专利名称：分析装置、传感器检查装置及检查方法
技术领域：
本发明涉及分析装置、传感器检查装置以及检查方法和计算机可读存储介质。
背景技术：
存在针对设置有多组工作电极和对电极并通过比较各个电极组之间的响应来检测传感器的缺陷的电化学生物传感器的相关提议(参见例如美国专利No. 7190988和美国专利No. 6121009的说明书)。还存在针对用于调节从电化学生物传感器中的传感器收集的数据的方法的提议(参见例如美国专利No. 6895263的说明书)。在美国专利No. 6895263的说明书的技术中，基于电流传感器数据点来计算校正特性，并且根据该校正特性来确认可能的错误或灵敏度 变化。为了确定这时的校正特性是否是不可预测的，在与该校正特性相关的估计值与这时的校正特性之间进行比较，以确认该传感器中的故障或传感器灵敏度方面的变化。与该校正特性相关的估计值根据那时的校正特性并且根据过往校正特性来确定，并且在连续接收到彼此不支持的至少两个不可预测的校正特性时，确定有故障的传感器。还存在针对安装有由两个电极组或三个电极组形成的电化学传感器的电化学传感器监测装置的提议，在所述电化学传感器中，检测在工作电极与对电极之间流动的电流，对直到电流达到稳定状态为止的瞬态响应时间进行计数，并且参照该瞬态响应时间与校正值之间的关系来确定传感器质量(参见例如日本专利申请特开(JP-A)No. 2004-233294)。然而，因为在美国专利No. 7190988和6121009的技术中提供的多组工作电极与对电极之间执行相对比较，所以该技术在绝对项方面不能够确认各个电极组是否正常。具体地说，因为电化学生物传感器中的电极组在尺寸方面是微型的，所以可以想象的是，传感器内的所有电极组同时被损坏，并且出现不能通过执行相对比较来稳定地检查传感器状态的问题。而且，因为需要多组电极，所以从制造和成本的观点来看这也是有害的。在美国专利No. 6895263的技术中，因为基于采用采样数据计算出的估计值来确定有故障的传感器，所以在确定方面存在不确定性。在JP-ANo. 2004-233294的技术中，所存在的问题在于，直到达到稳定状态为止的时间可能变长。
发明内容
鉴于上述情况，本发明致力于一种能够在很短的时间稳定地检查传感器的状态而不需要设置多个电极组的分析装置以及传感器检查装置及其检查方法。根据本发明的第一方面的分析装置包括传感器部，该传感器部包括试剂层、电极和外层膜，所述试剂层包括与样本液体中的物质反应的试剂，所述电极包括用于向所述试剂层施加电压的第一电极和第二电极，所述外层膜用于与所述试剂层进行接触；电压施加单元，该电压施加单元用于在所述第一电极与所述第二电极之间施加第一电压和第二电压中的至少一个，所述第一电压获取由所述物质引起的响应，所述第二电压不获取或基本不获取由所述物质引起的响应；电流测量単元，该电流测量单元用于测量在所述第一电极与所述第二电极之间流动的电流；以及确定单元，该确定単元用于基于第一物理量和第二物理量中的至少ー个来确定所述外层膜中是否存在缺陷，所述第一物理量与在施加了所述第一电压时由所述电流測量单元测量出的第一电流的每特定时间的变化量相关，所述第二物理量与在施加了所述第二电压时由所述电流測量单元测量出的第二电流的每特定时间的变化量相关。根据以上分析装置，传感器部包括试剂层、电极和外层膜，所述试剂层包括与样本液体中的物质反应的试剂，所述电极包括用于向所述试剂层施加电压的第一电极和第二电极，所述外层膜用干与所述试剂层进行接触。