专利名称：有机发光器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于平板元件显示器等的有机发光器件。
背景技术：
有机发光器件作为可望减小厚度和功耗的自发光器件受到很多的关注。包含设置在显示部分中并在各像素中包含提供为开关元件的薄膜晶体管的有源 矩阵型有机发光器件的显示器可实现高清晰度、高质量显示，并由此被用于各种领域。控制 与各像素对应的薄膜晶体管的驱动电路被提供在设置像素的发光区域周围的周边区域中， 并且，除了驱动电路以外，在周边区域中形成诸如电源布线和信号布线等的布线。与各像素 连接的薄膜晶体管和设置在周边区域中的驱动电路是确定显示质量的重要因素。构成有机发光器件的有机EL元件包含第一电极、第二电极和层叠在两个电极之 间的诸如空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层的具有不同功能的多个有机化合物 层。有机EL元件存在水分和气体进入元件中导致亮度降低和驱动电压增加的问题。 因此，在有机发光器件中，为了防止大气水分和气体进入有机EL元件的有机化合物层，在 基板的提供有机EL元件的侧上设置密封层，并且，用密封剂密封基板和密封层的周边。即使可通过密封层和密封剂阻断大气水分和气体的进入，当构成有机发光器件的 构成部分包含水分和气体时，水分和气体在有机发光器件中进行扩散以使有机EL元件劣 化，由此降低亮度。特别地，在有源矩阵型有机发光器件中，提供包含有机感光绝缘膜的平坦化膜以 覆盖薄膜晶体管和驱动电路。通过减少因形成薄膜晶体管和驱动电路产生的台阶，设置用 于平坦化的平坦化膜，并且，在平坦化膜上形成有机EL元件。并且，在一些有机发光器件 中，为了使元件相互分离，在平坦化膜上形成包含有机绝缘膜的元件分离膜。构成平坦化膜 或元件分离膜的诸如有机绝缘膜的树脂膜容易透过水分和气体并且容易在其中吸附水分 和气体。因此，在这种类型的有机发光器件中，水分和气体容易残留在器件中，并且，残留的 水分和气体在树脂层中扩散并进入有机EL元件的有机化合物层，由此导致发光的劣化。在日本专利公开No. 2006-054111中公开的显示器件中，为了解决该问题，从围绕 发光区域的部分去除均由树脂构成的平坦化膜和元件分离膜，以形成使内部周边部分与外 部周边部分分离的分离沟槽。因此，存在于平坦化膜和元件分离膜的与外部周边部分对应 的部分中的水分不通过平坦化膜和元件分离膜进入平坦化膜和元件分离膜的与内部周边 部分对应的部分，由此防止由于显示区域中的水分导致的有机EL元件的劣化。在日本专利公开No. 2006-054111的配置中，可以抑制存在于与发光区域的周边 对应的平坦化膜和元件分离膜中的水分和气体通过平坦化膜和元件分离膜进入发光区域 内的平坦化膜和元件分离膜。但是，有机EL元件由于残留于发光区域内的平坦化膜和元件 分离膜内的水分和气体的影响而劣化，由此导致难以实现有机EL发光器件所需要的长期 可靠性。
作为锐意研究的结果，本发明的发明人发现，残留于设置在发光区域的周边中的 平坦化膜和元件分离膜中的水分和气体扩散到基板和密封层之间的空间(密封空间)中， 进入发光区域内的平坦化膜和元件分离膜，并且扩散到各像素中的有机化合物层。并且，当 由于密封剂的损伤而不能实现充分的密封时，大气水分和气体从外面进入基板和密封层之 间的空间，被平坦化膜和元件分离膜吸收，并且扩散到有机EL元件中，由此导致有机EL元 件的劣化。
发明内容
