性能的热加工范围可在比用混溶玻璃或非晶玻璃制成的材料更宽的温度范围上延伸，所述混溶玻璃或非晶玻璃用于合适的半导体基板上的导体浆料配方中。可供选择的金属氟化物盐包括但不限于PbF2、BiF3、AlF3、NaF、LiF和/或ZnF2。以总玻璃组合物的重量百分数表示的玻璃组合物示于表I中。存在于实例中的玻璃组合物包含以下氧化物组分，所述氧化物组分按总玻璃组合物重量百分数计在以下组成范围内Si020-36、A12030-9、B2030-19,PbO16-84、CuO0-4、ZnO0-24,Bi2030-52,Zr020-8、Ti020-20、P2050-5、PbF23-34。该范围也可按总玻璃组合物的重量百分数计依据游离氟含量表示如下Si020-36、Al2030-9、B2030-19,PbO30-88、Cu00_4、ZnO0-24,Bi2030-52、Zr020-8、Ti020-20、P2050-5、氟0.50-5.3。在由包含氧化铋的那些玻璃组成的另一个实施方案中，玻璃料可包含按总玻璃组合物的重量百分数计Si024-26、A12030-l、B2030-8、Pb020-52、ZnO0-4、Bi2036-52、Ti022-7、PbF25-29、Na200_l、Li200-1。在由包含氧化锌的那些玻璃组成的另一个实施方案中，玻璃料可包含按总玻璃组合物的重量百分数计Si025-36、Al2030-9、B2030-19、Pb017_64、Bi2030-39、Ti020_6、P2050-5、PbF26-29；在该实施方案的一个方面，玻璃料可包括按总玻璃组合物的重量百分数计5-15重量％的3102。在该实施方案的一个方面，玻璃料可包括20-29重量％的PbF2。在一个实施方案中，包含氧化锌的玻璃料可包括15-25%的ZnO；在该实施方案的一个方面，包含氧化锌的玻璃料可包括按总玻璃料组合物的重量百分比计0-3重量％的&02；在另一个方面为0.1-2.5重量％的&02。在由包含氧化铜和/或碱性调节剂的那些玻璃组成的一个实施7方案中，玻璃料可包括按总玻璃组合物的重量百分数计Si0225-35、Al2030-4、B2033-19,PbO17-52、ZnO0-12、Bi2030-7、Ti020-5、PbF27-22,CuO0-3、Na200-4、Li200-1。用于组合物中的氟可来源于可用组合物的化合物如PbF2、BiF3、A1F3或具有合适计算的其他此类化合物以维持相同的目标组成。该计算等价的一个实例对于玻璃ID#22显示为Si0222.08、A12030.38、Pb056.44、B2037.49、Ti025.86、Bi2036.79,F1.66重量％，其中氟表示为元素氟及相关氧化物。本领域的技术人员可预期进行这些转换计算。表VII以依据具体的金属氟化物盐显示组合物中氟含量的方式略述了表I中相同的组成。在一个实施方案中，玻璃组合物可具有按玻璃组合物的重量百分比计介于40-90%之间的总Pb0、Bi203和PbF2。玻璃组合物可按玻璃组合物的重量百分比计由以下一般描述Si021-36,PbO17-83、B2031.5-19、PbF24-29及任选组分，所述任选组分包括A12030-8、Zr020-8,ZnO0-12,CuO0-4、Bi2030-35和Ti020-7。还有可能将组成范围描述为Si02、PbO、F和B203，任选地添加A1203、Zr02,ZnO、CuO、Bi203、Ti02,并且化合氟化物作为用于向组合物提供氟的来源化合物。在本发明的另一个实施方案中，玻璃料可依据游离氟以重量百分数一般性描述，如表VI中描述为:Si020-36、PbO30-90、B2030-19,ZnO0-24,CuO0-3、Bi2030-55、P2050-、碱性氧化物0-5、Al203+Ti02+Zr02的总和0_25、以及氟0.5-6重量％，其中碱性氧化物包括但不限于Li20、Na20、K20或Cs20，并且氟可作为氟化合物提供。在本发明的另一个实施方案中，玻璃料组合物包括具有少量添加的氟的中等二氧化硅含量，并且一般可被描述为包括按重量百分比计Si0210-30,PbO40_60、B2030_10、Bi2033-10、Al203+Ti02+&02的总禾口0.5-10、以及任选组分，所述任选组分包括但不限于Zn0、Cu0、P205、Cu0或碱性氧化物。本领域的技术人员将认识到，氟通常添加到两种不同类型的硅酸盐玻璃中1)在具有高二氧化硅含量的极硬玻璃中，添加氟以降低熔融温度至更易被常见的玻璃熔融设备触及的状态，或者2)在常用于密封用途的低温、低二氧化硅含量的玻璃中，其中氟被添加以降低软化点至低于300°C。