显示器件的缺陷检测方法及显示器件的缺陷检测装置的制作方法

专利名称：显示器件的缺陷检测方法及显示器件的缺陷检测装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及有机电致发光(EL)元件、液晶显示元件或场发射显示器(FED :field emission display)等平板显示元件。另外，涉及该显示器件的缺陷检测方法及缺陷检测装置。
背景技术：
液晶显示元件等显示元件由于具有小型、薄型、低耗电量以及轻质的特征，因此现 在被广泛地用于各种电子机器中。驱动这些显示元件的驱动电路或薄膜晶体管是使用一般 被称作步进机(st印per)的曝光装置制造的。但是，尤其是随着液晶显示元件的大型化推进，当达到第八代以后时，因制造成 本、装置输送限制等，已经达到利用现有的按比例升级延长线上的技术无法应对的地步，存 在很多难题。另外，为了降低制造成本，加上由基板尺寸扩大所致的高效率化，使得装置成 本的降低、运行成本的降低、大型面板的材料利用率提高成为很大的问题。另外，在市场上已经开始出售有机EL或场发射显示器等，关于这些新一代的显示 元件的制造，装置成本的降低、运行成本的降低也成为很大的问题。专利文献1作为降低液晶显示元件的装置成本、降低运行成本的对策，公开了一 种用卷筒状的挠曲性的基板来制造液晶显示元件的方法。专利文献2公开了显示缺陷检测方法，用于使用线传感器，从高精细地拍摄的液 晶面板的图像中，与摩擦不均或间隙不均等各种显示缺陷的种类对应地选择析像度而进行 缺陷检测。专利文献1 日本专利第3698749号公报专利文献2 日本特开2004-279239号公报如专利文献1公开的实施例那样，卷筒状的挠曲性的基板由于长达数十米到数百 米，因此在产生致命的缺陷部位的情况下就需要停止生产线。另一方面也有可以很简单地 修理的缺陷部位。专利文献2虽然对成为最终产品的液晶显示元件的完成品依照显示缺陷的种类 选择图像的析像度，然而仅以找出缺陷为目的，并未判断是否是必须修理的缺陷。

发明内容
于是，本发明提供如下的显示器件的缺陷检测方法及显示器件的缺陷检测装置， 艮口，能够在制造过程中找出显示元件的配线等的缺陷部位，并且能够判定是可以在修理线 上修正的缺陷还是必须停止生产线的缺陷。第一观点的显示器件的缺陷检测方法具备对显示器件的每个局部区域计测特征 量的计测步骤、判定计测出的各局部区域的特征量是否在第一范围内的第一判定步骤、针 对在该第一判定步骤中被判定为第一 范围内的区域算出该局部区域的特征量与该局部区 域的周围的局部区域的特征量的差值的算出部、判定利用算出部算出的差值是否在第二范围内的第二判定步骤。根据该缺陷检测方法，即使局部区域的特征量落入第一范围内，如果局部区域与其周边的局部区域的差异大，则观看显示器件的人的眼睛也会将其视为亮度不均。由此，就 会算出局部区域的特征量与该局部区域的周围的局部区域的特征量的差值而检测出成为 亮度不均的原因的缺陷。第二观点的显示器件的缺陷检测方法具备对显示器件的每个局部区域计测特征 量，并基于计测出的区域的特征量计数判定为缺陷区域的区域的缺陷计数步骤、当在缺陷 计数步骤中缺陷数大于第一阈值的情况下停止显示器件的生产线的步骤、当在缺陷计数步 骤中缺陷数小于第一阈值的情况下计算给定面积内的缺陷密度的缺陷密度计算步骤、当在 缺陷密度计算步骤中缺陷密度大于第二阈值的情况下停止显示器件的生产线的步骤。第二观点的显示元件的缺陷检测方法通过计算显示器件的缺陷密度来判定是否 停止生产线。如果缺陷密度高，则缺陷区域集中于一个部位。由于在此种情况下只是修理 该部分是无法应对的，因此以缺陷密度作为判定的基准。第三观点的显示器件的缺陷检测装置具备特征量判定部，其对显示器件的每个 局部区域计测特征量，判定计测出的区域的特征量是否在第一范围内；差值判定部，其对于 在该特征量判定部中被判定为第一范围内的局部区域，算出该局部区域的特征量与该局部 区域的周边的局部区域的特征量的差值，判定该差值是否在第二范围内。即使局部区域的特征量落入第一范围内，如果局部区域与其周边的局部区域的差 异大，则观看显示器件的人的眼睛也会将其视为亮度不均。由此，该显示器件的缺陷检测装 置算出局部区域的特征量与该局部区域的周围的局部区域的特征量的差值而检测出成为 亮度不均的原因的缺陷。第四观点的显示器件的缺陷检测装置具备缺陷数判定部，其对显示器件的每个 局部区域计测特征量，基于计测出的局部区域的特征量计数判定为缺陷区域的局部区域的 缺陷数，判定缺陷数是否大于第一阈值；缺陷密度判定部，其在缺陷数判定部中判定为缺陷 数小于第一阈值的情况下计算在给定面积内所占的缺陷数，判定给定面积内所占的缺陷数 是否大于第二阈值。在给定面积内所占的缺陷数大于第二阈值意味着缺陷区域集中于一个部位。由于 在此种情况下即使修理该部分也经常有修理部位很显眼的情况，因此第四观点的显示器件 的缺陷检测装置检测缺陷密度。第五观点的显示器件的缺陷检测装置具备缺陷密度判定部，其对显示器件的每个 局部区域计测特征量，基于计测出的局部区域的特征量计数判定为缺陷区域的局部区域的 缺陷数，并且计算在给定面积内所占的缺陷数，判定给定面积内所占的缺陷数是否大于第
二阈值。第五观点的显示器件的缺陷检测装置可以通过检测缺陷密度来进行显示器件的 缺陷检测。本发明的显示器件的缺陷检测方法及缺陷检测装置不仅可以在制造过程中找出 显示元件的配线等缺陷部位，而且可以判定是可以在修理线上修正的缺陷还是必须停止生 产线的缺陷。


图1是表示在挠曲性的基板FB上制造有机EL元件的制造装置100的构成的概略 图。图2是在有机EL元件用的制造装置100的电极形成工序中观察衍射晶格的第一 标记AM及第二标记BM的概念图。图3是表示形成了发光层IR及ITO电极的底接触型的有机EL元件的状态的图。图4是对壁形成工序中的第一观察装置CHl进行说明的图。图5是对电极形成工序中的第二观察装置CH2进行说明的图。图6是对形成源电极S与漏电极D的间隔的切割装置30的工序中的第五观察装 置CH5进行说明的图。图7A是从第五对准传感器CA5到第六观察装置CH6的立体图。图7B是图7A的有机半导体墨水的涂布工序及存储修理部位的工序中的流程图。图8A表示用第五观察装置CH5观察的有机EL元件50和与之重叠地显示的行列 MAT及行列MAX的数据Dn (m, η)。图8Β是基于行列MAX的数据Dn (m，η)来特定缺陷区域的缺陷判定流程图。图8C是与图8Β的缺陷判定流程图不同的其他的流程图。图9Α是表示将具有修理部位的有机EL元件50以批处理修理的修理装置110的 概念图。图9Β是图9Α所示的批处理的修理装置110的修理流程图。图10是表示在制造有机EL元件50的同时观察缺陷部位并在线地修理缺陷部位 的制造兼修理装置200的概略图。其中标记说明10、压印辊，11、微细压印用模，15、热转印辊，20、液滴涂布装置 (20BL...