本发明提供具有优异的长期可靠性的发光器件，其中，残留于发光区域内的平坦 化膜和元件分离膜的水分和气体向有机EL元件中的进入减少，并且，从发光区域的外面的 水分和气体的进入也减少。本发明的有机发光器件具有基板，所述基板具有其中布置像素的发光区域和包 围发光区域的周边区域；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管被布置在基板的发光区域中；由树 脂构成的平坦化膜，所述平坦化膜使薄膜晶体管平坦化；元件分离膜，所述元件分离膜限定 在平坦化膜上形成的像素；和有机EL元件，所述有机EL元件至少包含在每个像素内的平坦 化膜上设置的第一电极、发光层、包含碱金属和碱土金属中的任一种的电荷传输层、以及第 二电极，其中，电荷传输层延伸到发光区域的外面，以覆盖平坦化膜的设置在周边区域中的 周边部分的侧表面，所述平坦化膜在发光区域中形成。
图1是示意性表示根据本发明的实施例的有机发光器件的例子的截面图。图2是示意性表示根据本发明的实施例的有机发光器件的例子的透视图。图3是示意性表示根据本发明的另一实施例的有机发光器件的例子的截面图。图4是示意性表示根据本发明的又一实施例的有机发光器件的例子的截面图。图5是示意性表示根据本发明的又一实施例的有机发光器件的例子的截面图。图6是示意性表示根据本发明的又一实施例的有机发光器件的例子的截面图。图7是示意性表示根据本发明的实施例的有机发光器件的比较例的截面图。
具体实施例方式以下参照图1 6描述本发明的实施例。这些图中的每一个示意性表示根据本发 明的有机发光器件的配置的例子的一部分。图1是根据本发明的有机发光器件的端部的示意性截面图。图2是根据本发明的 有机发光器件的透视图。图1是图2所示的发光区域A和设置在发光区域A周围的用作非 发光区域的周边区域B之间的边界部分的截面图。发光区域是布置多个限定的像素的区 域，该区域包含多个像素和夹在像素之间的区域。每一个像素是包含保持在电极之间的发 光层的部分。在图1所示的有机发光器件的发光区域A中，在基板1上依次层叠薄膜晶体管 (TFT) 2、无机绝缘膜3和平坦化膜4A，并且，在平坦化膜4A上形成单位像素的第一电极5。 每个像素的周边被元件分离膜8A覆盖。基板1由诸如玻璃或Si等的无机材料构成。平坦化膜4A使TFT 2平坦化，并且，元件分离膜8A限定像素，两个膜均由树脂构成。作为树脂， 可以使用丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂等。第一电极5通过在无机绝缘膜3和平坦化膜4A 中形成的接触孔与TFT 2连接。在基板1上的每个像素中形成的第一电极5上形成有机化 合物层6。有机化合物层6具有发光层和电荷传输层6'。电荷传输层6'可包含空穴注入 层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的一个，或者可包含这些层中的多个层。并且， 在有机化合物层6之上形成第二电极7。并且，设置密封玻璃9以覆盖整个发光区域A，并 且，密封玻璃9的周边通过粘接剂(未示出)与基板1接合。在周边区域B中，设置控制TFT 2的驱动的驱动电路1，并且，在驱动电路11上形 成平坦化膜4B和元件分离膜8B。平坦化膜4B和元件分离膜8B被分别与平坦化膜4A和元 件分离膜8A—体化形成，并然后从发光区域A周围的部分被部分地去除，以提供分割区域 C. BP,具有高的水分和气体含量的平坦化膜和元件分离膜在发光区域A和周边区域B之间 被分割。因此，防止残留于周边区域B中的平坦化膜4B和元件分离膜8B中的水分和气体 通过该平坦化膜和元件分离膜沿与基板平行的方向移动并被传送到发光区域A中的平坦 化膜4A和元件分离膜8A，由此减少有机EL元件的劣化。