专利名称：用于制造传感器的方法
技术领域：
本文主题通常涉及可以用来探测由机械应力、化学机械应力、热应力、电磁场等生成的微小的力或挠曲的、基于半导体微机电(MEMS)的传感器配置。尤其是，本文公开的主题涉及一种基于MEMS的压力传感器及用于制造它的方法。
背景技术：
在基于半导体微电子和MEMS的传感器中的发展主要在于减小这种传感器的尺寸和成本。硅微传感器的电子性能和机械性能已被很好地记载。硅微机械加工和半导体微电子技术已经发展进入具有众多实际应用的核心传感器工业中。例如，广为人知的微机械加工硅压力传感器、加速度传感器、流量传感器、湿度传感器、麦克风、机械振荡器、光学和RF 开关及衰减器、微型阀、喷墨印刷头、原子力显微镜针尖等已用于大批量医疗、航天、工业和汽车市场中的多种应用中。硅的高屈服强度、室温下的弹性、以及硬度性能使得其是用于谐振结构的理想的基础材料，其中谐振结构例如可以用于电子频率控制或者传感器结构。 甚至诸如手表、潜水呼吸设备和便携式轮胎压力计的消费产品也可并入硅微机械加工传感器。随着使用领域的不断扩大，对于硅传感器的需求继续推动对新的和不同的硅微传感器几何形状和配置的需求，这种新的和不同的硅微传感器几何形状和配置对特定环境和应用进行了优化。不幸的是，传统的批量硅微机械加工技术的缺点是得到的硅微结构的外形和几何形状已经受到制造方法的严重限制。例如，利用传统的蚀刻技术蚀刻硅结构部分地受到硅衬底的晶向的约束，这限制了许多所需结构的几何形状和小型化努力。微传感器对测量压力的不断增加的使用刺激了例如用作电容器且用于产生静电力的小硅板结构的发展。例如，存在采用互相交叉的多晶硅板阵列来测量电容的微传感器。 类似地，存在采用层状板阵列来产生静电力的微传感器。此外，存在响应诸如压力或加速度的力来测量硅结构的挠曲或弯曲的微传感器。对于通常的微机电器件、且尤其是压力传感器的使用领域的扩大已经产生了对越来越小器件的需求。不幸的是，生产更小的器件(其还对压力的微小变化是高灵敏的)是困难的。由于器件的小尺寸和所使用的几何形状的薄的性质，传统的技术难以维持所需要的严格容差。提供一种用于制备不仅尺寸小、且能够有效地大批量生产的高灵敏的压力传感器的方法是有利的。
发明内容
公开了一种用于制造传感器的方法，在一个实施例中包括如下步骤在第一器件晶片的第一器件层的上表面中形成互连窗，第一器件晶片包括第一器件层、第一绝缘体层、 和第一基板层(handle layer)，第一绝缘体层位于第一器件层和第一基板层之间；在第一器件层中设置互连，互连包括沿邻近第一器件晶片的上表面的第一器件层延伸的、间隔开的内部互连和外部互连，邻近互连窗的一部分定位的下部互连，连接内部互连和下部互连的互连馈线，以及连接外部互连和下部互连的外部互连馈线；在第二器件晶片的第二器件层的上表面中形成隔膜腔；将所述第一器件层的上表面接合到第二器件层的上表面以在隔膜腔上方形成隔膜；从第一器件晶片移除第一基板层和第一绝缘体层；将传感元件紧接隔膜地设置到第一器件层中以感测隔膜中的挠曲；以及将盖接合到内部互连和外部互连之间的隔膜上方。
根据以下方式来理解本发明的特征，即可以通过参考某些实施例来得到本发明的详细描述，其中一些实施例阐明在附图中。然而，应当注意的是图仅仅阐明了本发明的某些实施例且因而不能看作对其范围的限定，因为本发明的范围包括其它同等效果实施例。不必依比例绘制附图，重点通常在于阐明本发明的某些实施例的特征。因而，为了进一步理解本发明，可以结合附图阅读来参考以下详细描述，在附图中图1是本发明的一个实施例中的示范传感器的截面图。图2是本发明的一个实施例中的用于制造传感器的两个示范绝缘体上硅器件晶片的截面图。