蓝色发光层用的液滴涂布装置、20G...栅用液滴涂布装置，20Gr...绿色发光层 用的液滴涂布装置，201...绝缘层用的液滴涂布装置，20Re...红色发光层用的液滴涂布 装置，20IT. . . ITO电极用的液滴涂布装置，200S...有机半导体液滴涂布装置，20SD...源 用及漏用以及像素电极用的液滴涂布装置)，22、喷嘴，30、切断装置，130、修理用切断装置， 50、有机EL元件，90、主控制部，95、位置计数部，96、修理部位特定部(961...特征量判定 部，962···差值判定部，963...缺陷数判定部，964...缺陷密度判定部)，97、存储部，190、 修理用主控制部，100、有机EL元件的制造装置，110、有机EL元件的修理装置，120、修理用 液滴涂布装置(120G...栅用的修理液滴涂布装置，1201...绝缘层用的修理液滴涂布装 置，1200S...有机半导体用的修理液滴涂布装置，120SD...源用及漏用以及像素电极用的 修理液滴涂布装置)，160、隔壁修理用分配器，170、激光烧熔装置，AM、第一标记(对准标 记)，BA、隔壁，BK、热处理装置，CA、对准传感器，D、漏电极，FB、薄片基板，G、栅电极，GBL、栅 总线，I、栅绝缘层，IR、发光层，ΙΤ0、透明电极，LAM、照明光源，LEN、透镜，LED、激光发射二极 管，LL、激光，OS、有机半导体层，P、像素电极，PRT、打印装置，RL、供给滚筒，RR、辊，S、源电 极，SBL、源总线。
具体实施例方式本实施方式中说明的显示元件的制造装置是能够适用于有机EL元件、液晶显示元件或场发射显示器的装置。作为代表例对有机EL元件的制造装置及制造方法进行说明。《有机EL元件的制造装置》在有机EL元件的制造中需要制成形成有薄膜晶体管(TFT)、像素电极的基板。为 了在该基板上的像素电极上精度优良地形成包含发光层的1层以上的有机化合物层(发光 元件层)，需要在像素电极的交界区域容易地精度优良地形成隔壁BA (触排层)。
图1是表示在挠曲性的基板上制造具有像素电极及发光层等的有机EL元件50的 制造装置100的构成的概略图。有机EL元件用的制造装置100具备用于将卷绕成卷筒状的带状挠曲性薄片基板 FB送出的供给滚筒RL。例如，薄片基板FB的长度例如达到200m以上。供给滚筒RL通过 进行给定速度的旋转，将薄片基板FB沿作为搬送方向的X轴方向(长度方向)运送。另 外，有机EL元件用的制造装置100在多个部位具备辊RR，通过这些辊RR旋转，也可以将薄 片基板FB沿X轴方向运送。辊RR可以是将薄片基板FB从两面夹入的橡胶辊，如果薄片基 板FB具有穿孔，则也可以是带有棘轮的辊RR。有机EL元件用的制造装置100具备在其最终工序中将薄片基板FB卷绕成卷筒状 的卷绕滚筒RE。另外，为了在缺陷部位的修理工序中处理，卷绕滚筒RE与供给滚筒RL及辊 RR同步地以给定速度卷绕薄片基板FB。<隔壁形成工序>从供给滚筒RL中送出的薄片基板FB，最先进入在薄片基板FB上形成隔壁BA的 隔壁形成工序。在隔壁形成工序中，用压印辊10推压薄片基板FB，并且使所推压的隔壁BA 保持形状地用热转印辊15将薄片基板FB加热到玻璃化温度以上。由此，形成于压印辊10 的辊表面的模子形状就被转印到薄片基板FB上。压印辊10的辊表面被精加工为镜面，在该辊表面上安装有由SiC、Ta等材料构成 的微细压印用模11。微细压印用模11具有薄膜晶体管的配线用的压模及显示像素用的压 模。另外，为了在带状挠曲性薄片基板FB的宽度方向的两侧形成第一标记AM及第二标记 BM(参照图2)，微细压印用模11具有第一标记AM及第二标记BM用的压模。由于在形成薄膜晶体管的配线用及显示像素用的隔壁BA的同时形成第一标记AM 及第二标记BM，因此隔壁BA与第一标记AM及第二标记BM的位置精度成为与微细压印用模 11相同的位置精度。在压印辊10的X轴方向下游配置有第一观察装置CHl。第一观察装置CHl观察薄 膜晶体管的配线用及显示像素用的隔壁BA是否被正确地形成。该第一观察装置CHl由以 一维CXD或二维CXD组成的照相机或激光测长仪等构成。在第一观察装置CHl的下游配置 有第一对准传感器CAl。<电极形成工序>薄片基板FB在用第一对准传感器CAl检测出第一标记AM及第二标记BM后，如果 进一步沿X轴方向前进则进入电极形成工序。作为薄膜晶体管(TFT)，无论是无机半导体系的还是使用有机半导体的都可以。如 果使用该有机半导体构成薄膜晶体管，则能够利用印刷技术或液滴涂布技术来形成薄膜晶体管。在使用了有机半导体的薄膜晶体管当中，特别优选场效应型晶体管(FET)。图1的电极形成工序中，以FET的底栅型的有机EL元件50进行说明。在薄片基板FB上形成了栅 电极G、栅绝缘层I、源电极S、漏电极D及像素电极P后，形成有机半导体层OS。电极形成工序中使用从第一对准传感器CAl接收位置信息而将液体向薄片基板 FB涂布的液滴涂布装置20。液滴涂布装置20可以采用喷墨方式或分配器方式。作为喷墨 方式可以举出带电控制方式、加压振动方式、机电转换式、电热转换式、静电抽吸方式等。液 滴涂布法在材料的使用中浪费少，并且可以将所需的量的材料可靠地配置于所需的位置。 以下将栅电极G用的液滴涂布装置20在末尾加上G等而以栅用液滴涂布装置20G区别。其 他的液滴涂布装置20也相同。这里，利用液滴涂布法涂布的金属墨水MI的一滴的量例如 为1 300纳克。栅用液滴涂布装置20G将金属墨水MI涂布于栅总线GBL的隔壁BA内。接着，在 热处理装置BK中利用热风或远红外线等辐射热等干燥或煅烧(烘焙)金属墨水Ml。利用 这些处理形成栅电极G。金属墨水MI是粒子直径约为5nm左右的导电体在室温的溶剂中稳 定地进行分散的液体，作为导电体，可以使用碳、银(Ag)或金(Au)等。 在栅用液滴涂布装置20G的下游配置有第二观察装置CH2。第二观察装置CH2观 察是否在栅总线GBL中涂布金属墨水MI而作为导线发挥作用。该第二观察装置CH2由以 一维CXD或二维CXD组成的照相机构成。在第二观察装置CH2的下游配置有第二对准传感 -^^τ CA 2 ο接着，绝缘层用的液滴涂布装置201从第二对准传感器CA2接收位置信息而将聚 酰亚胺系树脂或聚氨酯系树脂的电绝缘性墨水涂布于开关部。此后，在热处理装置BK中利 用热风或远红外线等辐射热等将电绝缘性墨水干燥、固化。利用这些处理形成栅绝缘层I。在绝缘层用的液滴涂布装置201的下游配置有第三观察装置CH3。第三观察装置 CH3观察电绝缘性墨水是否被涂布于正确的位置。该第三观察装置CH3也由以一维CXD或 二维CXD组成的照相机构成。在第三观察装置CH3的下游配置有第三对准传感器CA3。然后，源用及漏用以及像素电极用的液滴涂布装置20SD从第三对准传感器CA3接 收位置信息而将金属墨水MI涂布于源总线SBL的隔壁BA内及像素电极P的隔壁BA内。