此处所述的本发明为氟用于中等二氧化硅含量的玻璃中以实现加热期间的相不混溶并显示为在475°C至600°C的温度范围内阻止玻璃流动，如图5中所见。在一个实施方案中，玻璃料(玻璃组合物)的平均粒度可在0.5-1.5ym的范围内。在另一个实施方案中，平均粒度可在O.S-l^ym的范围内。在一个实施方案中，总组合物中玻璃料的量可在总组合物的0.5至4重量％的范围内。在一个实施方案中，玻璃组合物的含量可为总组合物的1至3重量％。在另一个实施方案中，玻璃组合物的含量可在总组合物的1.5至2.5重量％范围内。玻璃料组合物中的大量BaO可改变导电组合物的化学活性。此外，大量BaO可增加玻璃料的烧结开始。该性能可通过由DTA、差热分析或TMA、热力学分析进行的热表征测量。在一个实施方案中，玻璃料组合物不包括BaO。在另一个实施方案中，所述组合物可包括0-4重量％的BaO；在另一个方面，所述组合物可包括0.1-4重量％的BaO；在另一个方面，所述组合物可包括0-2.5重量％的BaO；并且在另一个方面，所述组合物可包括按总玻璃料组合物的重量百分比计0-1重量％的BaO。用于生产本文所述的玻璃料的一种示例性方法是使用常规的玻璃制备技术。首先对各种成分进行称量，然后按所需的比例进行混合，并且在熔炉中加热以便在钼合金坩埚中形成熔体。如本领域内的人员所熟知的，加热至峰值温度(800-1400°C)，并且加热一段时间使得熔融物完全变成液体且均勻。随后使熔融玻璃在反转的不锈钢辊之间骤冷以形成10-15密耳厚的玻璃片。随手研磨所得玻璃片以形成粉末，其50%的体积分配在其间设定为所需目标(例如，0.8-1.5微米)。玻璃料生产领域的技术人员可采用供选择的合成技术，例如但不限于水淬、溶胶_凝胶、喷雾热解、或其他适于制备玻璃粉形式的技术。在本发明的一个实施方案中，厚膜浆料(在本文也称作厚膜组合物或厚膜导电组合物)可包括与在炉中焙烧的玻璃料组合的含锌添加剂。在该焙烧过程期间，含锌添加剂可在温度高于玻璃化转变温度时与玻璃料组合至一定程度。在另一个实施方案中，该组合可有利于晶相形成。在另一个实施方案中，该晶相可包括诸如硅锌矿的硅酸锌，其由锌添加剂与玻璃料组合物中的ZnO和/或Si02组合产生。在粘稠玻璃中沉淀晶相的结果是这些组分由熔融玻璃中除尽。在另一个实施方案中，如果晶相包括玻璃生成体组分，例如Si02，则剩余的玻璃不含二氧化硅并会具有较低的玻璃化转变温度、粘度，并且对下面的基板或其他局部相更具腐蚀性。E.附加的金属/金属氧化物添加剂本发明的附加的金属/金属氧化物添加剂可选自(a)金属，其中所述金属选自锌、铋、铅、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜、镁和铬；(b)—种或多种金属的金属氧化物，所述金属选自锌、铋、铅、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜、镁和铬；(c)经过焙烧可生成(b)的金属氧化物的任何化合物；以及(d)它们的混合物。附加金属/金属氧化物添加剂的粒度不受任何特定限制。在一个实施方案中，附加金属/金属氧化物添加剂的平均粒度可小于10微米；在另一个实施方案中，平均粒度可小于5微米。在一个实施方案中，金属/金属氧化物添加剂的粒度可在7纳米(nm)至125nm的范围内。在一个实施方案中，金属/金属氧化物添加剂与ZnO在总组合物中的范围可在总组合物的0至8重量％的范围内。在一个实施方案中，金属/金属氧化物添加剂的含量可为总组合物的4至8重量％。在其中金属/金属氧化物添加剂与ZnO均存在于组合物中的一个实施方案中，金属/金属氧化物添加剂的含量可在总组合物的1至5重量％范围内，并且ZnO的含量可在总组合物的2至5重量％范围内。F.有机载体无机组分与有机载体通常通过机械混合以形成称为“浆料”的粘稠组合物，该组合物具有适用于印刷的稠度和流变学性质。有机载体可包括大范围的惰性粘稠材料。在一个实施方案中，有机载体可为无机组分可分散于其中并具有足够的稳定度的一种。在一个实施方案中，载体的流变学性能可赋予组合物良好的涂覆性能，所述流变学性能包括固体物质的稳定分散性、适合于丝网印刷的粘度和触变性、基板与浆料固体物质的合适的可润湿性、良好的干燥速率、以及良好的焙烧性能。在一个实施方案中，用于本发明厚膜组合物中的有机载体可为非水惰性液体。设想了使用多种有机载体，所述载体可包含或不含增稠剂、稳定剂和/或其他常用添加剂。有机载体可为一种或多种聚合物在一种或多种溶剂中的溶液。在一个实施方案中，有机载体也可包括一种或多种其他组分，例如表面活性剂。在一个实施方案中，聚合物可为乙基纤维素。其他示例性聚合物包括乙基羟乙基纤维素、木松香、乙基纤维素和酚醛树脂的混合物、低级醇的聚甲基丙烯酸酯、以及乙二醇单乙酸酯的单丁基醚、或它们的混合物。