在这种情况下，元件分离膜8B被 与元件分离膜8A —体化形成，并然后与元件分离膜8A分离。因此，元件分离膜8B没有限 定像素的功能并且可被解释为平坦化膜4B的一部分。但是，为了方便，使用术语“元件分离 膜8B”。平坦化膜4A和平坦化膜4B可以独立地形成，以在形成时被分割区域C分离。类似 地，元件分离膜8A和元件分离膜8B可以分别在平坦化膜4A和平坦化膜4B上独立地形成。 并且，平坦化膜4B和元件分离膜8B可均不形成，或者，可以只形成两个膜中的一个。并且，在图1所示的配置中，每个像素中的电荷传输层6'被提供为延伸到发光区 域A的外面以覆盖平坦化膜4A的设置在周边区域B中的周边部分的侧表面，该平坦化膜4A 在发光区域A中形成。电荷传输层6'可形成为覆盖平坦化膜4A的周边的一部分或一边， 但也可以形成为覆盖整个周边。电荷传输层6'包含空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的一个 或这些层的组合。电荷传输层6'包含碱金属和碱土金属中的任一种。特别地，包含碱金属 和碱土金属中的至少一种的层是电子注入层，并且，电荷传输层6'至少包含电子注入层。碱金属包含Li、Na、K、Rb、Cs和Fr，并且碱土金属包含Be、Mg、Ca、Sr、Ba和I a。碱 金属和碱土金属具有高的离子化倾向，并由此具有与水分和气体的高反应性。因此，碱金属 和碱土金属与水分和气体化学键合以用作吸附剂。由此，残留于平坦化膜4A和元件分离膜 8A中的水分和气体被覆盖平坦化膜4A和元件分离膜8A的设置在周边区域B中的周边部分 的侧表面的电荷传输层6'吸附。即，设置在像素和发光区域A外面的电荷传输层6'的一 部分用作水分和气体的吸附剂。并且，在玻璃基板1和密封玻璃9之间的空间(密封空间)中，平坦化膜4A和元 件分离膜8A不被露出，由此，如果在密封空间中存在水分和气体，那么可以减少水分和气 体向平坦化膜4A和元件分离膜8A中的进入。另外，电荷传输层6'形成为不仅覆盖元件分离膜8A，而且覆盖平坦化膜4A。因 此，残留于平坦化膜4A和元件分离膜8A中的水分和气体在其中扩散并被电荷传输层6'有 效地吸附。下面，进一步详细描述本发明的配置。
本发明具有如下配置包含碱金属和碱土金属中的任一种的电荷传输层6'被提 供为延伸到发光区域A的外面以覆盖平坦化膜4A和元件分离膜8A的设置在周边区域B中 的周边部分的侧表面，平坦化膜4A和元件分离膜8A形成在发光区域A中。在本发明的配置中，只要碱金属和碱土金属对于水分和气体具有吸附性，那么它 们不被限制。但是，从电子传输能力和对于水分和气体的吸附性的观点看，可以使用Li、Na、 Cs、Mg、Ca、Sr和它们的化合物。在图1所示的实施例中，电荷传输层6'形成为跨分割区域C延伸并覆盖平坦化 膜4B和元件分离膜8B的设置在分割区域C中的部分的侧表面，平坦化膜4B和元件分离膜 8B形成在周边区域B中。在这种情况下，残留于平坦化膜4B和元件分离膜8B中的水分和 气体被电荷传输层6'吸附，由此减少从平坦化膜4B和元件分离膜8B释放到密封空间中的 水分和气体的量。并且，为了改善残留于平坦化膜4B和元件分离膜8B中的水分和气体的 吸附，可以增加被电荷传输层6'覆盖的平坦化膜4B和元件分离膜8B的面积。但是，在图 1中，在平坦化膜4B和元件分离膜8B之上形成电极布线10，用于向第二电极供给电势。因 此，为了电连接第二电极和电极布线，电荷传输层6'被形成为不被设置在电极布线10上。相反，在图3所示的另一实施例中，除了分割区域Cl以外，在关于分割区域Cl与 发光区域A相对的位置处设置分割区域C2。