接 着，在热处理装置BK中干燥或煅烧(烘焙)金属墨水Ml。利用这些处理，形成将源电极S、 漏电极D及像素电极P连接了的状态的电极。在源用及漏用以及像素电极用的液滴涂布装置20SD的下游配置有第四观察装置 CH4。该第四观察装置CH4观察金属墨水MI是否被涂布于正确的位置。该第四观察装置 CH4也由以一维CXD或二维CXD组成的照相机构成。在第四观察装置CH4的下游配置有第 四对准传感器CA4。接着，从第四对准传感器CA4接收位置信息而用切断装置30将相互连接的源电极 S和漏电极D切断。作为切断装置30优选飞秒激光器。使用钛蓝宝石激光器的飞秒激光器 照射部以IOKHz到40KHz的脉冲一边向前后左右摆动一边照射760nm波长的激光LL。切断装置30由于使用飞秒激光器，因此能够进行亚微米量级的加工，将决定场效 应型晶体管的性能的源电极S与漏电极D的间隔准确地切断。源电极S与漏电极D的间隔 为20μπι到30μπι左右。利用该切断处理形成将源电极S与漏电极D分离的电极。除了飞 秒激光器以外，也可以使用二氧化碳气体激光器或绿光激光器等。另外，除了激光器以外也 可以利用切割机(dicing saw)机械地切断。
在切断装置30的下游配置有第五观察装置CH5。第五观察装置CH5观察是否在源电极S与漏电极D中正确地形成间隔。该第五观察装置CH5也由以一维CXD或二维CXD组 成的照相机构成。在第五观察装置CH5的下游配置有第五对准传感器CA5。接着，有机半导体液滴涂布装置200S从第五对准传感器CA5接收位置信息而在源 电极S与漏电极D之间的开关部涂布有机半导体墨水。此后，在热处理装置BK中利用热风 或远红外线等辐射热等干燥或煅烧有机半导体墨水。利用这些处理，形成有机半导体层OS。而且，形成有机半导体墨水的化合物可以是单晶材料，也可以是无定形材料，可以 是低分子，也可以是高分子。作为特别优选的材料，可以举出以并五苯(pentacene)或三亚 苯(triphenylene)、蒽等为代表的缩环系芳香族烃化合物的单晶或π共轭系高分子。在有机半导体液滴涂布装置200S的下游配置有第六观察装置CH6。第六观察装置 CH6观察有机半导体墨水是否被涂布于正确的位置。该第六观察装置CH6也由以一维CCD 或二维CCD组成的照相机构成。在第六观察装置CH6的下游配置有第六对准传感器CA6。<发光层形成工序>有机El元件用的制造装置100在像素电极P上继续进行有机EL元件的发光层IR 的形成工序。在发光层形成工序中使用液滴涂布装置20。如上所述，可以采用喷墨方式或分配 器方式。另外，在本实施方式中虽然并未详述，然而也可以用印刷辊来形成发光层。发光层IR含有主相化合物和磷光性化合物(也称作磷光发光性化合物)。所谓主 相化合物是指发光层中含有的化合物。磷光性化合物是可以观测到来自激发三重态的发光 的化合物，在室温下发出磷光。红色发光层用的液滴涂布装置20Re从第六对准传感器CA6接收位置信息而将R 溶液涂布于像素电极P上，按照使干燥后的厚度达到IOOnm的方式进行成膜。R溶液采用在 主相材料的聚乙烯咔唑(PVK)中将红色掺杂材料溶解于1，2_ 二氯乙烷中的溶液。 接下来，绿色发光层用的液滴涂布装置20Gr从第六对准传感器CA6接收位置信息 而将G溶液涂布于像素电极P上。G溶液采用在主相材料PVK中将绿色掺杂材料溶解于1， 2-二氯乙烷中的溶液。另外，蓝色发光层用的液滴涂布装置20BL从第六对准传感器CA6接收位置信息而 将B溶液涂布于像素电极P上。B溶液采用在主相材料PVK中将蓝色掺杂材料溶解于1， 2-二氯乙烷中的溶液。其后，在热处理装置BK中利用热风或远红外线等辐射热等使发光层溶液干燥固 化。在发光层形成工序的下游配置有第七观察装置CH7。第七观察装置CH7观察是否 恰当地形成发光层。在第七观察装置CH7的下游配置有第七对准传感器CA7。接着，绝缘层用的液滴涂布装置201从第七对准传感器CA7接收位置信息，将聚酰 亚胺系树脂或聚氨酯系树脂的电绝缘性墨水涂布于栅总线GBL或源总线SBL的一部分中， 以便不与后述的透明电极ITO短路。此后，在热处理装置BK中利用热风或远红外线等辐射 热等使发光层溶液干燥固化。在绝缘层用的液滴涂布装置201的下游配置有第八观察装置CH8。第八观察装置 CH8观察是否涂布有电绝缘性墨水。在第八观察装置CH8的下游配置有第八对准传感器CA8。其后，ITO电极用的液滴涂布装置20IT从第八对准传感器CA8接收位置信息，在 红色、绿色及蓝色发光层上涂布ITO(Indium Tin Oxide铟锡氧化物)墨水。ITO墨水是在 氧化铟(In2O3)中添加了百分之几的氧化锡(SnO2)的化合物，该电极是透明的。另外，也可 以使用IDIXO(In2O3-ZnO)等非晶体而能够制作透明导电膜的材料。透明导电膜的透过率优 选为90%以上。此后，在热处理装置BK中利用热风或远红外线等辐射热等使ITO墨水干燥 固化。在ITO电极用的液滴涂布装置20IT的下游配置有第九观察装置CH9。第九观察装 置CH9观察电绝缘性墨水是否被涂布。而且，有机EL元件50有时会设置空穴输送层及电子输送层，而这些层只要利用印 刷技术或液滴涂布法技术即可。有机EL元件用的制造装置100具有主控制部90。第一观察装置CHl到第九观察 装置CH9中观察到的信号及第一对准传感器CAl到第八对准传感器CA8中的对准信号被发 送给主控制部90。另外，主控制部90进行供给滚筒 RL及辊RR的速度控制。《对准标记兼计数标记的形成》通过经由热转印辊15及热处理装置BK，薄片基板FB沿X轴方向及Y方向伸缩。 为此，有机EL元件用的制造装置100在热转印辊15的下游配置第一对准传感器CAl，在热 处理装置BK之后配置第二对准传感器CA2到第八对准传感器CA8。另外，在发生压印不良、 涂布不良等时特定缺陷部位而将该部位除去或修理的情况下，也必须特定该缺陷部位。为 此，在本实施方式中，将第一标记AM也作为确认X轴方向的位置的计数标记利用。使用图2来说明有机EL元件用的制造装置100的电极形成工序的控制。图2(a)中，薄片基板FB相对于在作为薄片基板FB的宽度方向的Y轴方向排列的 薄膜晶体管的配线用的隔壁BA及像素用的隔壁BA，在薄片基板FB的两侧分别具有至少一 个第一标记AM。另外，例如相对于50个第一标记AM，与第一标记AM相邻地形成1个第二 标记BM。由于薄片基板FB例如长达200m，因此第二标记BM是为了容易每隔一定间隔地确 认是哪一行的薄膜晶体管的配线用的隔壁BA及像素用的隔壁BA而设置的。一对第一对准 传感器CAl检测该第一标记AM及第二标记BM，将其检测结果发送给主控制部90。微细压印用模11规定出第一标记AM及第二标记BM与场效应型晶体管的栅总线 GBL及源总线SBL的位置关系。