当所述电压施加単元在所述第一电极与所述第二电极之间施加第一电压和第二电压中的至少ー个(所述第一电压获取由所述物质引起的响应，所述第二电压不获取或基本不获取由所述物质引起的响应)时，所述电流測量单元测量在所述第一电极与所述第二电极之间流动的电流。接着，所述确定単元基于第一 物理量和第二物理量中的至少ー个来确定所述外层膜中是否存在缺陷，所述第一物理量与在施加了所述第一电压时由所述电流測量单元测量出的第一电流的每特定时间的变化量相关，所述第二物理量与在施加了所述第二电压时由所述电流測量单元测量出的第二电流的每特定时间的变化量相关。所述第一物理量和所述第二物理量可以是各个电流本身的每特定时间的变化量，或者是可以从所述各个电流本身的每特定时间的变化量导出的其它物理量。因此，通过采用与在施加了所述第一电压和所述第二电压中的至少ー个(所述第一电压获取由所述物质引起的响应，所述第二电压不获取或基本不获取由所述物质引起的响应)时的电流的变化量相关的物理量来检查所述外层膜的状态，可以稳定地且在很短的时间检查所述传感器的状态，而不需要设置多组电扱。所述第一物理量可以是直到所述第一电流的所述每特定时间的变化量达到预定的第一特定范围中的值为止的第一时间，所述第二物理量可以是直到所述第二电流的所述每特定时间的变化量达到预定的第二特定范围中的值为止的第二时间。通过利用这些物理量，与采用电流达到稳定状态的时间的情况相比，可以在很短的时间检测出所述外层膜中存在的缺陷。所述分析装置还可以包括校正単元，该校正単元在所述确定単元确定所述外层膜中出现了缺陷时校正由所述电流測量单元测量出的所述电流值，所述校正単元基于所述第一物理量与所述外层膜的缺陷率之间的预定的第一关系和所述第二物理量与所述外层膜的缺陷率之间的预定的第二关系中的至少ー个来执行校正。换句话说，在分别施加所述第ー电压和所述第二电压时获取的所述第一物理量和所述第二物理量响应于所述外层膜的所述缺陷率而改变。因此，可以基于从这些物理量导出的所述缺陷率来校正所测量的电流值。更具体地说，所述校正単元可以基于所述第一关系和所述第二关系中的至少ー个来估计所述缺陷率，并且基于所述外层膜的所述缺陷率与从下述传感器部測量出的所述电流值之间的预定关系来校正由所述电流測量单元测量出的所述电流值，其中该传感器部设置有具有与所述缺陷率相对应的缺陷的外层膜。当所述校正単元基于所述第一关系和所述第二关系这两者来估计所述缺陷率吋，所述校正単元可以计算基于所述第一关系估计出的第一缺陷率和基于所述第二关系估计出的第二缺陷率的平均值、最大值或最小值作为所述缺陷率。所述分析装置还可以包括输出单元，该输出单元在所述确定单元确定所述外层膜中出现了缺陷时输出表示在所述传感器部中出现了缺陷的信号。在所述分析装置中，在施加所述第一电压和所述第二电压这两者时，所述电压施加单元可以交替地施加所述第一电压和所述第二电压。在所述分析装置中，所述电流测量单元可以连续测量在所述第一电极与所述第二电极之间流动的电流，并且所述确 定单元可以按预定定时确定所述外层膜中是否存在缺陷。因为希望能够在按这种方式连续监测电流的装置(举例来说，如连续血糖监测装置)中在很短的时间检查所述传感器，所以应用本发明的分析装置是非常有效的。在使用所述分析装置期间，所述传感器部可以被设置在所述分析装置的用户的皮肤下，并且所述试剂层与存在于所述皮肤下的待检成分反应。而且，所述试剂层可以从所述待检成分提取电子，并可以将所提取的电子提供给所述电极。而且，所述试剂层可以包括用于从所述待检成分提取电子的酶部分。