专利名称：有机发光器件的制作方法
有机发光器件有机半导体被用于生产简单的电子组件，例如电阻器、二极管、场效应晶体管以及光电子组件如有机发光器件(例如OLED (有机发光二极管))等。有机半导体及其器件的工业和经济重要性反映在使用有机半导体活性层的器件在数量上的增加，以及越来越多的工业焦点集中到这个主题上。有机半导体器件由层制成；这样的有机半导体层主要包含结合的有机化合物，所述有机化合物可以是小分子例如单体，或者低聚物、多聚物、共聚物、结合和未结合嵌段的共聚物、完全或部分交联的层、聚集体结构、或刷状结构。在不同的层中用不同类型的化合物制成的或者用混合在一起的不同类型的化合物制成的器件，例如具有聚合物和小分子层的器件，也被称作聚合物-小分子混合型器件。因为在制作小分子OLED中涉及的沉积技术使得能够制作多层结构，所以OLED优先由小分子制成。自从198 7年以来，世界范围内的研究团队和工业组织付出很大的努力来改善0LED、特别是小分子OLED的性能。最初的探索之一是寻找合适的由小分子制成的有机半导·体材料，所述小分子能够形成均匀的层。现今，工业用途的载荷子传输材料至少在85° C的温度以下是形态稳定的，典型材料的玻璃化转变温度高于100° C。同时，所述材料需要满足其它一系列要求，例如在可见光谱内的高透明度和良好的电荷传输能力。大多数性能良好的电子或空穴传输材料都是相对高成本的材料，这主要是因为它们复杂的合成路线，因而这提出了一个待解决的问题。另一个待解决的问题是提高用于照明的OLED的外耦合(outcoupling)效率。典型有机发光二极管的缺点在于所产生的光仅有约25%从器件中发射出来。约50%的光作为内部模式保留在位于反射电极和半透明电极之间的有机层布置中。还有20%由于在基底中的全反射而损失。这样的原因是因为OLED内的光是在折射率为约I. 6至I. 8的光学介质中形成的。如果所述光此刻照射到折射率较低的光学介质例如OLED堆叠内的另一个层、OLED形成于其上的基底或者电极中的一个上，那么如果入射角超过一定数值的话，就会发生全反射。为了改善外耦合，使用了几种不同的技术，例如在如US2010/0224313A1中所描述的微透镜阵列。然而这样的技术需要进一步的发展，因为光提取效率还离100%很远。因此，对于白色OLED在照明技术中的应用而言，需要使用可以进一步在制作工艺中以不高的成本引入的合适的外耦合方法。据推测，对于照明应用而言，每Icm2的OLED面积必须仅花费几分钱，才能使得它的应用在经济上是合理的。但这意味着完全只能考虑用特别不昂贵的方法来提高光外耦合。现今，借助于在真空中的热蒸发等来加工基于所谓的小分子(SM)的0LED。通常，OLED由全部单独热气相沉积的二至二十层构成。如果现在仅通过又一层单独的热气相沉积层就可以显著改善所述外耦合，那么关于外耦合方法成本的条件在任何情况下都将得到满足。这同样适用于SM-聚合物混合型0LED。此外，对于OLED作为照明元件的应用而言，需要使所述器件具有大面积。例如，如果OLED以lOOOcd/m2的亮度运转，则需要在几平方米范围内的面积来照亮办公空间
发明内容
本发明将解决这样的问题，即在维持简单的器件结构和简单的制造方法的同时，提供具有改善的外耦合效率的0LED。本发明的又一目的是提供现有技术状态的电子传输材料的替代物，以及采用该替代物的0LED。所述替代物是合成更简单、因此成本更低的材料，同时，所述替代物在用于OLED时提供了更高的性能。本发明的目的还在于提供在OLED堆叠中被用作电子传输材料(ETM)、用作掺杂的电子传输材料和/或用作光散射材料的低成本材料。可选地或者另外，所述材料可以被用在OLED堆叠的外部(在这种情况下，与电极中的一个相邻但不在两个电极之间)作为光的外耦合材料例如散射材料。该目的通过权利要求I或12的有机发光器件来实现。优选实施方式被公开在从属权利要求中。在最优选的实施方式中，与具有空穴传输层的器件相比，优选具有电子传输层的 有机发光器件。