因此，主控制部90通过检测出一对第一标记AM，也可以检测出X轴方向的错移、Y 轴方向的错移及θ旋转。另外，也可以不仅在薄片基板FB两侧，而且在中央区域也设置第 一标记AM0第一对准传感器CAl随时观察沿X轴方向输送的薄片基板FB，将其第一标记AM的 图像发送给主控制部90。主控制部90在内部具备位置计数部95，位置计数部95计数是薄 片基板FB上形成的有机EL元件50中的沿Y轴方向排列的有机EL元件50的第几行。由 于用主控制部90来控制辊RR的旋转。因此，可以把握将第几行的有机EL元件50送向栅 用液滴涂布装置20G的位置，或者将第几行的有机EL元件50送向第二观察装置CH2的位 置。位置计数部95基于从第一对准传感器CAl送来的第二标记BM的图像，确认有无利用第一标记AM的行数的错误计数。例如，防止在微细压印用模11的第一标记AM的部位 有不良而无法正确地把握行数的情况。栅用液滴涂布装置20G配置于Y轴方向，将多个列的喷嘴22沿Y轴方向配置，另 外，X轴方向也配置有多行的喷嘴22。栅用液滴涂布装置20G根据基于第一对准传感器CAl 的来自主控制部90的位置信号，切换从喷嘴22中涂布金属墨水MI的时机、涂布金属墨水 MI的喷嘴22。
在栅用液滴涂布装置20G的下游配置有热处理装置BK，热处理装置BK使用栅用液 滴涂布装置20G涂布的金属墨水MI干燥。在该热处理装置BK的下游配置有第二观察装置 CH2。 第二观察装置CH2将观察到的图像信号发送给主控制部90，通过在主控制部90中 比较栅用液滴涂布装置20G必须涂布金属墨水MI的区域和观察到的图像信号，来特定金属 墨水MI的涂布的缺陷部位。该缺陷部位被在Y轴方向上利用图像处理特定为处于第几列 的有机EL元件50的哪个位置，或者特定为处于与第一标记AM相距几mm的位置。X轴方向 的缺陷部位是基于位置计数部95特定为处于第几行的有机EL元件50中，特定为处于该行 的有机EL元件50的哪个位置。第一标记AM与第二标记BM由衍射格子GT构成。第一标记AM是如图2 (b)的上 段所示的沿X轴方向及Y轴方向配置的点状的衍射格子GT。点状的衍射格子GT的剖面是 图2(b)的下段所示的形状。而且，虽然对于第二标记BM并未图示，然而第二标记BM也是 与第一标记AM相同的点状的衍射格子GT。图2 (c)中表示检测第一标记AM或第二标记BM的对准传感器CA。为了检测第一标 记AM或第二标记BM，向这些第一标记AM或第二标记BM照射He-Ne激光(λ = 0. 6328 μ m) 等相干光。此后，检测经由透镜LEN来自点状的衍射格子GT的士 η次像(η= 1、2、...)。当将该点状的衍射格子GT的间隔、即格子常数设为L，将相干光的波长设为λ，将 相干光的照射角与对准传感器CA的一个方向的角度设为θ时，则Lsine =ηλ (η = 士 1、 士2、···)的关系成立。如图2(c)所示的曲线图所示，对准传感器CA在点状的衍射格子GT存在的部位检 测出波形状的信号，在没有衍射格子的部位检测不出信号。由此，位置计数部95将检测出 的信号数字化，计数是薄片基板FB上已经形成的有机EL元件50中的沿Y轴方向排列的有 机EL元件50的第几行。所以，可以高速并且准确地把握有机EL元件50的位置。另外，由 于第一标记AM或第二标记BM是衍射格子，因此很难受到污物等的影响。《形成于场效应型晶体管的隔壁中的有机EL元件50》图3是表示形成了发光层IR及ITO电极的底接触型的有机EL元件的状态的图。 有机EL元件50在薄片基板FB上形成栅电极G、栅绝缘层I及像素电极P，此外还形成有机 半导体层OS、发光层IR及ITO电极。图3中薄片基板FB由耐热性的树脂薄膜构成。具体来说，作为薄片基板FB，可以 使用聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚酯树脂、乙烯_乙烯基共聚物树脂、聚氯乙烯树脂、纤维素 树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚碳酸酯树脂、聚苯乙烯树脂、乙酸乙烯酯树脂等。如上所述，薄片基板FB在隔壁形成工序中受到热转印的热处理，由于各种墨水必 须在热处理装置BK中进行干燥或煅烧(烘焙)，因此会被加热到200°C左右。为了能够即使受到加热也不会改变尺寸，薄片基板FB的热膨胀系数越小越好。例如，可以将无机填充剂 混合到树脂薄膜中而减小热膨胀系数。作为无机填充剂的一例，可以举出氧化钛、氧化锌、
氧化铝、氧化硅等。如图3(b)及(c)所示，通过存在隔壁BA，就可以形成正确而均勻的电极或发光层 等。由于薄片基板FB由辊RR高速地沿X轴方向(长度方向)输送，因此，即使在液滴涂布 装置20有可能无法正确地涂布液滴的情况下，也可以形成正确而均勻的电极或发光层等。而且，制造装置100除了图3所示的场效应型晶体管以外，还可以制造各种场效应 晶体管。例如即使是顶栅型的场效应晶体管，也可以通过更换向薄片基板FB上涂布的墨水 的顺序等而形成。《观察装置》下面，使用图4到图7对各种观察装置CH进行说明。图4是对隔壁形成工序中的第一观察装置CH1进行说明的图。图4(a_l)是用微 细压印用模11压印的薄片基板FB的俯视图。另外，图4(a-2)是c-c剖面图，(b)是用第 一观察装置CH1进行隔壁BA的观察的概念图。用微细压印用模11形成的薄片基板FB的隔壁BA成为配线等的基底，在后续工序 的金属墨水BI的涂布时是否正确地形成隔壁BA十分重要。如图4(a-2)中所示，本来应当 形成像实线那样的隔壁BA，然而因在微细压印用模11上附着灰尘或在薄片基板FB上附着 灰尘，而有形成并非正确的形状的不良隔壁E-BA的情况。由此，就无法正确地形成涂布金 属墨水Ml的隔壁BA间的槽部GR。图4(b)所示的第一观察装置CH1例如为激光测定器，由激光源LED、透镜LEN及传 感器SEN构成。这样，将激光源LED向薄片基板FB照射而用传感器SEN接收其反射光而测 定隔壁BA的高度。图5是对电极形成工序中的第二观察装置CH2进行说明的图。图5(a_l)是结束 了电极形成工序的薄片基板FB的俯视图。另外，图5(a-2)是其c-c剖面图，(b)是用第二 观察装置CH2进行栅总线GBL的观察的概念图。本来的话，如图5(a_l)所示，在栅总线GBL用的隔壁BA间的槽部GR正确地涂布 金属墨水Ml，当在热处理装置BK中干燥或煅烧金属墨水Ml时，就会如图5 (a-2)所示，金属 墨水Ml变为薄膜。但是，因栅用液滴涂布装置20G的喷嘴22的故障等，会有在隔壁BA上 涂布金属墨水Ml或在与设计不同的部位涂布金属墨水MI的情况。图5 (b)所示的第二观察装置CH2由一维或二维照相机组成，第二观察装置CH2例 如从薄片基板FB的下面用灯LAM照明，观察其透过光。如图5(b)所示，可以观察金属墨水 Ml涂布在隔壁BA上的状态。