根据本发明的第二方面的传感器检查装置包括电压施加单元，该电压施加单元在传感器部的第一电极与第二电极之间施加第一电压和第二电压中的至少一个，该第一电压获取由物质引起的响应，该第二电压不获取或基本不获取由所述物质引起的响应，所述传感器部配置有试剂层、电极和外层膜，所述试剂层包括与样本液体中的所述物质反应的试剂，所述电极包括用于向所述试剂层施加电压的所述第一电极和所述第二电极，所述外层膜用于与所述试剂层进行接触；电流测量单元，该电流测量单元测量在所述第一电极与所述第二电极之间流动的电流；以及确定单元，该确定单元基于第一物理量和第二物理量中的至少一个来确定所述外层膜中是否存在缺陷，所述第一物理量与在施加了所述第一电压时由所述电流测量单元测量出的第一电流的每特定时间的变化量相关，所述第二物理量与在施加了所述第二电压时由所述电流测量单元测量出的第二电流的每特定时间的变化量相关。例如，可以采用本装置来在传感器制造工序中(如在制造传感器的工厂中)检查传感器的所述外层膜的状态。根据本发明的第三方面的传感器检查方法包括以下步骤在传感器部的第一电极与第二电极之间施加第一电压和第二电压中的至少一个，该第一电压获取由物质引起的响应，该第二电压不获取或基本不获取由所述物质引起的响应，所述传感器部配置有试剂层、电极和外层膜，所述试剂层包括与样本液体中的所述物质反应的试剂，所述电极包括用于向所述试剂层施加电压的所述第一电极和所述第二电极，所述外层膜用于与所述试剂层进行接触；测量在所述第一电极与所述第二电极之间流动的电流；以及基于第一物理量和第二物理量中的至少一个来确定所述外层膜中是否存在缺陷，所述第一物理量与在施加了所述第一电压时测量的第一电流的每特定时间的变化量相关，所述第二物理量与在施加了所述第二电压时测量的第二电流的每特定时间的变化量相关。因此，通过采用与在施加了所述第一电压和所述第二电压中的至少一个(所述第一电压获取由所述物质引起的响应，所述第二电压不获取或基本不获取由所述物质引起的响应)时的电流的变化量相关的物理量，来检查所述外层膜的状态，可以稳定地且在很短的时间检查所述传感器的状态，而不需要设置多组电极。
基于以下附图，对本发明的示例性实施方式进行详细描述，附图中图I是例示示例性实施方式的连续葡萄糖监测 装置的截面；图2是传感器部的立体图及该传感器部的一部分的放大图；图3是例示传感器部的端部(电极部)的截面；图4是例示电路板的示意性构造的框图；图5是例示施加了响应电压时的响应电流的曲线图；图6示出了传感器部的CA膜的状态的图像；图7是例示在施加了响应电压之后的响应电流中的变化的曲线图；图8是例示在施加了响应电压时直到响应电流的变化量变得比针对具有不同CA膜状态的各个传感器的变化量阈值小为止的时间的曲线图；图9是例示在第一示例性实施方式的连续葡萄糖监测装置中执行的检查模式处理例程的流程图；图10是例示在施加了响应电压时的直到响应电流的变化量变得小于变化量阈值为止的时间与缺陷率之间的关系的曲线图；图IlA和图IlB是例示缺陷率与灵敏度正常-错误差异之间的关系的曲线图；图12是例示在施加了响应电压时针对具有不同CA膜状态的各个传感器的响应电流的变化量的曲线图；图13是例示在第二示例性实施方式的连续葡萄糖监测装置中执行的检查模式处理例程的流程图；图14是例示在施加了响应电压时的响应电流的变化量与缺陷率之间的关系的曲线图；图15A是例示在施加了响应电压之后的响应电流中的变化的曲线图，而图15B是例示在施加了非响应电压之后的响应电流中的变化的曲线图；图16A和图16B是例示在施加了