通过寻找最优的低成本传输材料ETM，发现式(I)化合物具有非常特殊的热性质，意思是它们没有可测量的玻璃化转变温度(Tg)并且它们形成非常粗糙的结晶层。通过进行OLED实验，惊奇地发现，出乎所有预料，所述OLED具有非常好的性能。进一步的分析显示，式(I)化合物形成非常粗糙的层这一事实确实提高了 OLED的性能，而不是使其性能恶化并破坏0LED。这强烈有悖于常规所认为的材料必须具有高Tg。根据本发明的第二目的，提供具有改善的光外耦合的底部发射器件，可以成本有效地生产所述器件，并且所述器件适合于大规模生产过程。根据本发明的也是一种底部发射有机器件，特别是在基底上包含堆叠的层布置的有机发光二极管，所述堆叠的层布置包含-底部电极，其为光学透明的，-顶部电极，其是反射式的，-层状结构，其由至少一个有机发光层形成，所述有机发光层在底部电极和顶部电极之间并与其电接触，以及-粗化有机层(rougheningorganic layer),其由自结晶有机材料构成,并且形成在与顶部电极邻接的层状结构中并使朝向层状结构一侧的顶部电极的电极表面粗糙化。根据本发明的另一目的，本发明涉及0LED，所述OLED在基底上包含堆叠的层布置，所述堆叠的层布置包含-底部电极；-顶部电极；-层状结构，其包含至少一个发光层，所述发光层在底部电极和顶部电极之间且被形成为与所述底部电极和顶部电极电接触，以及-粗化有机层，其由自结晶有机材料形成，并且起到向朝向层状结构的顶部电极表面提供表面粗糙度的模板的作用。根据本发明的又一目的，本发明涉及有机半导体层布置，所述有机半导体层布置包含-第一电子传输层；-粗化有机层,其也能传输电子且与第一电子传输层相邻；
-第二电子传输层，所述有机半导体层布置可以被应用于本发明中公开的任何层状结构。优选情况下，粗化有机层包含式(I)化合物。根据本发明，粗化层应被理解为是散射层，所述散射层起到沉积在顶部的层的模板的作用。相反，顶部散射层，即在电极外部的在顶部的散射层，不能被认为是粗化层，因为在它上面没有其它层。发明详述本发明优选的有机发光器件在优选情况下包含层状结构，其还包括基底、底部电极和顶部电极等，其中底部电极比顶部电极更接近于基底，其中在底部电极和顶部电极之间的区域限定了电子有源区；以及至少一个在电子有源区中的发光层，所述有机发光器件 包含具有以下特性的散射化合物-低于40°C的玻璃化转变温度，优选的是Tg〈RT (300K)，实际上，它们在高于室温的温度下不提供任何可测量的玻璃化转变温度或者根本没有Tg ；-高透明度，也被定义为对所有可见光具有低消光系数(小于O.I)；-无明显的颜色；-H0M0-LUM0 能隙为至少 3eV ；-优选情况下，材料在可见区是透明的(光学能隙>3eV)；-LUMO在2. O和4. OeV之间，这对于OLED中所使用的ETM来说是典型的，或者HOMO在4. 5和6. OeV之间，这对于HTM来说是典型的；-不形成无定形层(例如通过使用VTE或0VPD)，更优选的是不可测量的Tg，即材料在常规测量下根本不提供Tg。-分子量大于200g/mol且小于400g/mol(〈200g/mol的化合物挥发性太高,MOOg/mo I的化合物不能充分结晶)。-包含3个芳香族单元的化合物，所述芳香族单元彼此没有稠合，使得3个单元中的任一个能够独立旋转。散射层在本发明的一种优选实施方式中，有机发光器件在电子有源区外部包含式(I)化合物(意思是，它没有被用作ETL)。在该实施方式中，所述化合物优先被用在散射层中以提供混合物和/或改善光的外耦合。在一种实施方式中，该散射层由式(I)化合物构成。在本文中，“散射层”指的是包含式(I)化合物的层。在另一种优选实施方式中，OLED在透明的顶部电极上具有散射层，具有透明的顶部电极的OLED被称作顶部发射0LED。所述散射层在背朝基底的一侧上，即，所述散射层不在顶部和底部电极之间。在例如W02005106987、EP1739765中描述了顶部发射0LED。在一种优选实施方式中，散射层与顶部电极直接接触。