周边区域B中的平坦化膜4B和元件分离膜8B 被分割成覆盖驱动电路11的平坦化膜4B和元件分离膜8B以及其它的平坦化膜4B'和元 件分离膜8B'。并且，在分割区域C2中提供电极布线10，并且，电极布线10通过在无机绝 缘膜3中形成的接触孔与第二电极7电连接。在该配置中，可以在与形成TFT 2和驱动电 路11的步骤同时地形成电极布线10。在图4所示的另一实施例中，电极布线10被提供在分割区域C中，并且，第二电极 7在分割区域C中与电极布线10电连接。在这种情况下，电极布线10被提供在形成像素的 发光区域A的附近，由此可以抑制被供给到每个像素中的第二电极7的电势的降低。在该 配置中，同样，电荷传输层6'形成为延伸到发光区域A的外面以覆盖平坦化膜4A的设置在 周边区域B中的周边部分的侧表面。因此，本实施例具有本发明的优点。图5所示的另一实施例具有不在周边区域B中形成平坦化膜4B和元件分离膜8B 的配置。在该配置中，可以减少残留于发光器件中的水分和气体的量。虽然在图5所示的配 置中，电极布线10在发光器件中被设置在驱动电路11的外面，但是，电极布线10可被设置 在驱动电路11和发光区域A之间。在这种情况下，为了电连接第二电极7和电极布线10， 电荷传输层6'被形成为不被设置在电极布线10上。虽然在上述的实施例的配置中密封玻璃9被用作密封层，但是，只要密封层可防 止大气水分和气体进入发光器件，密封层不被特别限制。在图3所示的实施例的配置中，作 为密封玻璃9的替代，可以形成由例如硅氮化物或硅氧化物等的无机材料构成的无机密封 膜作为第二电极7上的密封层，并且，可通过粘接剂层接合偏光板。在该配置中，同样，电荷 传输层6'被形成为到延伸发光区域A的外面以覆盖平坦化膜4A的设置在周边区域B中的 周边部分的侧表面。因此，本实施例具有本发明的优点。在图1所示的实施例中，残留于平坦化膜4B和元件分离膜8B中的水分和气体通 过被提供为与平坦化膜4B和元件分离膜8B接触的电荷传输层6'被吸附。例如，当电荷传 输层6'包含Li时，通过化学键合吸附残留于平坦化膜4B和元件分离膜8B中的水分和气6体。但是，吸附的水分和气体和Li之间的化学键合可被破坏，并且，水分和气体可通过电荷 传输层6'或者电荷传输层6'和第二电极7之间的界面扩散到发光区域A内的各像素中 的有机EL元件中。在图6所示的实施例中，为了解决该问题，在分割区域C中沿分割区域C形成结构 13。电荷传输层6'被结构13分割并变得不连续，并且，结构13与第二电极7接触。另外， 可通过使用很少吸附水分和气体的无机材料形成该结构。在该配置中，能够防止水分和气体通过电荷传输层6'从周边区域B中的平坦化 膜4B和元件分离膜8B直接扩散到有机EL元件，由此实现进一步阻断水分和气体的效果。只要在形成电荷传输层6'和第二电极7的过程中满足结构13和第二电极7之间 的接触的条件，结构13的形状不被限制。结构13的侧壁的锥角为45度(角度)或更大， 特别是超过80度(角度)。例如，当通过具有高的直线性的蒸镀工艺形成构成电荷传输层6'的层时，构成电 荷传输层6'的有机材料很少向设置在分割区域C中的结构13的侧壁移动，由此，电荷传输 层6'不覆盖结构13的整个侧壁。随后，当通过溅射形成第二电极7时，第二电极7的材料 向结构的侧壁移动，并由此在结构13的整个侧壁上形成第二电极7，从而在结构13的侧壁 上连续地形成第二电极7。因此，电荷传输层6'在分割区域C内被结构13分割并变得不 连续。当通过使用导电材料形成结构13时，可以在结构13和第二电极7之间进行电连 接，并且，结构13可被用作第二电极7的电势布线。