响应电压时的直到响应电流的变化量变得比针对具有不同CA膜状态的各个传感器的变化量阈值小为止的时间的曲线图，其中图16A例示施加了响应电压时的曲线图，而图16B例示施加了非响应电压时的曲线图；图17是例示在第三示例性实施方式的连续葡萄糖监测装置中执行的检查模式处理例程的流程图；图18A和图18B是例示直到响应电流的变化量变得小于变化量阈值为止的时间与缺陷率之间的关系的曲线图，其中图18A例示施加了响应电压时的曲线图，而图16B例示施加了非响应电压时的曲线图；图19是例示在施加了非响应电压时的针对具有不同CA膜状态的各个传感器的响应电流的变化量的曲线图；图20是例示在施加了非响应电压时的响应电流的变化量与缺陷率之间的关系的曲线图；图21示出了例示电压模式的其它示例的图示；以及图22A和图22B示出了例示传感器部的端部(电极部)的其它示例的截面。
具体实施例方式以下參照附图来对本发明的示例性实施方式进行说明。在本示例性实施方式中，对将本发明的分析装置应用至连续葡萄糖监测(CGM)装置的情况进行说明。(第一示例性实施方式)如图I所示，本示例性实施方式的连续葡萄糖监测装置I被配置为包括外壳2、电路板3以及传感器部4。该连续葡萄糖监测装置I被应用至诸如人体的腹部或肩部区域的皮肤6，并且连续监测血液或皮下间质液中的葡萄糖的浓度。外壳2被配置有形成连续葡萄糖监测装置I的外形的盖子20和基部21。盖子20与基部21接合在一起，以将电路板3容纳在形成在盖子20与基部21之间的空间中。具有极低湿气透过率的材料(例如，金属或聚丙烯树脂)被优选地用于外壳2。 基部21形成有用于插入传感器部4的插入孔，并且传感器部4的端部40被固定在基部21的内面。粘合膜5被设置在基部21的外面上。在粘合膜5的两个面上采用胶粘帯。粘合膜5本身通过一面上的胶粘带附接至基部21，并且连续葡萄糖监测装置I通过另一面上的胶粘带附接至皮肤6。电路板3配备有针对该连续葡萄糖监测装置I的总体控制所需的电子配置元件。电路板3被配置为包括稍后描述的用干与传感器部4的电极42 (參见图2)进行接触的连接部30。采用连接部30来向传感器部4施加电压并获取响应电流。传感器部4获取基于血液或皮下间质液中的葡萄糖浓度的响应。传感器部4的第一端部40与电路板3的连接部30进行接触，而传感器部4的第二端部插入到皮肤6中。如图2所示，传感器部4被配置为包括基部41、电极42以及酶部分43。基部41由柔性的电绝缘材料按片形配置并支撑电极42。基部41的在用于插入到皮肤6中的一侧的端部41B形成有尖鋭外形，使得传感器部4能够容易地插入到皮肤6中，从而使得能够减轻用户的疼痛。然而，对基部41的前端的外形不存在特别的限制，而是可以利用除了锐化外形以外的其它外形来进行构造。可以将具有合适的电绝缘特性以使得不影响人体的材料采用为用于基部41的材料，并且，例如，为此可以采用诸如聚对苯ニ甲酸こニ醇酯(polyethylene terephthalate) (PET)、聚丙烯(polypropylene) (PP)或聚こ烯(polyethylene) (PE)的热塑性树脂。为此还可以采用诸如聚酰亚胺树脂或环氧树脂的热固性树脂。电极42被配置为包括工作电极部42A和对电极部42B。通过向电极42施加电压，电流与由酶部分43提取的电子(稍后描述)相对应地在工作电极部42A与对电极部42B之间流动。酶部分43用于从葡萄糖提取电子，并且使所提取的电子横穿到工作电极部42A。酶部分43可以例如是设置在工作电极部42A上的葡萄糖氧化还原酶。