在另一种实施方式中，散射层是堆叠的最后一层，直到比底部电极更接近于顶部电极。在该实施方式中，可以在顶部电极和散射层之间形成另一功能层，例如折射率匹配层或者薄膜包封。在本文中使用时，“堆叠”指的是固体层的整体式堆叠，在堆叠之间没有气体或液体层。在另一种实施方式中，在底部发射OLED中，式(I)化合物被用在基底和底部电极之间的层中。该层改善从电子有源区进入基底的光外耦合，提高OLED的总效率。优选的是，散射层具有与可见光的波长大小相近的标称(或平均)厚度，优选的是IOOnm和I μ m之间的厚度。在该厚度范围内，可以以闻效率将光从所述器件的有机层、从电极或者从基底内耦合(in-coup I e )进入散射层并外耦合。散射层的厚度是标称厚度，这样的厚度通常是依据材料的密度从沉积在一定面积上的质量计算得到的。例如，对于真空热蒸发VTE而言，标称厚度是由厚度监测设备显示的数值。在现实中，由于所述层至少在一个界面处不均匀且不平坦，因此难以测量其最终厚度，在这种情况下，可以使用平均值。电子传输层根据本发明，散射化合物被用在OLED的顶部和底部电极之间所形成的半导体层中。在优选实施方式中，OLED的电子有源区包含式(I)化合物。进一步优选的是，所述化合物被用在电子有源区中，但不用在发光层中。·发光层是其中形成了参与光发射的激子和/或激子在其中与发射光再结合的层。在例如EP1508176、US2008203406、EP1705727、US6693296中描述了可能的发光层。例如在EP1804308.EP1804309中描述了 OLED中不同的可能的发光层布置。在具体情况下，载荷子注入与载荷子传输高度平衡，并且OLED可由单层制成，EP1713136，在这种情况下，发光层不需要具有清晰的界面，包含参与光发射的激子的区域是发光层。 在一种优选实施方式中，有机发光器件在至少一个发光层和顶部电极之间的层中包含散射化合物。优先情况下，该顶部电极是阴极。在OLED具有发光层的堆叠的情况下，优选的是，散射化合物被包含在阴极和发光层之间，所述发光层是离阴极最近的发光层。所述OLED可以是顶部发射OLED或底部发射0LED，但其优先为底部发射0LED。据发现，通过使用散射化合物对底部发射OLED的效率的提高比对顶部发射OLED的高。尽管对不同类型的电极都发现了效率的提高，但优选的是，阴极为金属层，在这种情况下，所述改善高于应用透明的传导性氧化物(TCO)的情况。在另一种任选的实施方式中，有机发光器件在至少一个发光层和底部电极之间所形成的层中包含散射化合物。优先情况下，该OLED为反转的0LED，底部电极是阴极。对于散射化合物在OLED的电子有源区中的应用而言，优选的是，标称层厚度小于50nm，甚至更优选小于10nm。如果包含散射化合物的层起到模板的作用，据发现，当粗化层被提供在第一电子传输层和第二电子传输层之间，并且其中粗化层的厚度大于或等于3nm且小于或等于30nm，优选在5nm和15nm之间时，获得了最佳的器件性能。这同样适用于传输空穴的散射化合物，在这种情况下，优选的是，粗化层被提供在第一空穴传输层和第二空穴传输层之间，并具有与上述相同的层厚度。对于散射化合物在OLED的电子有源区中的应用而言，优选的是，所述OLED包含电掺杂的传输层。对于散射化合物在OLED的电子有源区中的应用而言，优选的是，在ETM的情况下，将散射化合物用η型掺杂剂电掺杂，在HTM的情况下，则用P型掺杂剂电掺杂。替代上述实施方式或者除了上述实施方式以外，优选情况下，包含散射化合物的层与顶部掺杂的传输和/或注入层相邻。“顶部”指的是它比包含散射化合物的层离基底远。粗化层包含电子传输材料作为其主要成分(主要成分也称作“基质材料”)。粗化材料也是散射材料，因此粗化层也是散射层。第一或第二电子传输层独立选自空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)、η型电掺杂的电子传输层(η: ETL)，其中这些层HBL、ETL, n: ETL中的任一个都可被用作电子注入层。