提供电势布线以补偿与当通过电极布 线10向像素供给电势时产生的电压降对应的电势。当结构13被用作电势布线时，结构13 优选由导电材料制成，并且更优选由具有低电阻的导电材料制成。例如，可以使用由Al、Mo、 Ag、Cu或它们的化合物构成的单层膜，或包含这些材料的叠层膜。并且，可以使用与用于形 成TFT 2的各层和第一电极5的材料相同的材料。可以在分割区域C中沿分割区域C形成结构13，但是，可以在发光区域A或周边区 域B中提供结构13，使得电荷传输层6 ‘沿图中的水平方向不连续。图6示出一个结构13，但是，在满足上述锥角的条件下，可以沿分割区域平行布置 两个结构。虽然在图6所示的配置中，电荷传输层6'被结构13分割，但是可通过形成无 机绝缘膜3使得不在要形成分割区域C的部分中形成无机绝缘膜3，使电荷传输层6 ‘不连 续。例子 1参照图2和图3描述本例子。在具有发光区域A和周边区域B的基板1的发光区域A中形成TFT 2，并且，在周 边区域B上形成用于控制TFT 2的驱动的驱动电路11。此时，与TFT 2的漏极布线的形成 同时地在周边区域B上形成电极布线10。并且，在TFT 2和驱动电路11上形成无机绝缘 膜3，以不使其覆盖电极布线10。然后，为了使通过形成TFT 2和驱动电路11产生的不平 整平坦化，在发光区域A中形成平坦化膜4A，并且，在周边区域B中形成平坦化膜4B以使其 通过分割区域C与平坦化膜4A分离并包围发光区域A。平坦化膜4A和平坦化膜4B由丙烯 酸树脂制成。另外，电极布线10不被平坦化膜4B覆盖。然后，为了进行第一电极5和TFT 2之间的电接触，在平坦化膜4A中形成接触孔，并且，在平坦化膜4A上形成第一电极5。然后，在平坦化膜4A上在第一电极5周围形成丙 烯酸元件分离膜8A，以限定像素。同时，在平坦化膜4B上形成丙烯酸元件分离膜8B，使得平 坦化膜4B和元件分离膜8B通过分割区域C与平坦化膜4A和元件分离膜8A分离以包围发 光区域A。虽然在本例子中平坦化膜4B和元件分离膜8B被形成为包围发光区域A，但是， 只要平坦化膜4B和元件分离膜8B被提供为至少覆盖驱动电路11，它们就不需要包围发光 区域A。并且，平坦化膜4B和元件分离膜8B中的任一个可被省略，或者，两个膜均可被省 略。作为第一电极5的材料，使用钨。并且，为了增加发光效率，可以在第一电极5上 层叠用于反射沿向基板1的方向发射的光使得从密封玻璃9侧取出光的反射层，和空穴注 入层。作为用于反射层的材料，可以使用例如为Ag合金或Al合金等的具有高反射率的材 料。在本例子中，使用Ag合金。只要考虑与空穴传输层的能级连接，空穴注入层不被特别 限制，并且，可以使用ITO或IZO等。在本例子中，使用ΙΤ0。平坦化膜4A和平坦化膜4B的厚度为2微米，并且，元件分离膜8A和元件分离膜 8B的厚度为1. 5微米。在元件分离膜8A中，用于限定像素的孔径的尺寸为30微米X 45微 米，并且，像素之间的宽度为15微米。另外，分割区域C的宽度为100微米，并且，在距分割 区域C的距离为350微米的位置处形成电极布线10。在像素中，通过蒸镀沉积FL03、DpyFL+sDTAB2、DFPHl和DFPHl+Cs2C03以形成包含 空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的有机化合物层6。并且，包含三个层即空穴 传输层(FL03)、电子传输层(DFPHl)和电子注入层(DFPHl+Cs2CO;3)的电荷传输层6'被形 成为跨分割区域C并从各像素的第一电极5延伸到元件分离膜8的顶部的一部分。