图3是本发明的一个实施例中的用于制造传感器的示范处理流程。图4是本发明的一个实施例中的具有蚀刻钝化层的第一器件晶片的示范截面图。图5是本发明的一个实施例中的具有互连窗的第一器件晶片的示范截面图。图6是本发明的一个实施例中的具有互连窗、下部互连、和内部下互连馈线与外部下互连馈线的第一器件晶片的示范截面图。图7是本发明的一个实施例中的具有隔膜腔的第二器件晶片的示范截面图。图8是本发明的一个实施例中的接合到第二器件晶片的第二器件层的示范第一器件晶片的第一器件层。
具体实施例方式本书面描述使用示例来公开包括最佳模式的本发明，以及还使本领域技术人员能实践本发明，包括制作和使用任何装置或系统及执行任何并入的方法。本发明可取得专利的范围由权利要求确定，且可包括本领域技术人员想到的其它示例。如果此类其它示例具有与权利要求字面语言无不同的结构要素，或者如果它们包括与权利要求字面语言无实质不同的等效结构要素，则它们规定为在权利要求的范围之内。可以通过在硅结构内形成腔和邻近腔形成隔膜来制作示范微机械加工压力传感器。在其中关于选择的参考压力来进行测量的绝对压力传感器实施例中，可以将腔保持在真空或选择的内部压力中。压力传感器通过感测隔膜的挠曲来测量压力，例如压力如何作用于隔膜的背侧使得隔膜朝向压力室弯曲，其中压力室具有通过设置在隔膜上方的盖形成的参考压力。形成在隔膜边缘附近的一个或多个感测元件通常感测隔膜的挠曲或弯曲。图1是本发明的一个实施例中的传感器10的示范截面图。传感器10可以采用被处理且接合在一起的两个晶片来制备，例如两个绝缘体上硅(SOI)半导体晶片、SOI晶片和双侧抛光(DSP)半导体晶片、或其中一个为外延片(印iwafer)的两个DSP晶片。图2示出了本发明的一个实施例中的两个示范起始晶片。第一器件晶片和第二器件晶片100与200 分别可以是SOI晶片，其分别具有第一器件层和第二器件层110与210、第一绝缘体层和第二绝缘体层120与220、以及第一基板层和第二基板层130与230。在一实施例中，第一器件层110可以是单晶硅衬底，其可以具有η型掺杂且具有合适的厚度以符合传感器10的运行特性和物理设计特性。在一个实施例中，第二器件层210可以是单晶硅衬底，其可以具有选择的厚度以符合特定设计规范，且可以具有η型或ρ型掺杂。SOI晶片的多种层的厚度可以采用传统的SOI芯片制备技术来精确设定，且可以选择成使得层的精确厚度决定传感器 10的后续运行特性和物理特性，如下所述。在一个实施例中，第一绝缘体层和第二绝缘体层 120与220可以是二氧化硅且具有合适的厚度以符合传感器10的制备和设计要求。第一基板层和第二基板层130和230可以用来在制备过程期间分别固定(grip)第一器件晶片和第二器件晶片100和200，且能够定位成使得第一绝缘体层和第二绝缘体层120与220分别位于第一器件层和第二器件层110和210与第一基板层和第二基板层130与230之间。 第一基板层和第二基板层130和230可以由例如η型或ρ型硅构成且具有合适的厚度以符合传感器10的设计和制备要求。在一个实施例中，第二器件晶片200可以是双侧抛光硅晶片，且在一个实施例中，该硅晶片可以具有η型或ρ型掺杂并具有合适的厚度以符合传感器 10的设计和制备要求。同时，构成传感器10的多种层的厚度可以选择成使得器件的整体厚度符合传感器10的运行特性和物理设计特性。再次参考图1，传感器10可以包含第一器件层110和第二器件层210。策略上地， 例如P型压阻感测元件的一个或更多的感测元件310可以注入或扩散入第一器件层110内以感测硅结构的挠曲，尤其是悬置在传感器10内的开口隔膜腔240上方的隔膜300的挠曲。