而且，由于薄片基板FB多为透过性的材料，因此在前一半的工 序(用第四观察装置CH4观察的工序)结束前将灯LAM配置于薄片基板FB的下面的话，与 观察反射光相比更容易观察。图6是对形成源电极S与漏电极D的间隔的切断装置30的工序中的第五观察装 置CH5进行说明的图。图6(a)是结束了切断的薄片基板FB的俯视图。另外，图6(b)是其 c-c剖面图，是用第五观察装置CH5观察切断的概念图。已经在源电极S与漏电极D的周围形成有栅电极G和栅绝缘层I。由此，第五观察 装置CH5很难用透过光观察源电极S与漏电极D的间隔。所以，在第五观察装置CH5的周围配置灯LAM来观察源电极S与漏电极D的周围。《修理部位的特定》图7A是从第五对准传感器CA5到第五观察装置CH5的立体图。修理部位的特定 在其他的工序中也基本上相同，然而以利用切断装置30的源电极S与漏电极D的间隔的观 察作为代表例进行说明。第四对准传感器CA4与主控制部90连接，第四对准传感器CA4将第一标记AM的 图像信号发送给主控制部90。主控制部90基于图像信号测定薄片基板ra的Y轴方向的位 置及倾斜，另外，还通过测定薄片基板FB的两侧的第一标记AM来测定薄片基板FB的Y轴 方向的伸长。主控制部90由于还控制辊RR的旋转，因此还可以把握薄片基板FB的X轴方向的 移动速度，基于第一标记AM向切断装置30输出信号，使之形成各有机EL元件50的源电极 S与漏电极D的间隙。从切断装置30照射激光，利用电流镜(galvano-mirror)等将激光的 朝向调整为给定的位置。主控制部90在其内部具有计数X轴方向的位置的位置计数部95、作为缺陷部位也 就是必须修理的修理部位特定的修理部位特定部96、以及存储有机EL元件50的设计尺寸、 修理部位等的存储部97。修理部位特定部96具备特征量判定部961、差值判定部962、缺 陷数判定部963及缺陷密度判定部964。第五观察装置CH5在其内部具备透镜LEN和一维(XD，将该一维(XD的图像信号发 送给主控制部90。主控制部90可以把握用切断装置30形成的源电极S与漏电极D的间 隙的状态。修理部位特定部96比较存储于存储部96中的设计值，也就是源电极S与漏电 极D的间隙；与实际中用切断装置30涂布的源电极S与漏电极D的间隙，将不同的部位作 为缺陷部位特定。修理部位特定部96可以特定该缺陷部位相对于第一标记AM在X轴方向 及Y轴方向上为何种程度的距离(P m)，并且还利用位置控制部95的计数来特定是第几行 的有机EL元件50。特定出的修理部位被存储于存储部97中，在修理工序中使用该修理部 位的数据。图7B是图7A的源电极S与漏电极D的间隙的形成工序及存储修理部位的工序中 的流程图。在步骤P11中，对准传感器CA5拍摄第一标记AM，向主控制部90发送图像信号。在步骤P12中，主控制部90算出第一标记AM的位置，并且位置计数部95计数有 机EL元件50的行数。第一标记AM是切断装置30在源电极S与漏电极D的定位中使用的， 并且也可以用于特定有机EL元件50的行数。而且，也可以通过第四对准传感器CA4拍摄 图2中说明的第二标记BM，来特定有机EL元件50的行数。在步骤P13中，基于第一标记AM的位置及存储于存储部97中的源电极S与漏电 极D的间隙位置，从切断装置30向薄片基板FB照射激光。在步骤P14中，第五观察装置CH5将源电极S与漏电极D的间隙状态的图像信号 发送给修理部位特定部96。由于薄片基板FB沿X轴方向移动，因此第五观察装置CH5只要 是沿Y轴方向伸展的一维CCD即可。在由于薄片基板FB的移动速度快，因此在源电极S与 漏电极D的间隙的图像信号中有很多噪音的情况下，只要准备如下的二维CCD即可，S卩，连 接有与薄片基板FB移动的速度匹配地错移CCD的蓄积部位的帧蓄积型存储器。该方式是一般被称为TDI (Time Delayedlntegration)方式的CCD的读出方式的一种。接着，在步骤P15中，修理部位特定部96比较存储于存储部97中的源电极S与漏 电极D的间隙和实际的间隙状态的图像信号，特定缺陷部位。对于该缺陷部位的特定，在图 8A、图8B及图8C中进行详细说明。在步骤P16中，缺陷部位被作为应当修理的修理部位，作为行数以及与第一标记 AM的位置的距离存储于存储部97中。图8A(a)表示用第五观察装置CH5观察到的有机EL元件50和与之重叠地显示的 行列MAT。第五观察装置CH5的一维(XD可以在Y轴方向的每个像素间距输出图像数据，另 外由于薄片基板FB沿X轴方向以恒定速度移动，因此通过调整取样时刻，可以在每个给定 间距处输出薄片基板FB的X轴方向的图像数据。即，可以获得相对于有机EL元件50细分 化了的局部区域的图像数据。该图像数据被作为行列MAT存储于存储部97中。如图8A(a)所示，由于第一标记AM形成于薄片基板FB上，因此被细分化了的局部 区域的图像数据就被与X轴方向及Y轴方向的位置信息相关联。而且，通过变更图7A所示 的第五观察装置CH5的一维(XD的像素间距及透镜LEN的倍率等，可以变更细分化了的局 部区域的大小。图8A(b)是表示在存储部97中作为行列MAT存储的细分化了的局部区域的图。细 分化了的局部区域被与区域的位置信息一起做k行h列的行列MAT的数据(Dn(m，n))存储 于存储部97中。但是，不需要与一维(XD的图像间距等匹配地规定k行h列的行列MAX。 第五观察装置CH5由于主要目的是观察源电极S与漏电极D的间隙，因此只要对有机EL元 件50的每个像素构成1个行列，与局部区域的位置信息一起将源电极S与漏电极D的间隙 存储于存储部97中即可。修理部位特定部96基于存储于存储部97中的行列MAX的数据(Dn (m, n))来特定 缺陷区域。对于该缺陷区域的特定将在图8B中详细说明。图8B是基于行列MAX的数据Dn(m，n)特定缺陷区域，判定利用图1的制造装置 100的生产线停止或利用图9A等中说明的修理装置110的修理等的缺陷判定流程图。 在步骤P31中，设定k行h列的行列MAT的数据Dn (m, n)。该流程图中，为了简化 说明对于有机EL元件的1个像素(栅电极G、源电极S、漏电极D及像素电极P各为1个)， 分配1行1列的数据Dn(m, n)。在步骤P32中，用第五观察装置CH5观测有机EL元件50。由此向修理部位特定 部96发送行列MAT的数据Dn (m, n)。由于第五观察装置CH5观察源电极S与漏电极D的间 隙，因此是作为第五观察装置CH5观察的特征量的间隙。Dn(m，n)例如为设为间隙=25 y m 的尺寸数据，将Dn(m，n) = 25 y m向修理部位特定部96发送。在步骤P33中，修理部位特定部96的特征量判定部961 (参照图7A)判定作为间 隙数据的Dn(m，n)是否在第一范围A1内。第一范围A1内例如为20 y m到30 y m。