电荷传 输层6'覆盖周边区域B中的元件分离膜8的顶部的150微米。不在电极布线10上设置电 荷传输层6'。然后，在各像素中的有机化合物层6、延伸到发光区域A的外面的电荷传输 层6'和电极布线10上，由IZO构成的第二电极7被沉积到0. 04微米的厚度，以在各像素 中形成有机EL元件。并且，上面设置干燥剂(未示出)的密封玻璃9被接合，使得密封玻璃9面向基板 1并被密封以形成图3所示的有机EL发光元件。在基板1被装入之后，在真空中执行直到 形成第二电极7的操作，并且然后在填充有氮气并被控制到-75度(摄氏)或更低的露点 的气氛中执行密封工作。将本例子的有机发光器件存放在被控制到80度(摄氏)的温度和25%或更低的 湿度的环境室中。以预定的时间的间隔执行发光显示，并且，以500倍的倍率用显微镜观察 发光区域A中的各像素的发光状态。在经过3000小时之后，确认劣化，其中，在发光区域A 的四个角处像素发光面积减少。在来自发光区域A的周边的6个或更少的像素中出现劣化。 在发光区域的其它部分中，观察不到发光的可见劣化，并且，显示的图像的质量保持在与温 度负荷之前的水平相当的水平。在本例子中，电荷传输层6'包含三个层，即空穴传输层、电子传输层和电子注入 层。但是，只要电荷传输层6'至少包含含有作为碱金属的Cs的电子注入层，就表现本发明 的效果。例子2参照图6描述本例子。
在本例子中，除了在周边区域B中形成的平坦化膜4B和元件分离膜8B上形成电 极布线并且在形成第一电极5时在分割区域C中形成结构13以外，制造与例子1相同的有 机发光器件。在形成元件分离膜8B之后并在通过蒸镀形成包含三个层即空穴传输层、电子 传输层和电子注入层的电荷传输层6'之前形成电极布线10。与第一电极5的形成同时地 在分割区域C中沿分割区域C形成结构13。结构13具有30微米的宽度和0. 25微米的高 度。电荷传输层6'的总厚度为0.11微米，并且，通过导致很少的偏离的蒸镀工艺形成电荷 传输层6'的每个层。因此，电荷传输层6'在分割区域C内被结构13分割。并且，通过溅 射工艺在有机化合物层6和电荷传输层6'上沉积第二电极7。由于溅射工艺导致绕回，因 此在结构13的侧表面上形成第二电极7，由此第二电极7不被结构13分割并且不是不连续 的。将本例子的有机发光器件存放在被控制到80度(摄氏)的温度和25%或更低的 湿度的环境室中。以预定的时间的间隔执行发光显示，并且，以500倍的倍率用显微镜观察 发光区域A中的每个像素的发光状态。在经过3000小时之后，确认劣化，其中，在发光区域 A的四个角处像素发光面积减少。在来自发光区域A的周边的2个或更少的像素中出现劣 化。在发光区域的其它部分中，观察不到发光的可见劣化，并且，显示的图像的质量保持在 与温度负荷之前的水平相当的水平。比较例1参照图7描述本例子。在本比较例中，除了不形成分割区域Cl (图3)、仅形成分割区域C2并且电荷传输 层6 ‘不覆盖平坦化膜4A的被设置在周边区域B中的周边部分的侧表面，平坦化膜4A形成 在发光区域A中以外，制造与例子1相同的有机发光器件。将本比较例的有机发光器件存放在被控制到80度(摄氏)的温度和25%或更低 的湿度的环境室内。以预定的时间的间隔执行发光显示，并且，以500倍的倍率用显微镜观 察发光区域A中的每个像素的发光状态。在经过800小时之后，确认劣化，其中，在发光区 域A的四个角处像素发光面积减少。在来自发光区域A的周边的6个或更少的像素中出现 劣化。作为进一步评价的结果，在经过3000小时之后，在发光区域A的四个角处在来自发 光区域A的4个或更少的像素中观察到不能发光的像素，并且，在一部分中，在来自发光区 域A的周边的35个像素中出现像素发光面积减小的劣化。