在一个实施方案中，用于本文所述的厚膜组合物中的溶剂包括醇酯和萜烯，例如a-或萜品醇或它们与其他溶剂的混合物，所述其他溶剂为例如煤油、邻苯二甲酸二丁酯、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、己二醇和高沸点醇以及醇酯。此外，有机载体可包括挥发性液体以促进涂覆到基板上之后快速硬化。在一个实施方案中，聚合物可以例如总组合物的8重量％至11重量％范围内的含量存在于有机载体中。可使用有机载体来将本发明的厚膜银组合物调整为预定的、能够进行丝网印刷的粘度。在一个实施方案中，厚膜组合物中的有机载体与分散体中的无机组分的比率可取决于涂覆浆料的方法及所用有机载体的种类，如本领域的技术人员所决定的。在一个实施方案中，分散体可包括70-95重量％的无机组分和5-30重量％的有机载体以便获得良好的润湿。制造半导体装置的方法描述因此，本发明提供了可用于制造半导体装置的新型组合物。半导体装置可通过以下方法由结构元件制造，所述结构元件包括承载结点的半导体基板和在其主表面上形成的绝缘膜。在一个实施方案中，绝缘膜可选自氮化硅、SiNx:H、氧化硅、氧化钛、氧化硅/氧化钛膜、二氧化钛、以及它们的混合物。制造半导体装置的方法包括以下步骤将能够穿透绝缘膜的本发明厚膜导电组合物以预定的形状并在预定位置施加(例如，通过涂覆和印刷)到绝缘膜上，然后进行焙烧以便使导电厚膜组合物熔融并且穿透绝缘膜，从而实现与硅基板的电接触。在一个实施方案中，厚膜导电组合物可包括银粉、含锌添加剂、具有300至600°C的软化点的玻璃或玻璃粉混合物、分散于有机载体中、以及任选的附加金属/金属氧化物添加剂。在一个实施方案中，所述组合物可包括按总组合物的重量计小于5%的玻璃粉以及与任选的附加金属/金属氧化物添加剂组合的含锌添加剂，所述金属/金属氧化物添加剂的含量按总组合物的重量计不超过6%。本发明还提供了由所述方法制造的半导体装置。本发明的特征还在于使用氮化硅膜或氧化硅膜作为绝缘膜。在一个实施方案中，氮化硅膜可通过等离子体化学气相沉积(CVD)、热化学气相沉积或物理气相沉积(PVD)方法形成。在一个实施方案中，氧化硅膜可通过热氧化、热CFD或等离子体CFD形成。半导体装置的制造方法的特征也可在于由结构元件制造半导体装置，所述结构元件包括承载结点的半导体基板以及在其一个主表面上形成的绝缘膜，其中绝缘层可选自氮化硅、SiNx:H、氧化硅、氧化钛、氧化硅/氧化钛膜、二氧化钛、以及它们的混合物，其方法包括以下步骤在绝缘膜上以预定形状并在预定位置形成金属浆料，所述浆料能够与绝缘膜反应并穿透该膜，从而与硅基板形成电接触。在一个实施方案中，氧化钛膜可通过将包含钛的有机液体材料涂覆到半导体基板上并进行焙烧来形成，或者通过热化学气相沉积来形成。氮化硅膜可通过PECVD(等离子体增强化学气相沉积)来形成。本发明还提供了由该方法制造的半导体装置。由本发明的导电厚膜组合物形成的电极可在会包括氧气与氮气的混合气体的气氛中进行焙烧。在一个实施方案中，该焙烧方法移除有机载体并烧结导电厚膜组合物中含有银粉的玻璃料。在一个实施方案中，电极包括导电银；一种或多种玻璃料组合物，其中所述玻璃料中的至少一种包括分散于有机载体中的氟；其中所述组合物已被加工以移除所述有机载体并烧结所述玻璃料和银粉。在一个实施方案中，半导体基板可为单晶硅或多晶硅。图1(a)示出了其中提供单晶硅基板或多晶硅基板的步骤，其中基板具有减少光反射的纹理化表面。在太阳能电池的情况中，基板通常使用通过拉伸或浇铸方法形成的铸锭切片。通过使用含水碱性溶液例如含水氢氧化钾或含水氢氧化钠，或者使用氢氟酸与硝酸的混合物蚀刻掉约10至20μm的基板表面，可移除工具(例如用于切片的线锯)导致的基板表面损坏和硅片切片步骤产生的污染。此外，可添加其中用盐酸与过氧化氢的混合物来洗涤基板的步骤以去除重金属，例如附着在基板表面上的铁。有时在此之后使用例如含水碱性溶液例如含水氢氧化钾或含水氢氧化钠来形成减反射的纹理化表面。这样就得到基板10。接下来参见图1(b)，当所用基板为ρ型基板时，则形成η型层以产生p-n结。用于形成此类η型层的方法可为使用三氯氧化磷(POCl3)的磷(P)扩散。在这种情况下，通过控制扩散的温度和时间可改变扩散层的深度，并且所形成的扩散层的深度一般在约0.3至0.5μπι的厚度范围内。以这种方式形成的η型层在此图中以附图标号20表示。接着，可以通过发明背景中描述的方法进行正面和背面上的P-n分离。当通过例如旋涂等方法将含磷的液体涂覆材料例如磷硅酸盐玻璃(PSG)施加到基板的仅一个表面上、并且通过在合适条件下进行退火而实现扩散时，这些步骤并非总是必要的。