专利名称：最小输出压降的二分步扫描测试方法
技术领域：
本发明涉及半导体成品特性参数的测试方法，特别是涉及一种最小输出压降的二分步扫描测试方法。
背景技术：
现有技术中，半导体封装后进行成品测试时，某些参数(例如LD0最小输出压降 Vdrop，所谓最小输出压降为产品输出电压为产品实际输出电压的98%时，输入电压V in与输出电压Vout的压差)，由于其是无法直接通过量取产品输出获得，因此，为获取产品的这些参数，现有技术常采用从高到低或者从低到高的直线扫描方式，通过观测产品的状态变化，以获得这些参数。例如采用直线扫描方式测试LDO最小输出压降Vdrop时，所需的测试时间为Tl =(Vdrop典型值/步长)*读值等待时间，设半导体产品的实际输出电压为1.25 V,Vdrop 典型值为0.6 V，那么输入电压V in至少需要从1.25V*0. 98的状态触发点开始以固定步长往上扫描，选取固定步长为lmV，此时，上述通过直线扫描的方式进行测试的时间为T3 =0. 6V(Vdrop典型值)/ImV (步长)*0. ImS (读值等待时间)=60mS。如果对半导体成品的输出电压的精度要求越高，则所需的扫描步长则越小，扫描时间花费则越长，进而测试时间也会增加，产出则变的较低，上述采用直线扫描方式进行测试不利于工业化大批量的半导体成品的测试。因此，为解决上述问题，亟需提供一种在保证测试精度的情况下，能够缩短测试时间、提升产出，同时显著降低了产品测试环节成本的最小输出压降的二分步扫描测试方法。
发明内容
本发明的目的在于避免现有技术中的不足之处而提供一种在保证测试精度的情况下，能够缩短测试时间、提升产出，同时显著降低了产品测试环节成本的最小输出压降的二分步扫描测试方法。本发明的目的通过以下技术方案实现
提供一种最小输出压降的二分步扫描测试方法，包括有以下步骤 步骤一，以第一步长在半导体产品参数范围内进行初步扫描，寻找状态触发点的输出电压A ；其中，所述状态触发点的输出电压A为半导体产品实际输出电压的98% ；
步骤二，将半导体产品参数范围锁定在以A 士(N*第一步长)的小区间内；其中，N为测试安全系数；
步骤三，以第二步长在所述步骤二中锁定的小区间内，依次开始扫描，获得所需的半导体产品的最小输出压降，完成扫描。其中，所述步骤三进一步包括，从A - (N*第一步长)开始由低到高依次开始扫描。其中，所述步骤三进一步包括，从A + (N*第一步长)开始由高到低依次开始扫描。其中，所述步骤一中的第一步长为设定的半导体产品输出电压精度的5倍。
其中，所述步骤三中的第二步长为设定的半导体产品输出电压精度的1/2。其中，所述设定的半导体产品输出电压精度为2mv。其中，所述第一步长为10mv，所述第二步长为lmv。其中，所述设定的半导体产品输出电压精度为lmv。其中，所述第一步长为5mv，所述第二步长为0. 5mv。其中，N为 2。本发明的有益效果
本发明的最小输出压降的二分步扫描测试方法，包括有以下步骤步骤一，以第一步长在半导体产品参数范围内进行初步扫描，寻找状态触发点的输出电压A ；其中，所述状态触发点的输出电压A为半导体产品实际输出电压的98% ；步骤二，将半导体产品参数范围锁定在以A 士(N*第一步长)的小区间内；其中，N为测试安全系数；步骤三，以第二步长在所述步骤二中锁定的小区间内，依次开始扫描，获得所需的半导体产品的最小输出压降，完成扫描。与现有技术的直线扫描相比，半导体产品的最小输出压降Vdrop项的测试时间由直线扫描的60mS缩短至8mS，由于减少了测试时间的花费，使得测试产出得到提升，同时还显著降低了产品测试环节的成本。
利用附图对发明作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本发明的任何限制， 对于本领域的普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据以下附图获得其它的附图。图1是本发明的最小输出压降的二分步扫描测试方法的测试时间比对图。在图1中包括有1——直线扫描时间曲线、2——二分步扫描时间曲线、Tl——第一扫描时间、T2——第二扫描时间、T3——直线扫描时间。
具体实施例方式
结合以下实施例对本发明作进一步描述。实施例1