传感器10也可以包括可由例如二氧化硅层、氮化硅层、或二者组合构成的传感器钝化层180和上部器件钝化层160。传感器钝化层180可以在制备和运行期间为传感器10提供电绝缘和保护。形成于第一器件层110中的一个或多个互连400可以将一个或多个感测元件310电耦合到传感器10的外表面，同时一个或多个金属化层600可以在互连400与传感器10上的外部接触之间提供电连接，以便传感器10能够经由例如引线附件电耦合到其它器件或连接。如下所述，位于互连窗350内的上部器件钝化层160的一部分能够起到在制备期间保护第一器件层110的待成为下部互连420的那些部分的功能。接合到第一器件层 110的盖500在隔膜300上方形成压力室510，可以任意选择其内的压力以符合设计和性能规范。参考图1，描述了本发明的一实施例中的示范传感器10及其运行。传感器10通过测量形成在第一器件层110中的薄结构或隔膜300中的挠曲来运行，其中隔膜300位于形成在第二器件层210中的隔膜腔240上方，且第二器件层210可以接合到第一器件层110。 隔膜300可以用作传感器10中的挠曲结构。随着隔膜300下的压力的变化，隔膜300将相对压力室510内的压力朝向或远离隔膜腔240地挠曲。隔膜300以预定的方式根据施加在隔膜300上的压力来相对隔膜腔240挠曲。隔膜300中的挠曲可以通过形成于第一器件层110中的、在隔膜300的边缘上或附近的一个或多个感测元件310来探测。在一个实施例中，采用压阻感测元件，感测元件310的电阻可以经由电路来确定，该电路诸如惠斯登电桥电路等，采用附连到一个或多个金属化层600的一个或多个互连400来进行互连。电接口或其它这种器件可以附连到金属化层600的末端，以与另一个器件电通信地设置传感器
610。压阻感测元件310的电阻随隔膜300的挠曲而改变。因而，可以采用测量感测元件310 的压阻电阻来确定隔膜300中的挠曲量，且因而确定施加到传感器上的压力。参考图1-8来解释用于制造类似图1所示的硅传感器的示范过程。图3是用于制造本发明的一个实施例中的传感器10的示范处理流程700。参考图3和图4，在图3的步骤701中，上部器件钝化层和下部器件钝化层140和150可以分别沉积在器件晶片100的上表面和下表面上，其可以采用例如二氧化硅层、氮化硅层、或二者组合以在制造过程期间保护且绝缘器件晶片100。然后，在步骤705中可以为开口的互连窗350可形成在上部钝化层140中且延伸进第一器件层110。在一个实施例中，互连窗350可以通过使用干法蚀刻技术或湿法蚀刻技术形成在上部钝化层140和第一器件层110两者中，蚀刻技术例如DRIE、采用KOH或TMAH、或其它硅蚀刻剂等的湿法蚀刻。在其它实施例中，可以通过湿法蚀刻或干法蚀刻上部钝化层140，然后湿氧化或干氧化第一器件层110至所需深度来形成互连窗350。 氧化期间生长的氧化物随后可以采用湿移除技术或干移除技术来移除。然后，在步骤710 中，可以采用干法蚀刻技术或湿法蚀刻技术移除上部器件钝化层和下部器件钝化层140和 150。参考图3和5，在图3的步骤715中，上部器件钝化层和下部器件钝化层160和170 可以分别沉积在器件晶片100的上表面和下表面上，其可采用例如二氧化硅层、氮化硅层、 或二者组合。如图5所示，钝化160也可以沉积在互连窗350的内表面上。参考图3和6，在一个实施例中，在步骤720中下部互连420、内部下互连馈线440 和外部下互连馈线445两者都可以通过将高掺杂ρ型掺杂剂扩散或注入进第一器件层110， 并随后在800至1200摄氏度下退火来形成。