特征量 判定部961如果数据Dn (m, n) = 25 u m,则前进到步骤P34，如果数据Dn (m, n) = 15 y m或 35 u m，则看作第一范围A1外，前进到步骤P36。在步骤P34中，差值判定部962比较数据Dn(m，n)和其周边区域的数据。具体来 说，计算作为特征量的数据Dn(m，n)与前1行的像素的数据Dn(m-l，n)的差值。也就是说，计算ADnl= |Dn(m，n)-Dn(m-l，n)|。另外，计算数据Dn(m，n)与相邻1列的像素的数据 Dn(m，n-1)及 Dn(m，n+1)的差值。也就是说，计算 ADn2 = Dn (m,n) -Dn (m,n-l) | 及 ADn3 =| Dn (m, n) -Dn (m, n+1) |。在步骤P35中，差值判定部962判定差值ADnl、ADn2及ADn3是否在第二范围 A2内。如果差值ADnl、ADn2及ADn3都在第二范围A2内，则前进到步骤P37，即使是一 个在第二范围A2，则前进到步骤P36。第二范围A2例如为0 5 ii m。在步骤P34及P35中，即使特征量判定部961判定为第一范围A1内，也要由差值 判定部962判定是否在第二范围A2内的理由如下所示。也就是说，有机EL元件50中的源 电极S与漏电极D的间隙对发光亮度有很大影响。如果在某个像素与其周边的像素中亮度 有很大不同，则人的眼睛就容易感受到亮度不均等差异感，因此作为缺陷区域处置。另一 方面，如果亮度慢慢地变化，则人的眼睛就感受不到亮度不均。即使数据Dn(l，l)与数据 Dn (k，h)分别为21 y m和29 y m，只要其途中的变化小，则人的眼睛就不会视作亮度不均。在步骤P36中，将数据Dn(m，n)作为缺陷区域而计数该缺陷区域的数目。在步骤P37中，将数据Dn (m, n)的有机EL元件50的像素判定为合格品。在步骤P38中，缺陷数判定部963判定缺陷数m是否在第一阈值B1以下。如果 缺陷数m大于第一阈值B1，则认为缺陷数m过多而无法用修理来应对，前进到步骤P42而 停止制造装置100的生产线。此后进行制造装置100的维修。如果缺陷数m小于第一阈 值B1，则认为缺陷数m并非停止制造装置100的程度，利用修理基本上可以应对，前进到步 骤 P39。在步骤P39中，缺陷密度判定部964计算由(m_r，n-r)和(m+r，n+r)包夹的正方 区域内的缺陷数N2。而且，也可以不是正方区域内，而是长方形区域。 在步骤P40中，缺陷密度判定部964判定正方区域内的缺陷数N2是否在第二阈值 B2以下。如果正方区域内的缺陷数N2，即缺陷密度大于第二阈值B2，则由于缺陷数N2过于 集中于一个部位，因此认为无法利用修理来应对，前进到步骤P42而停止制造装置100的生 产线。此后进行制造装置100的维修。如果缺陷密度低于第二阈值B2，则前进到步骤P41， 以便利用修理线进行修理。步骤P41中利用图9A中说明的修理装置110等修理缺陷区域。缺陷密度低于第 二阈值B2意味着缺陷区域是分散的。所以即使修理，修理区域也不会显眼。而且，与位置 信息一起存储于存储部97中的数据(Dn(m，n))被发送给修理装置110的修理用主控制部 190。在步骤P42中停止制造装置100的生产线，进行维修作业，使之不产生缺陷。图8C是与图8B的缺陷判定流程图不同的另外的流程图。该图8C是省略了图8B 的步骤P38及步骤P39的流程图。由于即使没有缺陷数判定部963，在缺陷数m多的情况下，也经常会有在缺陷密 度判定部964中缺陷数N2达到第二阈值B2以上的情况，因此即使省略步骤P38及步骤P39 也可以得到相同的效果。而且，图8A到图8C中，说明了利用第五观察装置CH5的对于源电极S与漏电极D 的间隙的观察。但是，使用了行列MAT的数据Dn(m，n)的缺陷检测也可以同样地应用于利 用第一观察装置CH1的隔壁BA的高度检测、利用第三观察装置CH3的金属墨水Ml的涂布
15位置等中。<有机EL元件的修理装置>图9A是表示将具有修理部位的有机EL元件50以批处理来修理的修理装置110 的概略图。修理装置110由修理用主控制部190控制。修理用主控制部190具有修理用位 置计数部195和修理用存储部197。它们虽然与制造装置100的位置计数部95和存储部 97基本上相同，然而向修理用存储部197中，传送由装置装置100的修理部位特定部96特 定而由存储部97存储的修理部位。有机EL元件用的修理装置110具备隔壁修理用分配器160、激光烧熔(laser zapping)装置170、栅用修理液滴涂布装置120G、绝缘层用的修理液滴涂布装置1201、源用 及漏用以及像素电极用的修理液滴涂布装置20SD、修理切断装置130、有机半导体用的修 理液滴涂布装置200S、及移去器(remover) 115。修理液滴涂布装置120及修理切断装置 130由于与制造装置100的液滴涂布装置20及切断装置30相同，因此省略说明。隔壁修理用分配器160涂布粘性高的紫外线固化性树脂HR。紫外线固化性树脂 HR被利用空气压等经由隔壁修理用分配器160的喷嘴涂布于薄片基板FBI。这样，就形成 紫外线固化树脂的隔壁BA。形成于薄片基板冊上的紫外线固化树脂HR的隔壁BA被利用 水银灯等紫外线灯165固化。如果隔壁BA被修理，则用栅用修理液滴涂布装置120等涂布金属墨水Ml等，修理 有机EL元件50。在有机EL元件用的修理装置110的最后的工序中配置有移去器115。移 去器115将由压印形成的隔壁BA高出设计值而突出的部位、固化了的紫外线固化性树脂HR 高出设计值而突出的部位等削除，或将涂布于与设计值不同的部位的金属墨水Ml等削除。 具体来说，利用激光器等使缺陷部位升华，或利用小刀117将缺陷部位削掉。有机EL元件用的修理装置110将制造装置100在最终工序中将薄片基板FB卷绕 成卷筒状的卷绕滚筒RE安装于修理用供给滚筒FRL上。由此，修理装置110基本上沿与作 为制造装置100的行进方向的+X轴方向相反的-X轴方向送出薄片基板FB。S卩，修理装置 110从由制造装置100卷绕的卷绕滚筒RE的尾端向头端方向送出薄片基板FB，修理用卷绕 滚筒FRE将薄片基板FB卷绕。修理用供给滚筒FR及修理用卷绕滚筒FRE与制造装置100的供给滚筒RL及卷绕 滚筒RE相比可以形成很大的速度可变的可变量。如果在200m以上的薄片基板FB中从尾 端起102m到105m有多个修理部位，则修理用供给滚筒FRL及修理用卷绕滚筒FRE就从尾 端起到102m附近高速地旋转，其后以低速旋转，使薄片基板FB从尾端移动到102m的部位 的修理部位。通过修理装置110进行此种动作，就可以缩短在批处理中进行的修理时间。在修理用供给滚筒FRL的-X轴方向下游配置有第十一对准传感器CA11。第十一 对准传感器CA11检测第一标记AM及第二标记BM。在200m以上的薄片基板FB中从尾端 起102m到105m处有修理部位的情况下，高速地将薄片基板FB送出。由此，修理用主控制 部190基于每隔有机EL元件50的多个行形成的第二标记BM的图像信号，确认薄片基板FB 的输送位置。此后如果接近修理部位，则使用第一标记AM将薄片基板FB送至修理部位的 有机EL元件50的行数。在修理装置110的最终工序中，配置有用于确认是否充分地进行了修理的第十一 观察装置CHI 1。第十一观察装置CHI 1不仅可以设于最终工序中，也可以设于每个修理工序