当然，如果也存在在基板的背面上形成η型层的风险，则可采用发明背景中详述的步骤增加完整度。不太常见的可供选择的装置设计将基板(底部)的极性反向至η型。ρ型扩散层利用合适的掺杂剂(例如硼)生长。接下来在图1(d)中，在上述η型扩散层20上形成充当减反射涂层的氮化硅膜或其他绝缘膜，所述绝缘膜包括SiNx:H(即，绝缘膜包括在随后的焙烧过程中起钝化作用的氢)膜、氧化钛膜和氧化硅膜30。该氮化硅膜30降低了太阳能电池对入射光的表面反射率，从而明显增大所产生的电流。氮化硅膜30的厚度取决于它的折射指数，但对于约1.9至2.0的折射指数而言，约700至900人的厚度是合适的。这种氮化硅膜可通过诸如低压化学气相沉积(CVD)、等离子体化学气相沉积、或溅射物理气相沉积(PVD)、或热化学气相沉积的方法形成。使用热化学气相沉积时，原料常常为二氯甲基硅烷(SiCl2H2)和氨(NH3)气，并且在至少700°C的温度下成膜。当使用热化学气相沉积时，由于原料气体在高温下热分解，因而氮化硅膜中基本上没有氢存在，这使得硅与氮之间的组成比率为Si3N4，基本上符合化学计量比。折射指数处于大约1.96至1.98的范围内。因此，这种类型的氮化硅膜是非常致密的膜。即使在下一步中经受热处理时，其特性例如厚度和折射指数也保持不变。当通过等离子体化学气相沉积成膜时，所用的原料气体一般为SiH4与NH3的气体混合物。原料气体被等离子体分解，并且在300至550°C的温度下成膜。由于使用此类等离子体化学气相沉积法可以在比热化学气相沉积低的温度下成膜，原料气体中的氢也存在于所得的氮化硅膜中。此外，由于通过等离子体实现气体分解，因此该方法的另一个显著特征是能够大幅改变硅与氮之间的组成比率。具体地讲，通过改变条件，例如原料气体的流量比率以及膜形成过程中的压力和温度，可以形成硅、氮与氢之间的组成比率不同并且折射指数在1.8至2.5的范围内的氮化硅膜。水合氮化硅膜也可通过基于等离子体的溅射物理气相沉积技术沉积同时在沉积期间将氢气引入到等离子体中。通过选择工艺气体、目标材料、对目标和/或基板的电偏压、背景压力和基板温度，利用溅射物理气相沉积可获得与利用等离子体增强化学气相沉积类似的对薄膜性能的控制。当在随后的步骤中对具有此类性能的薄膜进行热处理时，由于例如在电极焙烧步骤中消除了氢的影响，折射指数在薄膜的形成之前和之后可能会发生变化。在此类情况下，可以首先考虑由于随后步骤中的热处理将产生的膜质量变化，然后通过选择成膜条件来获得太阳能电池所需的氮化硅膜。在图1(d)中，可在η型扩散层20上形成氧化钛膜，代替氮化硅膜30充当减反射涂层。氧化钛膜通过将含钛的有机液体材料涂覆到η型扩散层20上并进行焙烧来形成，或者通过热化学气相沉积来形成。在图1(d)中，也可在η型扩散层20上形成氧化硅膜，其代替氮化硅膜30充当减反射层。氧化硅膜通过热氧化、热化学气相沉积或等离子体化学气相沉积来形成。接下来，通过类似于图10(e)和(f)中所示那些的步骤形成电极。换句话讲，如图1(e)所示，将铝浆60和背面银或银/铝浆70丝网印刷到如图1(e)所示的基板10的背面上并随后干燥。此外，采用与在基板10的背面上相同的方式将形成正电极的银浆500丝网印刷到氮化硅膜30上，随后在设定点温度范围通常为例如700至975°C的红外线加热炉中干燥和焙烧一分钟至十分钟以上的一段时间，同时使氧气与氮气的混合气体流穿过加热炉。如图1(f)所示，在焙烧过程中，铝作为杂质在背面上从铝浆扩散到硅基板10中，从而形成包含高浓度铝掺杂剂的P+层40。焙烧将干燥的铝浆60转变为铝背电极61。同时，将背面银浆或银/铝浆70焙烧成银背电极71。在焙烧期间，背面铝与背面银之间的边界呈现合金状态，从而实现电连接。铝电极占背电极的大部分区域，部分归因于需要形成P+层40。同时，由于不可能对铝电极进行焊接，因此在背面的有限区域上形成银或银/铝背电极，作为用于通过铜带或类似物互连太阳能电池的电极。在正面上，本发明的正电极银浆500包括银、玻璃料、有机载体、任选的含锌添加齐U、以及任选的无机添加剂，并且该浆料能够在焙烧期间发生反应并穿透氮化硅膜30，以实现与η型层20的电接触(烧透)。这种烧透状态，即焙烧正电极银浆501熔融并穿透氮化硅膜30的程度，取决于氮化硅膜30的质量和厚度、正电极银浆的组成，并且取决于焙烧条件。显然，太阳能电池的转换效率和耐湿可靠性在很大程度上取决于这种烧透状态。在反极性装置设计(η型基板/底部)中，本发明的正电极银浆与η型表面上的诸如氮化硅的任何钝化介电薄膜反应并穿透该膜以进行电接触。实施例本发明的厚膜组合物在本文描述于下表II至IV和VI中，其中性能数据示于图2至3和6中。浆料制备以及印刷半导体基板在测试电池中评价包含一定范围的玻璃料与银粉的高性能银浆。