在一个实施例中，下部互连420、内部下互连馈线440和外部下互连445可以采用单一过程来形成，然而在其它实施例中，它们可以采用单独的步骤和技术来形成。然后，在步骤725中，可以采用湿法蚀刻技术或干法蚀刻技术移除位于互连窗350外的下部器件钝化层170和部分上部器件钝化层160。参考图3和7，在步骤730中，将隔膜腔240蚀刻进第二器件层210的上表面。可以采用DRIE、利用KOH或TMAH、或其它硅蚀刻剂等的湿法蚀刻直接将隔膜腔240蚀刻进第二器件层210。隔膜腔240可以具有多种几何形状，例如正方形、矩形或圆形，且可以具有任何需要的深度以符合传感器10的物理和运行设计要求，这又可以依赖于传感器10所使用的特定应用和/或第二器件层210的选择的厚度。隔膜腔240的表面可以是裸硅、氧化硅、 掺杂硅、或可以通过任何能够经受后续晶片接合和处理温度的其它薄膜来涂敷。参考图3和8，在步骤735中，采用传统的硅熔接接合技术将第一器件层110的暴露的上表面接合到第二器件层210的暴露的上表面。在一个示范熔接接合技术中，相对表面可以具有亲水性，即可以采用强氧化剂处理表面以促使水黏合到它们。然后可以将两个晶片置于高温环境中以形成接合，其质量可以通过晶片暴露到高温环境的时间间隔来确定。上述的硅熔接接合技术分别将第一器件层和第二器件层110和210结合在一起而不使用可能具有与单晶硅晶片不同的热膨胀系数的中间黏合材料。也可以以在一个或两个晶片的接合表面上形成氧化层来执行熔接接合。在接合的配置中，互连窗350和位于互连窗350 内的部分钝化层160能够起到将互连400与第二器件层210隔离的作用。然后，在步骤740中，器件晶片100的第一基板层130可以采用诸如KOH或TMAH 的湿法蚀刻剂来移除，其中湿法蚀刻剂在第一绝缘体层120停止。此外，第一绝缘体层120可以采用湿法蚀刻技术或干法蚀刻技术来移除，仅留下被接合的第一器件层110，此时其非接合的上表面暴露出来。在其它实施例中，第一基板层130和第一绝缘体层120两者都采用诸如研磨的物理减薄技术来移除和/或减薄。此外，在步骤745中，上部传感器钝化层和下部传感器钝化层180和190(未示出190)可以沉积在第一器件层110的非接合的上表面和第二基板层230的暴露的下表面上，例如采用二氧化硅、氮化硅层、或其组合。参考图1和3，在步骤750中，在一个实施例中，内部上互连馈线430和外部上互连馈线435可以通过将高掺杂ρ型掺杂剂扩散或注入进第一器件层110并随后在800至1200 摄氏度下退火来形成。在一实施例中，内部上互连430、外部上互连435、内部下互连馈线 440和外部下互连馈线445、连同内部互连410和外部互连450采用单一过程来形成，然而在其它实施例中，它们可以采用单独的步骤和技术来形成。在步骤755中，可以通过将低掺杂ρ型材料扩散或离子注入进η型掺杂的第一器件层110的与隔膜300(其可以形成为第一器件层110的一部分)相对的预定位置中，来将一个或多个感测元件310设置在第一器件层110中，其中在一实施例中使用压阻感测元件作为感测元件310。例如，高温下的硼注入和扩散可以在第一器件层110内形成压阻感测元件310。感测元件310可以定位成感测隔膜300中的挠曲。应当注意可以使用任意数量的感测元件310，且取决于特定应用、预期的压力、灵敏度要求等它们关于隔膜300的精确定位可以不同。此外，可以通过将高掺杂P型材料扩散或离子注入进η型掺杂的第一器件层110来增加可分别向感测元件310提供电传导的一个或多个内部互连和外部互连410和 450。