16中。而且，图9A中虽然省略了发光层用的液滴涂布装置20以后的修理工序的说明，然 而当然也可以设置发光层用的修理液滴涂布装置120。图9B是图9A所示的批处理的修理装置110的修理流程图。在步骤P91中，修理用存储部197从制造装置100的存储部97接收修理部位的数 据。这样，修理用主控制部190就可以把握应当修理的修理部位。在步骤P92中，修理用主控制部190基于修理部位的行数，确定修理用供给滚筒 FRL等的旋转速度。例如，如果在靠近由制造装置100卷绕的卷绕滚筒RE的尾端的部位有 修理部位，则将修理用供给滚筒FRL等的旋转确定为低速。相反如果在远离卷绕滚筒RE的 尾端的部位有修理部位，则将修理用供给滚筒FRL等的旋转确定为高速。通过像这样控制 旋转速度，就可以使到达修理部位的移动时间缩短。修理用主控制部190以该确定了的旋 转速度将薄片基板FB沿-X轴方向送出。在步骤P93中，修理用主控制部190判断修理用供给滚筒FRL等是否是高速旋转。 如果是高速旋转，则前进到步骤P94，如果是低速旋转，则前进到步骤P97。 在步骤P94中，修理用位置计数部195基于图2所示的第一标记AM或第二标记BM 计数有机EL元件50的行数。由于薄片基板FB被沿-X轴方向输送，因此该行数的计数成 为行数减少的计数。在步骤P95中，基于利用修理用位置计数部195计数行数的结果，修理用主控制部 190判断是否接近修理部位。如果接近则前进到步骤P96，另外如果尚未接近则回到步骤 P94。在步骤P96中，修理用主控制部190将修理用供给滚筒FRL等的旋转设为低速。另 外，基于存储于修理存储部197中的修理部位数据选择修正装置，预先移动到缺陷的Y方向 位置。通过如此操作，就可以缩短修正时间。接着，在步骤P97中，基于第一标记AM计数行数，并且将第一标记AM作为对准标 记而确认位置。修理用主控制部190确认薄片基板FB的Y轴方向的偏移及倾斜等。在步骤P98中，基于第一标记AM的位置及存储于修理存储部197中的修理部位数 据，将修正装置110的位置沿X、Y的一方或双方微调，修理有机EL元件50的缺陷部位。如 果是隔壁BA的不良，则隔壁修理用分配器160、激光烧熔装置170或移去器15就会修理该 缺陷部位。如果是像素区域的金属墨水Ml的涂布不良，则用激光烧熔装置170去除不良的 金属墨水MI，用修理液滴涂布装置120SD重新涂布金属墨水Ml。像这样，修理用主控制部 190就与修理部位的不良内容对应地恰当地选择合适的修理工序。修正装置通过具有多个 相同的部分，就可以缩短或消除在Y方向上的移动。另外，也可以同时地进行修理。在步骤P99中，第十一观察装置CHI 1将修理状态的图像信号发送给修理用主控制 部190。此后确认修理部位是否被完全地修复。如果所有的修理部位的修理都已完成，则使滚筒FRL等反转，形成与由制造装置 100卷绕后的状态相同的状态(P100)。而且，虽然将利用修理用供给滚筒FRL等的薄片基板FB的输送速度设为低速和高 速两个阶段，然而也可以设为3个阶段以上的速度变化，这些速度控制优选进行PID控制等 反馈控制。
另外，上述流程图中，修理装置110是正在沿-X轴方向输送薄片基板FB的过程中 确认第一标记AM及第二标记BM。但是，修理装置110也可以在暂时地将薄片基板FB全都 沿-X轴方向输送后，在将薄片基板FB沿X轴方向输送中进行修理。<有机EL元件的制造兼修理装置>图10是表示一边制造有机EL元件50 —边观察缺陷部位，在存在缺陷部位的情况 下在线地修理缺陷部位的制造兼修理装置200的概略图。而且，图10中并未图示发光层工 序以后的工序。另外，图10中，对于与图1所示的制造装置100或图9A所示的修理装置 110相同的装置使用相同的符号。对于从供给滚筒RL中送出的薄片基板FB，以用压印辊10推压薄片基板FB，并且 所推压的隔壁BA保持形状的方式，用热转印辊15将薄片基板FB加热到玻璃化温度以上。在压印辊10的X轴方向下游，配置有第一观察装置CH1、隔壁修理用分配器160、 激光烧熔装置170。在激光烧熔装置170的下游配置有栅用修理液滴涂布装置120G。第一 观察装置CH1观察薄膜晶体管的配线用的以及像素显示用的隔壁BA是否被正确地形成。如 果用该第一观察装置CH1在隔壁BA中发现缺陷部位，则隔壁修理用分配器160就将紫外线 固化树脂HR涂布于薄片基板FBI。此后，用紫外线灯144使树脂固化而修理缺陷部位的 隔壁BA。另外，如果形成多余的隔壁BA，则用激光烧熔装置170将多余的隔壁BA除去。在 激光烧熔装置170的下游配置有第一对准传感器CA1。薄片基板FB在用第一对准传感器CA1检测出第一标记AM及第二标记BM后，进入 电极形成工序。电极形成工序中，栅用液滴涂布装置20G从第一对准传感器CA1接收位置信息而 将金属墨水Ml涂布于栅总线GBL的隔壁BA间的槽部GR。此后，用热处理装置BK干燥或煅 烧金属墨水Ml。在栅用液滴涂布装置20G的下游配置有第二观察装置CH2，在其下游配置有栅用 修理液滴涂布装置120G。第二观察装置CH2观察是否在栅总线GBL上涂布金属墨水Ml而 作为导线发挥作用。当用该第二观察装置CH2在栅总线GBL中发现缺陷部位时，则栅用修 理液滴涂布装置120G就将金属墨水Ml涂布于薄片基板FB上。在栅用修理液滴涂布装置 120G的下游配置有第二对准传感器CA2。下面，绝缘层用的液滴涂布装置201等也是相同，在制造工序后，具有观察工序， 如果在该观察工序中发现缺陷部位，则在修理工序中修理缺陷部位。而且，图10的制造兼 修理装置200中，移去器115被设于有机半导体用的修理液体涂布装置200S之后，然而也 可以在压印辊10之后、各液滴涂布装置20之后等处设置多个。而且，制造有机EL元件50的时间与修理相同的工序的缺陷部位的时间不一定一 致。另外，压印工序或各涂布工序也不是以相同的时间结束作业。由此，在在线地制造或修 理的情况下，必须与最花费时间的工序的速度匹配地旋转供给滚筒RL等。由于这样的话就 无法提高生产性，因此例如如果最花费时间的工序是用移去器115削除缺陷部位的工序， 则配置2台移去器115，或如图10的下段左端所示使薄片基板FB松弛，尽可能地提高生产 性。工业上的可利用性虽然对有机EL元件的制造装置及修理装置进行了说明，然而制造装置及修理装置也可以应用于场发射显示器及液晶显示元件等中。本实施方式虽然以使用了有机半导体 的薄膜晶体管进行说明，然而也可以是非晶硅系的无机半导体的薄膜晶体管。