粗化层还可以包含η型掺杂剂，所述η型掺杂剂能够对基质材料进行η型电掺杂。例如，可以将粗化层提供在下面的层配置中，所述层配置是层布置的一部分HBL/粗化层/n:ETL,其中第一传输层(HBL)和第二传输层(n:ETL)包含相同或不同的基质材料。其中“/”表示触及式接触(touching contact),即，其间没有其它层。第一或第二空穴传输层独立选自电子阻挡层(EBL)、空穴传输层(HTL)、η型电掺 杂的空穴传输层(P: HTL)，其中这些层EBL、HTL、P: HTL中的任一个都可被用作空穴注入层。例如，可以将粗化层提供在下面的层配置中，所述层配置是层布置的一部分EBL/粗化层/p:HTL,其中第一传输层(EBL)和第二传输层(P:HTL)包含相同或不同的基质材料。粗化层还可以包含P型掺杂剂，所述P型掺杂剂能够对基质材料进行P型电掺杂。粗化层还可以包含η型掺杂剂，所述η型掺杂剂能够η型电掺杂。还发现，在粗化层和第一及第二传输层之间特定的能级排列有利于利于最高的效率。在粗化层是传输电子的(其包含电子传输材料作为其基质材料)情况下，优选的是，第一传输层和粗化层之间的LUMO能级差以及第二传输层和粗化层之间的LUMO能级差小于O. 3eV，优选小于O. IeV (均为绝对值)。在粗化层是传输空穴的(其包含空穴传输材料作为其基质材料)情况下，优选的是，第一传输层和粗化层之间的HOMO能级差以及第二传输层和粗化层之间的HOMO能级差小于O. 3eV，优选小于O. IeV (均为绝对值)。粗化层是传输电子的(其包含电子传输材料作为其基质材料)，优选的是，第一传输层和粗化层之间的LUMO能级差以及第二传输层和粗化层之间的LUMO能级差。优选的是，粗化有机层在蒸发期间结晶。或者，在沉积粗化有机层之后，并在沉积下一层之前，采用回火步骤。“结晶”的性质应被理解为是非常粗糙的层。优选的RMS粗糙度在层厚度和3倍层厚度的大小之间。在20 μ m的线性路径上测量所述粗糙度。一些单独的簇可以以约IOOnm至约Iym的尺寸形成。优选式(I)的材料。OLEDOLED是基于电致发光的原理，其中电子-空穴对，即所谓的激子，在光的发射下再结合。为此目的，OLED被构造为三明治结构的形式，其中在两个电极之间布置至少一层有机膜作为活性材料，正和负载荷子被注入到有机材料中，并发生了从空穴或电子到有机层中的再结合区域(发光层)的电荷传输，在所述有机层中，在光的发射下发生了载荷子到单线态和/或三线态激子的再结合。激子的随后的辐射再结合造成了光的发射。至少一个电极必须是透明的，使得光能够离开该组件。通常，透明电极由被称为TCO (透明的传导性氧化物)的传导性氧化物或者非常薄的金属电极构成，但也可以使用其它材料。OLED制造中的起始点是基底，在所述基底上沉积OLED的各个层。如果最接近于基底的电极是透明的，则该组件被称为“底部发射0LED”，如果其它电极是透明的，则该组件被称为“顶部发射0LED”。底部电极比顶部电极更接近于基底。在形成(沉积)顶部电极之前形成(沉积)底部电极。最可靠有效的OLED是那些包含掺杂层的。通过分别用合适的受体材料对空穴传输层进行电掺杂(P型掺杂)或者用供体材料对电子传输层进行电掺杂(η型掺杂),可以大幅提高有机固体中载荷子的密度(因而提高传导性)。此外，与无机半导体的经验类似，可以预期的应用正是基于在组件中使用P型和η型掺杂的层，其他方式的应用将是无法想象的。在US 2008/203406和US 5093698中描述了在有机发光二极管中使用掺杂的载荷子传输层(通过掺合受体样分子对空穴传输层进行P型掺杂，通过掺合供体样分子对电子传输层进行η型掺杂)。在层布置中所使用的材料是OLED中使用的常规材料，所述材料或其混合物满足层例如注入层、传输层、发射层、连接单元等的功能。对于这样的层及材料的实例，参见US2009045728、US20090009072、ΕΡ1336208 及其中的参考文献。·