本发明的最小输出压降的二分步扫描测试方法的具体实施方式
之一，包括有以下步
骤
步骤一，以第一步长在半导体产品参数范围内进行初步扫描，寻找状态触发点的输出电压A ；其中，状态触发点的输出电压A为半导体产品实际输出电压的98%。初步扫描的的目的是寻找状态触发点，以便锁定一个较小的区间供细致扫描使用，因此，第一步长可以选取的较大些，使得测试扫描阶段花费的时间大为节省。步骤一中的扫描花费的第一扫描时间Tl为(Vdrop典型值/第一步长)*读值等待时间。步骤二，将半导体产品参数范围锁定在以A 士(N*第一步长)的小区间内；其中， N为测试安全系数。步骤三，以第二步长在步骤二中锁定的小区间内，依次开始扫描，获得所需的半导体产品的最小输出压降，完成扫描。步骤二中的扫描花费的第二扫描时T2为(N*第一步长/第二步长)*读值等待时间。其中，第二步长可以采用与直线扫描同等步长进行扫描，其扫描得出的精度结果与直线扫描一致，故整个测试精度要求将不会影响，但测试时间花费方面，则会因初步扫描使用较大步长扫描的原因，而得到缩减。从图1中的直线扫描时间曲线和二分步扫描时间曲线可知，与现有技术的直线扫描相比，半导体产品的最小输出压降Vdrop项的测试时间缩短，由于减少了测试时间的花费，使得测试产出得到提升，同时还显著降低了产品测试环节的成本。具体的，步骤一中的第一步长为设定的半导体产品输出电压精度的5倍。具体的，步骤三中的第二步长为设定的半导体产品输出电压精度的1/2。具体的，N选取为2。为防止边缘值问题，故设2个扫描步长保证测试的安全性，防止漏扫，此外，N还可以选取2. 5、3或者其它的数值。实施例2
本发明的最小输出压降的二分步扫描测试方法的具体实施方式
之二，本实施例的主要技术方案与实施例1相同，在本实施例中未解释的特征，采用实施例1中的解释，在此不再进行赘述。本实施例与实施例1的区别在于，步骤三进一步包括，从A- (N*第一步长)开始由低到高依次开始扫描。实施例3
本发明的最小输出压降的二分步扫描测试方法的具体实施方式
之三，本实施例的主要技术方案与实施例1相同，在本实施例中未解释的特征，采用实施例1中的解释，在此不再进行赘述。本实施例与实施例1的区别在于，步骤三进一步包括，从A+ (N*第一步长)开始由高到低依次开始扫描。实施例4
本发明的最小输出压降的二分步扫描测试方法的具体实施方式
之四，本实施例的主要技术方案与实施例1相同，在本实施例中未解释的特征，采用实施例1中的解释，在此不再进行赘述。本实施例与实施例1的区别在于，选取设定的半导体产品输出电压精度为2mv， 则第一步长为10mv，第二步长为lmv。较为常用。选取Vdrop典型值为0. 6 V进行计算，采用二分步扫描测试方法的总测试时间包括 Tl = 0. 6V(Vdrop 典型值)/IOmV (步长)*0. ImS (读值等待时间)=6mS ；T2 = 0. 02V(小区间范围)/ImV (步长)*0. ImS (读值等待时间)=2mS，则总测试时间为T = Tl+T2=8mS。实施例5
本发明的最小输出压降的二分步扫描测试方法的具体实施方式
之五，本实施例的主要技术方案与实施例2相同，在本实施例中未解释的特征，采用实施例2中的解释，在此不再进行赘述。本实施例与实施例2的区别在于，选取设定的半导体产品输出电压精度为2mv， 则第一步长为lOmv，第二步长为lmv。较为常用。选取Vdrop典型值为0. 6 V进行计算，采用二分步扫描测试方法的总测试时间包括 Tl = 0. 6V (Vdrop 典型值)/IOmV (步长)*0. ImS (读值等待时间)=6mS ；T2 = 0. 02V (小区间范围)/ImV (步长)*0. ImS (读值等待时间)=2mS，则总测试时间为T = Tl+T2=8mS。实施例6
本发明的最小输出压降的二分步扫描测试方法的具体实施方式
之六，本实施例的主要技术方案与实施例3相同，在本实施例中未解释的特征，采用实施例3中的解释，在此不再进行赘述。本实施例与实施例3的区别在于，选取设定的半导体产品输出电压精度为2mv， 则第一步长为10mv，第二步长为lmv。较为常用。选取Vdrop典型值为0. 6 V进行计算，采用二分步扫描测试方法的总测试时间包括 Tl = 0. 6V(Vdrop 典型值)/IOmV (步长)*0. ImS (读值等待时间)=6mS ；T2 = 0. 02V(小区间范围)/ImV (步长)*0. ImS (读值等待时间)=2mS，则总测试时间为T = Tl+T2=8mS。实施例7
