专利名称：一种测算Pb-Sn-Al层状复合材料界面电阻率的方法
技术领域：
本发明涉及一种测量计算H3-Sn-Al金属层状复合材料界面电阻的方法，结合四点共线探针法测量块体材料电阻及扫描电子显微镜微尺度标定技术，通过间接测量计算法获得微米数量级宽度Sn界面的电阻率，属于金属层状块体材料界面电阻率测算技术领域。
背景技术：
目前，对于电阻非常小的块体材料电阻的精确测量，精度较高的有诸如KEITHLEY 等品牌的低压低阻测量仪器，其采用四点共线探针法(也称为四端接线法)的原理测量块体电阻，最小测量值甚至可以达到几个纳欧(η Ω )的级别。但是，对于宽度仅在微米(μ m)数量级的H3-Sn-Al三元界面的情况(即Allb基体之间的界面宽度为微米数量级)，通过宏观的试验方法直接测量其界面电阻变得极为困难。学术界及工程上对于厚度极薄(微米及其以下数量级)的多组分界面电阻性能的研究尚处于非常浅显的阶段，根据一般常识，我们认为合金的导电性能要低于任何一种组成其成分的金属元素的导电性。然而，这种定性的分析对于揭示界面的导电性与所制备材料的工艺参数(如温度、压力、时间、组分等)之间的影响规律没有起到真正的指导作用或检验意义。在Pb-Sn-Al金属层状复合材料中，一个完整的被测电阻 4同时包括Pb纯电阻2 Bm，Al纯电阻矻以及Pb-Sn-Al界面电阻2 。为了精确测
量界面Sn的电阻Ssao的值，并进一步获得该界面的电阻率/^m，需要提出新的测量计算方法。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术之不足，提供一种精确测量计算H3-Sn-Al界面电阻率的测量计算方法。本发明测量计算H3-Sn-Al金属层状复合材料界面电阻率的方法，是假设有一个界面无接触电阻且与待测材料具有相同形状和横截面积的I^b-Al材料参照体，通过四点
共线探针法测量电阻法，测得被测体总电阻Ae及々1、Pb基体材料电阻和/ %，通过扫
描电镜微尺度标定技术，测得被测体的1 基体宽度/%、Al基体宽度Λ 、单侧界面宽度 1JW和横截面面积s’并计算出被测H3-Sn-Al层状复合块体材料的Al、Pb基体的电阻率
，ρ ,通过公式％ =得出参照体电阻没，再根据公式
权利要求
1. 一种测算H3-Sn-Al金属层状复合材料界面电阻率的方法，其特征在于具体步骤如下(1)假设有一界面没有接触电阻存在、且与被测体I^b-Sn-Al层状复合块体材料具有相同形状和横截面积s的In3-Al层状复合块体材料参照体，参照体与被测体满足条件Ipb = Ipb +〗顯、1为=l'M和= ,其中，7Pb为参照体1 基体的宽度，l'Pb为被测体Pb基体的宽度口胃胃为被测体单侧界面的宽度，和rA1分别为参照体和被测体Α 基体的宽度，和分别为参照体和被测体Al基体的电阻；(2)采用普通四探针测量法，分别测出H3-Sn-Al层状复合块体材料的总电阻、以及Al、Pb基体材料的电阻/。和/Pa，再测量出待测体I^b-Sn-Al层状复合材料的横截面面积s 及其1 基体宽度/%、Al基体宽度Iai和单侧界面宽度1 ■；(3)根据测量数据和电阻定义式通过多次测量求平均值的方法，分别计算出
全文摘要
本发明涉及一种测量计算Pb-Sn-Al层状复合材料界面电阻率的方法，属层状块体材料界面电阻率测算技术领域。假设有一个界面无接触电阻且与待测材料具有相同形状和横截面积的Pb-Al材料参照体，通过四点共线探针法测量电阻法，测得被测体总电阻及Al、Pb基体材料电阻RAl和RPb，通过扫描电镜微尺度标定技术，测得被测体的Pb基体宽度l’Pb、Al基体宽度lAl、单侧界面宽度l界面和横截面面积s，并计算出被测Pb-Sn-Al层状复合块体材料的Al、Pb基体的电阻率，通过公式，得出参照体电阻，再根据公式，计算获得界面电阻率。具有操作方便，计算方法简便易行，被测层状复合块体材料界面宽度可达到微米级以下等优点。
文档编号G01R27/02GK102243274SQ20111011520
公开日2011年11月16日 申请日期2011年5月5日 优先权日2011年5月5日
发明者周生刚, 孙勇, 段永华, 竺培显 申请人:昆明理工大学