底部发射OLED和粗化层优选包含一个或多个这类器件的照明装置。优选情况下，OLED是底部发射的，这意味着，底部电极至少对于需要从所述器件外耦合的光而言是透明的；并且顶部电极至少对于所述器件的一些发射波长而言是反射式的。通常，“透明的”指的是在可见光中高于80%的平均透射率；“反射式的”指的是在可见光中高于80%的平均反射率。顶部电极优选为金属电极，其具有由粗化有机层的模板产生的一定程度的粗糙化。对于本发明而言必不可少的粗糙化效果不是由底部电极、基底或顶部电极本身的模板产生的。顶部电极的粗糙度不同于普通的粗糙度，在所述普通的粗糙度中，顶部电极被沉积在层布置中所使用的常规的层例如有机传输材料或者有机或无机注入材料之上。 优选的是，粗化有机层的材料是电掺杂的。优选的是，在粗化有机层和顶部电极之间配置包含电掺杂的有机材料的中间层。意外地发现，所述粗化有机层没有对载荷子的传输产生不利影响。所述器件可以被形成为非反转结构或反转结构。在非反转结构的情况下，底部电极是阳极而顶部电极是阴极。在反转结构中，底部电极是阴极而顶部电极是阳极。本发明的优选实施方式提供了具有形成在有机发光层和顶部电极(阳极)之间作为空穴传输层的粗化有机层的反转结构。另一种实施方式提供了具有形成在有机发光层和顶部电极(阴极)之间作为电子传输层的粗化有机层的非反转结构。比顶部电极更接近于基底的电极被称为底部电极。在优选实施方式中，从具有单一分子结构的材料均匀地形成粗化有机层。优选的是，堆叠的层布置中的所有有机层都通过在真空中蒸发(VTE——真空热蒸发)来制作。或者，堆叠的层布置中的所有有机层都通过ovro来制作。在优选实施方式中，以真空涂覆工艺例如VTE或派镀法(sputtering)来沉积所有有机层和两个电极。进一步优选的是，从有机材料形成粗化有机层作为气相沉积的层，所述有机材料可以通过在真空中热蒸发而被蒸发掉。为此目的，所述材料在真空中的蒸发(或升华)温度低于在真空中的分解温度。
可选地或此外，可以通过OVPD来制作粗化有机层。优选的是，粗化有机层是由小分子形成的并且不含聚合物。在一种实施方式中，优选以不含液体的工艺过程来制作粗化有机层。优选的是，粗化有机层是由Tg低于约40° C的有机材料制成的。优选情况下，使用没有Tg的材料。这样，在气相沉积到基底上的过程中，有机材料可以自己结晶出来而无需任何进一步的回火步骤，因为在常规VTE系统中，基底温度一般在20° C和60° C之间。通过DSC测量来测定Tg。利用在熔融后通过骤冷恢复至室温的材料进行DSC测量。其后，在测量期间以ΙΟΚ/min的速率加热所述材料。在粗化有机层中所使用的优选材料中，没有观察到Tg。优选的是，粗化有机层在气相沉积期间结晶。或者，在完成所述层之后，并在沉积下一层之前，采用回火步骤。 “结晶”的性质应被理解为指的是所述层非常粗糙。优选给出的RMS粗糙度在层厚度和约3倍层厚度之间的范围内。在约20 μ m的线性区段上测量所述粗糙度。在这种情况下，单独的簇可以具有约IOOnm至约Iym的尺寸。从上述材料形成粗化有机层。粗化有机层与邻接层的LUMO相差不超过O. 5eV。但是如果所述材料可以被有效地η型掺杂，那么LUMO可以相差超过O. 5eV。如果粗化有机层的材料是ETL (被用作ETL)，那么优选的是，LUMO与邻接层的LUMO相差不超过O. 5eV。但是如果所述材料可以被有效地η型掺杂，那么LUMO可以相差超过O. 5eV。如果粗化有机层的材料是HTL(被用作HTL)，那么优选的是，HOMO与邻接层的HOMO相差不超过O. 5eV。但是如果所述材料可以被有效地P型掺杂，那么HOMO可以相差超过O. 5eV0因此，优选的变体具有下面的层结构-η型掺杂的粗化有机层/n型掺杂的ETL/阴极，其中“ / ”表示触及式接触，S卩，其间没有其它层。在下文中描述了用于粗化有机层的优选的材料。优选情况下，粗化层是由化学结构为线性稠合环系统的分子形成的，所述稠合环系统具有小于五个的环。也可以使用其化学结构允许有至少一种沿主轴轴向旋转的材料。