在发光区域的其它部分中，观察 不到发光的可见劣化，但是，当视觉观察显示的图像时，在发光区域A的角处观察到发光的 劣化。在本发明的有机发光器件中，残留于设置在发光区域中的平坦化膜和元件分离膜 中的水分和气体被包含碱金属和碱土金属中的任一种的电荷传输层吸附，由此减少扩散到 每个像素中的有机EL元件中的水分和气体的量。并且，设置在每个像素中的电荷传输层延 伸以覆盖平坦化膜的设置在周边区域中的周边部分的侧表面，从而避免发光区域中的平坦 化膜和元件分离膜暴露于密封空间。因此，即使在密封空间中存在水分和气体，也可减少水 分和气体向平坦化膜和元件分离膜中的进入。另外，平坦化膜和元件分离膜被电荷传输层 覆盖，残留于平坦化膜和元件分离膜中的水分和气体可有效地被电荷传输层吸附。作为结 果，可以提供具有优异的长期可靠性的有机发光器件。虽然已参照示例性实施例说明了本发明，但应理解，本发明不限于公开的示例性实施例。以下的权利要求的范围应被赋予最宽的解释以包含所有的变更方式以及等同的结 构和功能。 本申请要求在2008年6月9日提交的日本专利申请No. 2008-150489的权益，在 此引入其全部内容作为参考。附图标记的解释1基板2薄膜晶体管(TFT)3无机绝缘膜4A.4B.4B'平坦化膜5第一电极6有机化合物层6'电荷传输层7第二电极8A.8B.8B'元件分离膜9密封玻璃10电极布线11驱动电路12电源和信号供给焊盘13结构A发光区域B周边区域C、C1、C2分割区域
权利要求
1.一种有机发光器件，包括基板，所述基板具有其中布置像素的发光区域和包围发光区域的周边区域； 薄膜晶体管，所述薄膜晶体管被布置在基板的发光区域中； 平坦化膜，所述平坦化膜由树脂构成并使薄膜晶体管平坦化； 元件分离膜，所述元件分离膜限定在平坦化膜上形成的像素；和 有机EL元件，所述有机EL元件至少包含在每个像素内的平坦化膜上设置的第一电极、 发光层、包含碱金属和碱土金属中的任一种的电荷传输层、以及第二电极，其中，电荷传输层延伸到发光区域的外面，以覆盖平坦化膜的设置在周边区域中的周 边部分的侧表面，所述平坦化膜形成在发光区域中。
2.根据权利要求1的有机发光器件，其中，电荷传输层与元件分离膜和/或平坦化膜接触。
3.根据权利要求1的有机发光器件，其中，驱动电路被设置在基板的周边区域中以便 控制薄膜晶体管的驱动，平坦化膜被形成在驱动电路上，并且，平坦化膜被在周边区域中提 供的分割区域分割。
4.根据权利要求3的有机发光器件，其中，电荷传输层延伸到周边区域以覆盖基板的 分割区域和驱动电路上的平坦化膜的侧表面，所述侧表面被设置在分割区域中。
5.根据权利要求4的有机发光器件，其中，通过在基板的分割区域内沿分割区域形成 的结构，电荷传输层在分割区域中不连续。
6.根据权利要求5的有机发光器件，其中，所述结构由导电材料构成并与第二电极电 连接。
全文摘要
本发明涉及能够抑制发光区域的角处的有机EL元件的劣化的有机发光器件。有机发光器件包含使布置在布置像素的发光区域中的薄膜晶体管平坦化的平坦化膜；限定在平坦化膜上形成的像素的元件分离膜；和在各像素中的平坦化膜上形成的电荷传输层。电荷传输层包含碱金属和碱土金属中的任一种，并延伸到发光区域的外面以覆盖平坦化膜的被设置在周边区域中的周边部分的侧表面，该平坦化膜在发光区域中形成。
文档编号H05B33/12GK102057513SQ20098012103
公开日2011年5月11日 申请日期2009年6月4日 优先权日2008年6月9日
发明者山﨑拓郎, 永山耕平 申请人:佳能株式会社