一般来讲，浆料制备按照以下程序完成称量适量的溶剂、有机载体和表面活性剂并在混合罐中混合15分钟，随后添加玻璃料和任选的金属添加剂并另外混合15分钟。由于银是本发明的固体中的主要成分，因此要逐步增量添加以确保较好的润湿。充分混合之后，用三辊研磨机反复碾压浆料，压力从0逐渐增加至400psi。辊的间隙调整为1密耳。用研磨细度(FOG)衡量分散程度。对导体而言，典型的FOG值一般等于或小于20/10。利用已知程序来丝网印刷导体浆料以在如本文所述的合适装置硅片的正面上形成合适的电极图案。正面导体的厚度可以其干层厚度在宽的范围内变化。在一个实施方案中，可印刷较厚的层以最小化电极电阻损失。在高印刷厚度实施方案的一个实例中，干燥浆料可在30-50微米的范围内，并且遵循焙烧方法使厚度尺寸减少30-50%。在高印刷厚度实施方案的一个非限制性实例中，焙烧过的电极厚度可在10-25微米的范围内。在低厚度范围的实施方案中，设想了18-30微米的干燥浆料厚度。经过焙烧后的厚度可减少例如30-50%。在低印刷厚度实施方案的一个非限制性实例中，焙烧过的电极厚度可在6-15微米的范围内。测试稈序_效率将根据上述方法制造的太阳能电池置于用来测量效率的商业IV测试仪(ST-1000)中。IV测试仪中的氙弧灯模拟具有已知强度的日光并辐射电池的正面。测试仪利用四点接触方法测量大约400载荷电阻设置下的电流(I)和电压(V)以确定电池的电流-电压曲线。填充因数(FF)和效率(Eff)均由电流-电压曲线计算。测试稈序-粘附力焙烧后，将焊料带(涂覆有96.5锡/3.5银的铜)焊接到印刷在电池正面的母线上。焊接回流通常在365°C下实现5秒钟。所用焊剂为非活性的Alpha-IOO或MF200。焊接面积为大约2mmX2mm。通过以与电池表面成90°的角度拉伸铜带以获得粘附强度。计算归一化粘附强度以相对300g的最小粘附值进行比较。效率数据表II中给出的玻璃料与ZnO的组成是以总厚膜组合物(浆料)的百分数给出的。该系列浆料的数据示于图2中，其中每个框对应5个电池/(工艺设置温度)。记录三个工艺温度下的数据900°C、920°C和940°C。测试表I中的玻璃21、玻璃22、玻璃25和玻璃31。示出了玻璃22中的四批浆料(22-1、22-2、22-3和22_4)。测试附加玻璃材料的光伏效率列于表V中。图3为表II中用于#22玻璃并指示为浆料22的所示配方的作图。用一般的商业对照组合物的数据绘制中值性能效率图。如可由曲线图中所看出，组合物显示出由切割单元测试得到的大于14.5%效率的较宽焙烧热范围。表VI提供了基于#11玻璃的一系列导体浆料样本的光伏能量效率的配方数据，变化的是ZnO添加剂与工艺温度条件825°C、850°C^n875°C。以16-24微米的未焙烧或“绿色”厚度来印刷导体浆料。图6示出了试验样本的光伏效率数据的框图。它们对于表VI配方列表中的第一和第二个配方表示为11-1和11-2。在该系列测试条件中，在825°C下进行的11-3样本显示出最高的能量效率。ZnO载荷与银含量的影响如上所述，测试ZnO载荷与银粉类型对中值效率％的影响，结果示于表IV中。表IV中的玻璃料％、ZnO%和银％为总组合物的重量百分数。玻璃材料的热膨胀测量作为玻璃不混溶的证据通过制备以下大致尺寸的玻璃棒测量玻璃12和玻璃22的热膨胀(AL/L)及热膨胀系数(CTE):1/8"X1/8"X2"，其由液压粉末制备，随后在625°C下熔融并在密闭炉中缓慢冷却。将样本插入到熔融二氧化硅水平膨胀仪(由AnterCorp.，Pittsburgh,PA制造，型号为1091)中并随后用该设备测量，所述设备先前已用兰宝石热膨胀二级标准校正。以3.5°C/min的加热速率加热样本并由数字计量器记录数据。图4示出了三种玻璃的热膨胀及热膨胀系数的曲线图。来自表1的玻璃12和22及具有类似组成但不含氟的玻璃A，所述玻璃A因此为用于比较基准的典型均勻玻璃。玻璃不混溶的效应在400至550°C温度范围所示的特性方面明显。_漏_辦口、流云M〒力，如誦脑騰縫(TMA)诵i寸謎_戸斤泖丨量BTMA与DTA通常用作玻璃粉流动性能的指标。两种测量均用于获得关于测试材料的转化状态的动力学信息。TMA通常测量玻璃及其他材料的粉末压块的尺寸变化。DTA测量相对于通常为氧化铝粉的均勻加热基准材料的样本中的热变化。对所选样本进行热机械分析(TMA)测量，所述测量利用TA装置Q400，在厚度为2.0至2.5mm的粉饼粒料上所用静力为0.05牛顿。以10°C/min的速率将样本由室温加热至其中粘性流控制变形行为的温度。通过其中粒料显示收缩开始的点估计玻璃化转变温度，即烧结开始温度，并且该温度与大约log(eta)12-13泊的玻璃粘度相符。