内部互连410可以设置于具有感测元件310的重叠配置中。步骤755中扩散或注入的组件可以采用单个过程执行或者采用多个过程分离地注入或扩散。同时，内部互连410、 下部互连420、内部上互连馈线430、外部上互连馈线435、内部下互连馈线440、外部下互连馈线445、以及外部互连450可以彼此电通信且可以构成互连400。在一些实施例中，一起构成互连400的独立组件可以合并或制造为单个组件。例如，内部上互连馈线430和内部下互连馈线440可以制造为单个组件以形成单个的内部互连馈线，同时外部上互连馈线 435和外部下互连馈线445可以制造为单个组件以形成单个的外部互连馈线。在一个实施例中，一起构成互连400的不同组件可以通过参考图3所描述的一系列非连续步骤设置到第一器件层110内。在其它实施例中，一起构成互连400的组件可以通过一个或多个连续步骤设置到第一器件层110内。然后，在步骤760中，可以增加金属化层600，其通过互连400提供传感器10的外表面至感测元件310的电传导。为了提供至外部互连450的通路，可以采用干法蚀刻技术或湿法蚀刻技术在上部传感器钝化层180中做出开口。然后可以增加并形成金属化层600， 其可由例如金或铝构成，且可以形成为所需厚度以满足器件设计和制造需求。在步骤765中，可以将盖500接合到互连窗350上的第一器件层110。在一个实施例中，盖500可以是预制玻璃晶片。在其它实施例中，盖500可以由硅制成。可以采用多种传统接合技术将盖500接合到器件晶片110，例如玻璃至硅静电接合、共晶接合、或者玻璃粉接合。在其它实施例中，为了限定接合区，可以采用湿法蚀刻技术或干法蚀刻技术在上部传感器钝化层180中做出一个或多个盖蚀刻520，以暴露第一器件层110的硅。在此实施例中，盖500可以延伸穿过上部传感器钝化层180且采用例如静电接合直接接合到第一器件层110。盖500可以在隔膜300上形成压力室510且还能保护隔膜300免遭环境危害。
最后，在步骤770中，可以采用诸如KOH或TMAH的湿法蚀刻剂来移除第二器件晶片200的第二基板层230，蚀刻剂止于第二绝缘体层220。此外，可以采用湿法蚀刻技术或干法蚀刻技术来移除第二绝缘体层220，剩下暴露的非接合的第二器件层210的下表面且暴露隔膜腔M0。在其它实施例中，第二基板层230和第二绝缘体层220两者都可以采用诸如研磨的物理减薄技术来移除和/或减薄。可以采用多种湿法蚀刻技术或干法蚀刻技术或研磨来进一步减小第二器件层210的厚度以满足给定的设计要求。参考本文描述的实施例，在传感器10制造期间做出的每个蚀刻依赖于特定应用可以具有任意选定的几何形状且可以具有任意需要的深度。此外，蚀刻不需要具有单一、均勻深度，且得到的蚀刻可以是各向同性或各向异性的。可以选择每个蚀刻的所选的深度和几何形状以改变所得到的传感器10的设计特性。例如，可以选择第一器件层110的厚度和由隔膜腔240所规定的隔膜300的尺寸和形状，来确定所得到的传感器10的灵敏度。可以在制备SOI晶片时任意选择且精确控制的第一器件层110的选定厚度，使得改善了对隔膜 300的挠性的控制，且因而改善了对得到的传感器10的性能特性的控制。此外，平面制备过程用于制备目的是理想的且不仅能够增加制造产量，而且能够增加得到的器件的整体可靠性和长期性能。因此，可以获得对传感器10的性能特性的均勻控制。提供上述具体描述以阐明示范实施例且无意于限定。虽然已经相对测量压力的实施例示出且描述了用于制造传感器的方法，但是对于本领域技术人员来说很明显地是可以使用相似的技术来制造能够测量其它参数的传感器。例如，应当认识到本文描述的制备装置和方法可以用于未在本文中明确描述的多种其它应用。