本发明的最小输出压降的二分步扫描测试方法的具体实施方式
之七，本实施例的主要技术方案与实施例1相同，在本实施例中未解释的特征，采用实施例1中的解释，在此不再进行赘述。本实施例与实施例1的区别在于，设定的半导体产品输出电压精度为lmv，第一步长为5mv，第二步长为0. 5mv。实施例8
本发明的最小输出压降的二分步扫描测试方法的具体实施方式
之八，本实施例的主要技术方案与实施例2相同，在本实施例中未解释的特征，采用实施例2中的解释，在此不再进行赘述。本实施例与实施例2的区别在于，设定的半导体产品输出电压精度为lmv，第一步长为5mv，第二步长为0. 5mv。实施例9
本发明的最小输出压降的二分步扫描测试方法的具体实施方式
之九，本实施例的主要技术方案与实施例3相同，在本实施例中未解释的特征，采用实施例3中的解释，在此不再进行赘述。本实施例与实施例3的区别在于，设定的半导体产品输出电压精度为lmv，第一步长为5mv，第二步长为0. 5mv。最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
权利要求
1.最小输出压降的二分步扫描测试方法，其特征在于，包括有以下步骤步骤一，以第一步长在半导体产品参数范围内进行初步扫描，寻找状态触发点的输出电压A ；其中，所述状态触发点的输出电压A为半导体产品实际输出电压的98% ；步骤二，将半导体产品参数范围锁定在以A 士(N*第一步长)的小区间内；其中，N为测试安全系数；步骤三，以第二步长在所述步骤二中锁定的小区间内，依次开始扫描，获得所需的半导体产品的最小输出压降，完成扫描。
2.根据权利要求1所述的最小输出压降的二分步扫描测试方法，其特征在于所述步骤三进一步包括，从A - (N*第一步长)开始由低到高依次开始扫描。
3.根据权利要求1所述的最小输出压降的二分步扫描测试方法，其特征在于所述步骤三进一步包括，从A + (N*第一步长)开始由高到低依次开始扫描。
4.根据权利要求1所述的最小输出压降的二分步扫描测试方法，其特征在于所述步骤一中的第一步长为设定的半导体产品输出电压精度的5倍。
5.根据权利要求1所述的最小输出压降的二分步扫描测试方法，其特征在于所述步骤三中的第二步长为设定的半导体产品输出电压精度的1/2。
6.根据权利要求4或5所述的最小输出压降的二分步扫描测试方法，其特征在于所述设定的半导体产品输出电压精度为2mv。
7.根据权利要求6所述的最小输出压降的二分步扫描测试方法，其特征在于所述第一步长为10mv，所述第二步长为lmv。
8.根据权利要求4或5所述的最小输出压降的二分步扫描测试方法，其特征在于所述设定的半导体产品输出电压精度为lmv。
9.根据权利要求8所述的最小输出压降的二分步扫描测试方法，其特征在于所述第一步长为5mv，所述第二步长为0. 5mv。
10.根据权利要求1所述的最小输出压降的二分步扫描测试方法，其特征在于N为2。
全文摘要
本发明公开了最小输出压降的二分步扫描测试方法，其技术方案包括步骤一，以第一步长在半导体产品参数范围内进行初步扫描，寻找状态触发点的输出电压A；其中，所述状态触发点的输出电压A为半导体产品实际输出电压的98％；步骤二，将半导体产品参数范围锁定在以Ａ±(N*第一步长)的小区间内；其中，N为测试安全系数；步骤三，以第二步长在所述步骤二中锁定的小区间内，依次开始扫描，获得所需的半导体产品的最小输出压降，完成扫描。与现有技术的直线扫描相比，半导体产品的最小输出压降Vdrop项的测试时间由直线扫描的60ms缩短至8ms，由于减少了测试时间的花费，使得测试产出得到提升，同时还显著降低了产品测试环节的成本。
文档编号G01R31/26GK102313866SQ201110213818
公开日2012年1月11日 申请日期2011年7月29日 优先权日2011年7月29日
发明者何锦文, 罗径华 申请人:杰群电子科技(东莞)有限公司