在许多玻璃中，当其由粉末烧结过渡至粘性流时，据发现收缩速率显示出拐点。该拐点不是物理特性的精确测量，然而其通常将通过ASTM软化点(log(玻璃粘度)=7.6泊)的温度。其中玻璃流动开始控制粒料收缩的点的特征在于玻璃流动促使收缩变形的速率起伏较大。表1中的大多数玻璃表现出300°C至600°C的玻璃流动开始，如在图5中所看到的。由于本文所述的玻璃中的氟含量，玻璃流动的观察延迟并由观察到的TMA数据中的平台证明。如图5中所示，随着增加温度超过550°C，非氟化玻璃(玻璃A)表现出连续收缩或玻璃流动，而含有1.67重量％氟(表VII)的玻璃22在大于约525°C的温度下表现出不流动，并且具有两倍氟含量(来自表VI的3.33重量％的氟)的玻璃12在相同的温度范围内表现出较低的％收缩下的平台。图5中观察到的这些平台是产生刚性玻璃条件的玻璃不混溶的结果，因为较硬的硅酸相分离并包封较软的玻璃相同时阻止更富阳离子的较软玻璃相的流动。实验银1在多晶硅片禾Π单晶硅片上的i平价制备一系列的正面实验银浆并在多晶硅片和单晶硅片上评价，所述实验银浆表现出相对于商业银浆PV14X改善的电性能。执行过程实验与电测量的组合。应用若干种电测量方法I-V、SimsV0c、C0rescan、以及线性电阻。还要测量线尺寸及焊接粘合力。这些研究提供对各种浆料设计的洞察。材料选择制备包含一定范围的玻璃料和银粉的高性能银浆(参见表VIII)并在测试电池中评价。所有电池均具有相同的铝背表面场浆料，所述浆料在印刷、干燥并共烧银浆之前印刷并干燥在背部表面上。两类硅片用于所述评价中具有60Q/Sq.的发射器薄层电阻(Re)的165mm的纹理化多晶(多晶硅)和具有70Ω/sq.的Re的125mm的纹理化单晶(单晶硅)。MM利用具有23微米网丝直径的325目不锈钢筛网来印刷浆料。指状物开口为100微米，所得为124微米至136微米范围内的印刷指状物宽度。网丝上的乳液厚度为30微米。德在RTC6区红外线加热炉中共焙烧电池，所述加热炉在最后区域设定为5个不同的峰值温度。图7示出了对于5种焙烧条件测量的温度_时间特征图。所测峰值温度在700°C至760°C的范围内。该范围小于设定值范围40°C。这是峰值区域之前的区域中高设定值(800°C)的结果。两个热区的另一个重要效应为高温持续的增加。例如，对于835°C的设置，超过600°C和650°C的相应时间为5秒和3.5秒。这种高的热预算导致发射器在第三实验阶段对一些浆料的损害效应。MM电数据制备电池并在三个相继的试验阶段中测试[ST-1000;TeleCOmSTV]。表VIII列出了浆料、关键成分、以及每个阶段的相对电池效率。表VIII示出了在最佳条件(835或860°C设定值；720或730°C测量峰值)下烘焙的5个电池的平均数据。在所有阶段对软玻璃料进行跟踪，因为它们在前两个阶段表现出更一致的改善。浆料、阶段和硅片类型具有明显变型。一些浆料表现出比其他浆料更敏感。这证明了各自的适宜性和稳健性。电数据(Voc和SimsVoc)表明阶段3焙烧比阶段1和2温度更高。包含银2的浆料B对该变化反应最强。涵盖焙烧范围的每种条件的变型示于图8中。浆料A、B和C在单晶硅上的响应示于图9中。用SunsVoc测试仪[SintonConsulting]测量的浆料在两种电池类型上的Jo2示于图10中。图11示出了阶段3电池的平均填充因数。所有单晶电池和多晶硅上的浆料A和B在高温下的Voc降低(图12)是由Jo2显示的发射器和结点区损害的另一个负面影响。其还表明高Re的单晶硅片具有较浅的发射O阶段3的四种浆料的Jsc稍微不同，其中浆料B和PV14X稍微高于其他两种浆料(表IX)。这些数据表明浆料B和PV14X具有较少的遮蔽损失。线宽数据证实了这一点(参见表II)。接触电阻绘图通过最小化接触电阻(Re)同时避免结点损坏(低Jo2)实现了高性能。我们利用Corescan[得自SunLab]绘制各种电池的Rc(局部Isc的测量电压)。图13示出了多晶硅片上浆料A的接触电阻在焙烧范围内随增加温度的进程。用在最佳温度(860°C)下烘焙的浆料实现的改善示于图8和9中。在图14中，接触电阻不仅较低而且更均勻。在图15中，接触电阻更均勻地低。在通过类似于本文那些的浆料计算的80Ω/平方发射器的多晶硅电池上测量均勻低的接触电阻。(图16中的Gen3)。粘附力测量在用免清洗焊剂(MF-200)涂覆铜带并用维持在325°C的烙铁手工回流后测量62/36/2锡/铅/银涂覆的铜带的粘附力。在90°C下从电池拉伸铜带之前增强电池以得到力对距离的图表，由所述图表计算平均粘附力，单位为牛顿。图17(焊接粘附力)示出所有浆料均实现了平均粘附力超过2.5N的所需最小值(每种浆料8至10次拉伸)。