另外，虽然在实施方式的制造装置100、修理装置110及制造兼修理装置200中设 置了热处理装置BK，然而提出过利用金属墨水Ml或发光层溶液等的改良而不需要热处理 的墨水或溶液。由此，本实施例中也不一定需要设置热处理装置BK。
权利要求
一种缺陷检测方法，是由多个像素构成的显示器件的缺陷检测方法，其特征在于，具备对所述显示器件的每个局部区域计测特征量的计测步骤；判定计测出的各局部区域的特征量是否在第一范围内的第一判定步骤；针对在该第一判定步骤中被判定为第一范围内的区域，算出该局部区域的特征量与该局部区域的周围的局部区域的特征量的差值的算出部；判定利用算出部算出的差值是否在第二范围内的第二判定步骤。
2.根据权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述显示器件的区域被以行列 区分，所述周边的局部区域是在行方向或列方向上与被判定为所述第一范围内的像素相邻 的像素。
3.根据权利要求1或2所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述特征量包括所述显示 器件的隔壁高度、所述隔壁的位置以及所述显示器件的电极与电极的间隙中的至少一个。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的缺陷检测方法，其特征在于，具备 将所述第一判定步骤中被判定为第一范围外的局部区域和所述第二判定步骤中被判定为第二范围外的局部区域作为缺陷进行计数的缺陷数计数步骤；当在所述缺陷数计数步骤中缺陷数大于第一阈值的情况下停止所述显示器件的生产 线的步骤。
5.根据权利要求2所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述显示器件被形成于滚筒上 的挠曲性的基板，该挠曲性的基板沿所述行方向被以给定速度输送，所述计测步骤中，用沿所述列方向伸展的传感器计测所述显示器件的特征量，并且根 据所述挠曲性的基板被输送的速度逐次更新所述特征量，来计测以行列区分的特征量。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的缺陷检测方法，其特征在于，具备由表示所述 显示器件的位置的指标来特定位置的步骤，对每个局部区域特定其位置。
7.一种缺陷检测方法，是显示器件的缺陷检测方法，其特征在于，具备对所述显示器件的每个局部区域计测特征量，基于计测出的区域的特征量对被判定为 缺陷区域的区域进行计数的缺陷计数步骤；当在所述缺陷计数步骤中缺陷数大于第一阈值的情况下，停止所述显示器件的生产线 的步骤；当在所述缺陷计数步骤中缺陷数小于第一阈值的情况下，计算给定面积内的缺陷密度 的缺陷密度计算步骤；当在所述缺陷密度计算步骤中缺陷密度大于第二阈值的情况下，停止所述显示器件的 生产线的步骤。
8.根据权利要求7所述的缺陷检测方法，其特征在于，具备当在所述缺陷密度计算步 骤中缺陷密度低于第二阈值的情况下，将所述显示器件在修理线中修理的步骤。
9.根据权利要求8所述的缺陷检测方法，其特征在于，在向所述修理线输送所述显示 器件时，将包含计测出的区域的位置信息及特征量的缺陷数据向所述修理线发送。
10.根据权利要求9所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述显示器件形成于滚筒上的挠曲性的基板上，在生产线上该挠曲性的基板被沿所述行方向以给定速度输送而卷绕成卷 筒状，在所述修理线中基于所述缺陷数据，修理由卷绕成卷筒状的状态送出的所述显示器件 的缺陷区域。
11.一种显示器件的缺陷检测装置，是由多个像素构成的显示器件的缺陷检测装置，其 特征在于，具备特征量判定部，其对所述显示器件的每个局部区域计测特征量，判定计测出的区域的 特征量是否在第一范围内；差值判定部，其针对通过该特征量判定部被判定为第一范围内的局部区域，算出该局 部区域的特征量与该局部区域的周边的局部区域的特征量的差值，判定该差值是否在第二 范围内。
12.根据权利要求11所述的显示器件的缺陷检测装置，其特征在于，所述显示器件的 局部区域被以行列区分，所述周边的局部区域是相对于被判定为所述第一范围内的局部区域在行方向或列方 向上相邻的区域。
13.根据权利要求11或12所述的显示器件的缺陷检测装置，其特征在于，具备缺陷数判定部，其将在所述第一判定步骤中被判定为第一范围外的局部区域和在所述 第二判定步骤中被判定为第二范围外的局部区域作为缺陷区域进行计数，判定该计数出的 缺陷数是否大于第一阈值；缺陷密度判定部，其计算在给定面积内所占的所述缺陷数，判定在给定面积内所占的 所述缺陷数是否大于第二阈值。
14.一种显示器件的缺陷检测装置，其特征在于，显示器件的缺陷检测装置具备缺陷数判定部，其对所述显示器件的每个局部区域计测特征量，基于计测出的局部区 域的特征量来对被判定为缺陷区域的局部区域的缺陷数进行计数，判定缺陷数是否大于第 一阈值；缺陷密度判定部，其当通过所述缺陷数判定部被判定为缺陷数小于第一阈值的情况下 计算在给定面积内所占的缺陷数，判定给定面积内所占的所述缺陷数是否大于第二阈值。
15.根据权利要求14所述的显示器件的缺陷检测装置，其特征在于，具备位置计数部，其特定所述缺陷区域的位置并作为位置信息输出；存储部，其存储包含判定为所述缺陷区域的区域的所述位置信息及所述特征量的缺陷 数据。
16.一种显示器件的缺陷检测装置，其特征在于，显示器件的缺陷检测装置具备缺陷密 度判定部，其中所述缺陷密度判定部对所述显示器件的每个局部区域计测特征量，基于计测出的 局部区域的特征量来对被判定为缺陷区域的局部区域的缺陷数进行计数，并且计算在给定 面积内所占的缺陷数，判定给定面积内所占的缺陷数是否大于第二阈值。
全文摘要
本发明提供一种显示器件(50)的缺陷检测方法及显示器件的缺陷检测装置，可以判定是能够在修理线中修正的缺陷还是必须停止生产线的缺陷。显示器件的缺陷检测方法具备对显示器件的每个局部区域计测特征量(P32)，基于计测出的区域的特征量计数判定为缺陷区域的区域的缺陷计数步骤(P36)；在缺陷计数步骤中缺陷数大于第一阈值的情况下，停止显示器件的生产线的步骤(P38、P42)；在缺陷计数步骤中缺陷数小于第一阈值的情况下，计算给定面积内的缺陷密度的缺陷密度计算步骤(P38)；在缺陷密度计算步骤中缺陷密度大于第二阈值的情况下，停止显示器件的生产线的步骤(P40、P42)。
文档编号G01B11/02GK101861516SQ200880110250
公开日2010年10月13日 申请日期2008年9月26日 优先权日2007年10月5日
发明者奈良圭, 浜田智秀 申请人:株式会社尼康