对于本领域技术人员来说也是很明显地是在本发明的范围内可能作出许多修改和改变。此外，在描述为本领域技术人员将认识到的示范方法和结构的范围内可以使用许多其它材料和处理。例如，应当认识到本文描述的P型材料和η型材料可以以替代的方式使用，例如，通过采用P型材料替代η型材料且反之亦然。此外，对本领域技术人员来说很明显地是，在多种示范实施例中识别和描述的步骤顺序不必按照描述的顺序进行，且在其它实施例中可以以不同顺序结合、(或连续地、 或非连续地、或并行地)执行多种步骤，且仍然获得了相同结果。本书面描述使用示例来公开包括最佳模式的本发明，以及还使本领域技术人员能实践本发明，包括制作和使用任何装置或系统及执行任何并入的方法。本发明可取得专利的范围由权利要求确定，且可包括本领域技术人员想到的其它示例。如果此类其它示例具有与权利要求字面语言无不同的结构要素，或者如果它们包括与权利要求字面语言无实质不同的等效结构要素，则它们规定为在权利要求的范围之内。配件表10传感器100第一器件晶片110第一器件层120第一绝缘体层130第一基板层140上部器件钝化层150下部器件钝化层160上部器件钝化层
170下部器件钝化层
180上部传感器钝化层
190下部传感器钝化层
200第二器件晶片
210第二器件层
220第二绝缘体层
230第二基板层
240隔膜腔
300隔膜
310感测元件
350互连窗
400互连
410内部互连
420下部互连
430内部上互连馈线
435外部上互连馈线
440内部下互连馈线
445外部下互连馈线
450外部互连
500盖
510压力室
520盖蚀刻
600金属化层
610金属化蚀刻
700处理流程
701,705,
710、715处理步骤
720、725处理步骤
730,735处理步骤
740、745处理步骤
750、755处理步骤
760、765处理步骤
770处理步骤
权利要求
1.一种用于制造传感器的方法，包括以下步骤在第一器件晶片的第一器件层的上表面中形成互连窗，所述第一器件晶片包括所述第一器件层、第一绝缘体层和第一基板层，所述第一绝缘体层位于所述第一器件层和所述第一基板层之间；在所述第一器件层中设置互连，所述互连包括位于所述第一器件层中且邻近所述上表面的一部分的间隔开的内部互连和外部互连、邻近所述互连窗的一部分定位的下部互连、 连接所述内部互连和所述下部互连的内部互连馈线、以及连接所述外部互连和所述下部互连的外部互连馈线；在第二器件晶片的第二器件层的上表面中形成隔膜腔；将所述第一器件层的所述上表面接合到所述第二器件层的所述上表面以在所述隔膜腔上方形成隔膜；从所述第一器件晶片移除所述第一基板层和所述第一绝缘体层；在所述第一器件层中关于所述隔膜设置感测元件，以感测所述隔膜中的挠曲；以及在所述隔膜上方设置盖。
2.根据权利要求1所述的用于制造传感器的方法，其中，在所述第一器件层中设置互连的所述步骤包括用于设置所述内部互连、外部互连、下部互连、内部互连馈线、和外部互连馈线的多个独立、连续的步骤。
3.根据权利要求1所述的用于制造传感器的方法，其中，在所述第一器件层中设置互连的所述步骤包括用于设置所述内部互连、外部互连、下部互连、内部互连馈线、和外部互连馈线的多个独立、非连续的步骤。
4.根据权利要求1所述的用于制造传感器的方法，进一步包括形成金属化层的步骤， 所述金属化层提供所述传感器的外表面和所述互连之间的电通信。
5.根据权利要求1所述的用于制造传感器的方法，其中，所述感测元件是压阻感测元件。
6.根据权利要求1所述的用于制造传感器的方法，其中，所述第二器件晶片包括双侧抛光半导体晶片。