线尺寸所有浆料印刷并焙烧至类似的指状物厚度，但浆料B例外，该浆料B获得了较高厚度和纵横比。浆料B和PV14X获得了与其较高的Jsc相关的较窄线宽。测量母线距母线的指状物R值。浆料A至C的较高相对R值表明它们具有较低的相对密度。扫描电子显微照片指状物尺寸、形状和密度示于比较浆料A与PV14X的图18中。由指状物R和横截面值计算的较低密度在这些照片中不明显。厚度与宽度的差值归因于沿指状物的预期变化。通过降低轻微掺杂电池的接触电阻实现了改善的电池效率，所述轻微掺杂电池具有60至80Q/sq.范围内的Re。具有不同的SiNx蚀刻活性的不同的浆料设计导致Rc和Jo2的变化。这些差值通过增加的热预算而增加。I按重量百分!腿i勺玻璃组名lMms%密度标号Si02A1333PbOZrCGE333CaOTrOOONa23Li33Rl303^35TiCGNaFPbF2g/cc123.对Z&117.313.5118.7111.611.7521.133,812a.m0.3821.487.4132.535.7910.61460332.513.7723.3510.7110.ce3,78433.941.9725.937.9517.9810.5320512663,805五ffi0.3628.637.07&415.5826.314&1621.730.3830.027.37&605.7628.05483714.616.4630.6314.6033.&461819.880.4033.231.7418.9325.81551946533.453,9651.48&457.451023.580.39:M.497.5917.C05.6211.S4681111.7927136.501.5119.963.4821.065631221.870.3836.577.42&735.8021.214811318.188.1137.9021.8213.9952214对.3138.593.C43,030.603.忑0.915.4810.794071514.820.3840.96591忍733.5957016对.995.0942873,36522R464041750244.292753,0738.41&457.3918五830.3744.437.13&475.SI10.214521923.920.3745.587.31&635.7210.474652D五400.4446.66a612674.11.664462114.876.5646.6614.8217.104477Z忍C60.3846.687.49&795.8610.72483232Z720.4048.037.700.530.48&9921411.03488溋2ZCfl0.3850.977.48&795.85&4548525323.1351.553,062572747.&1459262Z180.3951.817.52&835.895394822721.510.4351.897.556.519.0852130.6125555.021.832707.29463307.853.0160.680.7623119.775615.52319.501.4663.9413.(B3,009.04559321.100.56825510.80499&75331.10827011.33500&20对83.0811.91500&8535a8070.40⑴&353611.183.9673.061.Q110.763711.063.9262491.CB21.49玻璃101.46.58012.114玻璃111.46.58012.114.1玻璃121.46.58012.114.5-14.8玻璃131.46.58012.113.8玻璃141.46.58012.113.6玻璃151.46.58012.114.2玻璃181.46.58012.114.4玻璃191.46.58012.114.1玻璃202.15.88012.114.7玻璃221.46.58012.114.1-15.2玻璃232.15.88012.114.8玻璃241.46.58012.113.8玻璃272.15.88012.114.3玻璃281.46.58012.114玻璃301.46.58012.114.1玻璃341.46.58012.113.8表Vi用干图6^m^mmmmw^玻璃标号％玻璃料氧化锌%银(％)有机介质破璃112.54.079.713.8玻璃112.05.079.213.8JE皮璃112.04.579.713.8破璃112.03.580.713.8破璃116.0O80.213.8表VIIMmmmMM^^minmmn^m<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>「02221---------<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>表IX焙饶指状物尺寸(微米)<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>权利要求厚膜导电组合物，所述厚膜导电组合物包含a)导电银；b)一种或多种玻璃料组合物，其中所述玻璃料组合物中的至少一种包含按所述总玻璃料的重量百分比计4-26重量％的SiO2、6-52重量％的Bi2O3以及5-29重量％的PbF2；分散于c)有机载体。