在粗化有机层也形成电子传输层(ETL)(在阴极和有机发光层之间)的情况下，对于粗化有机层而言，优选使用来自于桥联双噁唑类(及其高级同系物)的材料，特别是1，4- 二(苯并[d]噁唑-2-基)苯。在粗化有机层也形成空穴传输层(HTL)(在阳极和有机发光层之间)的情况下，对于粗化有机层而言，优选使用来自苯并(benzanelated)氧硫杂环己二烯类(及其高级同系物)的材料，特别是5，12-二氧杂-7，14-二硫杂-并五苯、2，2’-(全氟环己-2，5-二烯-1，4-二亚基)二丙二腈以及1，4-双(苯并[d]噁唑-2-基)萘。在另一种实施方式中，排除了苯并氧硫杂环己二烯。在优选实施方式中，应排除以下化合物式A
权利要求
1.包含层状结构的有机发光器件，所述器件包括基底、底部电极和顶部电极，其中底部电极比顶部电极更接近于基底，在底部电极和顶部电极之间的区域限定了电子有源区，其中电子有源区包含厚度小于50nm的散射层。
2.权利要求I的有机发光器件，其中散射层被包含在至少一个发光层和顶部电极之间的层中。
3.前述权利要求任一项的有机发光器件，其中散射层被包含在至少一个发光层和底部电极之间的层中。
4.前述权利要求任一项的有机发光器件，其中散射层的厚度等于或小于10nm。
5.前述权利要求任一项的有机发光器件，其中散射层包含电掺杂剂。
6.前述权利要求任一项的有机发光器件，其中散射层与第一电子传输层和第二电子传输层相邻并直接接触，或者其中散射层与第一空穴传输层和第二空穴传输层相邻并直接接触。
7.前述权利要求任一项的有机发光器件，其中电子传输层与阴极和散射层相邻并直接接触，或者其中空穴传输层与阳极和散射层相邻并直接接触。
8.前述权利要求任一项的有机发光器件，其包含通过连接单元连接的至少第一发光单元和第二发光单元，其中连接单元被置于散射层和阴极之间；或者其中所述器件包含通过连接单元连接的至少第一发光单元和第二发光单元，其中连接单元被置于散射层和阳极之间。
9.前述权利要求任一项的有机发光器件，其中散射层包含化合物，所述化合物具有低于40° C的玻璃化转变温度，或者在高于室温的温度下不提供任何可测量的玻璃化转变温度，或者根本没有Tg。
10.前述权利要求任一项的有机发光器件，其中散射层包含式(I)化合物
11.权利要求10的有机发光器件，其包含与顶部电极直接接触的式(I)化合物。
12.包含层状结构的有机发光器件，所述器件包括基底、底部电极和顶部电极，其中底部电极比顶部电极更接近于基底，在底部电极和顶部电极之间的区域限定了电子有源区，在电子有源区中有至少一个发光层，所述器件还包含式(I)化合物
13.权利要求12的有机发光器件，其在基底和底部电极之间包含式(I)化合物。
14.权利要求12-13任一项的有机发光器件，其在顶部电极上而不是在电子有源区中包含式(I)化合物。
15.权利要求12-14任一项的有机发光器件，其包含与顶部电极直接接触的式(I)化合物。
16.权利要求12-15任一项的有机发光器件，其中式(I)化合物被包含在电子有源区外部的且厚度在IOOnm和I μ m之间的层中。
17.前述权利要求任一项的有机发光器件，其中有机发光器件是顶部发射器件。
18.前述权利要求任一项的有机发光器件，其中有机发光器件是底部发射器件。
全文摘要
本发明涉及包含层状结构的有机发光器件，所述器件包括基底、底部电极和顶部电极，其中底部电极比顶部电极更接近于基底，在底部电极和顶部电极之间的区域限定了电子有源区，其中电子有源区包含厚度小于50nm的散射层；并且，本发明涉及在电子有源区中另外具有至少一个发光层的有机发光器件，并且该器件在电子有源区外部还包含特定化合物。
文档编号H01L51/00GK102971883SQ201180029468
公开日2013年3月13日 申请日期2011年6月10日 优先权日2010年6月14日
发明者延·比恩斯托克, 马丁·维瑟, 托比亚斯·坎茨勒, 森迪库马尔·马达萨米, 欧姆莱恩·法德尔, 多玛果伊·帕维奇科, 卡斯滕·洛特, 斯温·穆拉诺 申请人:诺瓦莱德公开股份有限公司