7.根据权利要求1所述的用于制造传感器的方法，其中，所述第二器件晶片包括第二器件层、第二绝缘体层和第二基板层，其中所述第二绝缘体层位于所述第二器件层和所述第二基板层之间。
8.根据权利要求7所述的用于制造传感器的方法，还包括从所述第二器件晶片移除所述第二基板层和所述第二绝缘体层的步骤。
9.根据权利要求1所述的用于制造传感器的方法，其中，所述传感器测量绝对压力。
10.根据权利要求1所述的用于制造传感器的方法，其中，所述盖是玻璃。
11.一种用于制造传感器的方法，包括以下步骤在第一器件晶片的第一器件层的上表面中形成互连窗，所述第一器件晶片包括所述第一器件层、第一绝缘体层、和第一基板层，所述第一绝缘体层位于所述第一器件层和所述第一基板层之间；在所述互连窗下、所述第一器件层中以间隔开的配置设置内部下互连馈线和外部下互连馈线；在所述互连窗和所述第一器件层中的所述内部下互连馈线与外部下互连馈线之间设置下部互连，所述下部互连与所述内部下互连馈线与外部下互连馈线电通信；在第二器件晶片的第二器件层的上表面中形成隔膜腔；将所述第一器件层的所述上表面接合到所述第二器件层的所述上表面以在所述隔膜腔上方形成隔膜；从所述第一器件晶片移除所述第一基板层和所述第一绝缘体层；在所述第一器件层的所述上表面和所述内部下互连馈线与外部下互连馈线之间设置内部上互连馈线和外部上互连馈线，所述内部上互连馈线与所述内部下互连馈线电通信， 而所述外部上互连馈线与所述外部下互连馈线电通信；在所述第一器件层中关于所述隔膜设置感测元件，以感测所述隔膜中的挠曲；在所述第一器件层中设置与所述感测元件和所述内部上互连馈线电通信的内部互连；在所述第一器件层中设置与所述上外部互连馈线电通信的外部互连；以及在所述隔膜上方设置盖。
12.根据权利要求11所述的用于制造传感器的方法，还包括形成金属化层的步骤，所述金属化层提供所述传感器的外表面和所述外部互连之间的电通信。
13.根据权利要求11所述的用于制造传感器的方法，其中，所述感测元件是压阻感测元件。
14.根据权利要求11所述的用于制造传感器的方法，其中，所述第二器件晶片包括双侧抛光半导体晶片。
15.根据权利要求11所述的用于制造传感器的方法，其中，所述第二器件晶片包括第二器件层、第二绝缘体层、和第二基板层，其中所述第二绝缘体层位于所述第二器件层和所述第二基板层之间。
16.根据权利要求15所述的用于制造传感器的方法，还包括从所述第二器件晶片移除所述第二基板层和所述第二绝缘体层的步骤。
17.根据权利要求11所述的用于制造传感器的方法，其中，所述传感器测量绝对压力。
18.根据权利要求11所述的用于制造传感器的方法，其中，所述器件层的厚度决定所述传感器的灵敏度。
19.根据权利要求11所述的用于制造传感器的方法，其中，所述盖是玻璃。
20.根据权利要求11所述的用于制造传感器的方法，其中，设置所述感测元件、所述内部互连和所述外部互连的所述步骤同时执行。
全文摘要
本发明名称为“用于制造传感器的方法”。本发明公开了一种用于制造传感器的方法，在一个实施例中其将第一器件晶片接合到已蚀刻的第二器件晶片以产生一悬置结构，悬置结构的挠曲通过嵌入的感测元件来确定，感测元件通过嵌入于第一器件晶片的器件层中的互连与传感器的外表面电通信。在一个实施例中，通过盖来密封悬置结构且传感器配置成测量绝对压力。
文档编号G01L1/18GK102583232SQ20111046307
公开日2012年7月18日 申请日期2011年12月15日 优先权日2010年12月15日
发明者N·V·曼特拉瓦迪, S·卡卡南贾马奇 申请人:通用电气公司