2.权利要求1的厚膜导电组合物，所述厚膜导电组合物还包含一种或多种含锌添加剂。3.权利要求1的厚膜导电组合物，其中所述玻璃料组合物中的至少一种包含按所述总玻璃料组合物的重量百分比计18-26重量％的Si02。4.权利要求1的厚膜导电组合物，其中所述玻璃料组合物中的至少一种还包含20-52重量％的Pb0、0-1重量％的Al203、2-7重量％的Ti02、以及0-8重量％的B203。5.权利要求1的厚膜导电组合物，其中所述玻璃料组合物中的至少一种，其中所述组合物包含0-1重量％的彻0。6.权利要求1的厚膜导电组合物，其中所述玻璃料组合物中的至少一种，其中所述组合物不包含BaO。7.权利要求2的厚膜导电组合物，其中所述含锌添加剂包含ZnO。8.权利要求2的厚膜导电组合物，其中所述组合物包含按所述总组合物的重量计2-8重量％的含锌添加剂、以及1-3重量％的玻璃料。9.由厚膜导电组合物形成的电极，所述电极包括a)导电银；b)一种或多种玻璃料组合物，其中所述玻璃料中的至少一种包含氟；分散于c)有机载体；其中所述组合物已被加工以移除所述有机载体并烧结所述玻璃料和银粉。10.权利要求9的电极，其中所述厚膜导电组合物还包括含锌添加剂。11.权利要求9的电极，其中所述玻璃料组合物中的至少一种包含Si02。12.权利要求9的电极，其中所述玻璃料组合物中的至少一种包含按所述总玻璃组合物的重量百分比计5-36重量％的Si02、6-52重量％的Bi203以及5_29重量％的PbF2。13.结构，所述结构包括(a)组合物，所述组合物包含a)导电银；b)一种或多种玻璃料组合物，其中所述玻璃料中的至少一种包含氟；分散于c)有机载体；(b)绝缘膜；以及(c)半导体基板。14.权利要求13的结构，其中所述组合物还包括含锌添加剂。15.半导体装置，所述半导体装置包括(a)电极，其中所述电极包含银和氟；(b)绝缘膜；以及(c)半导体基板。16.权利要求15的半导体装置，其中所述电极还包括含锌添加剂。17.权利要求15的半导体装置，其中所述装置为太阳能电池。18.制造半导体装置的方法，所述方法包括(a)提供承载结点的半导体基板；(b)将绝缘膜施加到所述半导体基板上；(c)将厚膜组合物施加到所述绝缘膜上，其中所述厚膜组合物包含a)导电银；b)一种或多种玻璃料组合物，其中所述玻璃料中的至少一种包含氟；分散于c)有机载体；以及(d)焙烧所述装置。19.厚膜导电组合物，所述厚膜导电组合物包含a)导电银；b)一种或多种玻璃料，其中所述玻璃料中的至少一种包含按所述总玻璃料组合物的重量百分比计5-15重量％的Si02、20-29重量％的PbF2、以及15-25%的ZnO；分散于c)有机载体。20.权利要求19的厚膜导电组合物，其中所述玻璃料中的至少一种包含按所述总玻璃料组合物的重量百分比计17-64重量％的？130、0-9重量％的々1203、以及0.1-2.5重量％的Zr02。21.厚膜导电组合物，所述厚膜导电组合物包含a)导电银；b)一种或多种玻璃料，其中所述玻璃料中的至少一种包含按总玻璃料组合物的重量百分比计5-36重量％的Si02和0.50-5.3重量％的氟；分散于c)有机载体。22.权利要求21的厚膜导电组合物，所述厚膜导电组合物还包含一种或多种含锌添加剂。23.厚膜导电组合物，所述厚膜导电组合物包含a)导电银；b)一种或多种玻璃料，其中所述玻璃料中的至少一种包含按总玻璃料组合物的重量百分比计4-26重量％的Si02、0-1重量％的BaO以及5_29重量％的PbF2；分散于c)有机载体。24.权利要求23的厚膜导电组合物，所述厚膜导电组合物还包含一种或多种含锌添加全文摘要本发明涉及厚膜导电组合物，所述厚膜导电组合物包含(a)导电银粉；(b)含氟玻璃料；分散于(c)有机载体中；以及由其制造的装置。文档编号H01B1/16GK101809678SQ200880109136公开日2010年8月18日申请日期2008年10月17日优先权日2007年10月18日发明者A·F·卡罗尔,B·J·劳克林,K·W·杭,Y·Y·王申请人:E.I.内穆尔杜邦公司