葡萄糖氧化酶(GOD)或葡萄糖脱氢酶(GDH)可以被采用为葡萄糖氧化还原酶。可以采用已知的方法作为用于粘附该葡萄糖氧化还原酶的方法，举例来说，如采用以下方法使用可聚合凝胶剂、聚丙烯酰胺或诸如磷的聚合物的方法，使用利用硅烷偶联剂偶联的磷脂聚合物的MPC聚合物的方法，或者利用蛋白质涂层的方法。图3示意性地例示了传感器部4的端部4IB的截面构造。工作电极部42A和对电极部42B形成在基部41上，并且形成半渗透膜，以覆盖工作电极部42A。由基部41和半渗透膜45构成的区域是试剂层44，并且酶部分43被设置在试剂层44内。酶部分43不必粘附在工作电极部42A上，并且可以进行构造以使得酶部分43被设置在工作电极部42A上方的试剂层44中，但不与工作电极42A进行接触。半渗透膜45被设置成防止传感器灵敏度立即变得饱和，例如，防止灵敏度饱和达针对传感器的葡萄糖可检测浓度的上限，并且半滲透膜45限制葡萄糖通往酶部分43。半渗透膜45还抑制妨碍反应的干扰物质传至酶部分43。可以采用醋酸纤维素膜或聚氨酯膜作为半渗透膜45。在本示例性实施方式中，对采用醋酸纤维素膜作为半渗透膜45(下文称为CA膜)的情况进行说明。应注意到，半滲透膜45是本发明中的外层膜的ー个示例。然而，外层膜不限于具有限制葡萄糖通往酶部分43的特性的材料。
形成传感器部4的方法例如是通过采用碳墨的丝网印刷将工作电极部42A和对电极部42B形成在基部41上；在该工作电极部42A和对电极部42B上共价键接碳化ニ亚胺，利用戍ニ醒作为桥接剂(bridging agent)在该工作电极部42A和对电极部42B上滴落桥接葡萄糖氧化还原酶，并且接着在40°C利用暖空气干燥达15分钟。接着，可以利用旋涂或浸涂形成CA膜作为半渗透膜45，以形成覆盖。还可以利用诸如双(磺基琥珀酰亚氨基)辛ニ酸酯(bis (sulphosuecinimidyl) suberate)或双-N-丁ニ酰亚氨基-(九聚こニ醇)酯(bis-N-succinimidyl-(nonaethylene glycol) ester)的化合物进行构造。如图4所示，电路板3被配置为包括连接部30且还包括通信单元31、电源32、控制単元33、计算单元34以及存储单元35。通信単元31在连续葡萄糖监测装置I与外部数据处理设备之间执行数据通信。通信単元31被配置为包括至少ー个发送单元，而且在需要时还包括接收单元。数据通信可以通过例如诸如红外通信或蓝牙(Bluetooth)的无线通信来进行。还可以进行构造以使得执行有线数据通信，并且在这些情况下，例如，将线缆连接部设置至连续葡萄糖监测装置I的通信単元31，以使得通过利用线缆连接至外部数据处理设备来执行数据通信。外部数据处理设备的示例包括诸如用于向人体施用胰岛素的胰岛素提供装置、简单血糖测量仪器、腕表型显示装置以及个人计算机(PC)的设备。在连续葡萄糖监测装置I与简单血糖测量仪器之间的数据通信中，例如，可以将简单血糖测量仪器的血糖測量结果发送至连续葡萄糖监测装置I。因此可以对连续葡萄糖监测装置I的測量结果与从简单血糖测量仪器接收到的血糖測量结果进行比较，使得能够执行对连续葡萄糖监测装置I的測量结果的校正。可以进行构造以使得由连续葡萄糖监测装置I測量出的数据(电流值)被发送至简单血糖测量仪器，以使得在简单血糖测量仪器中计算这些血糖值本身。在连续葡萄糖监测装置I与腕表型显示装置之间的数据通信中，例如，可以将连续葡萄糖监测装置I的測量结果发送至腕表型显示装置。即使在将连续葡萄糖监测装置I安装至用户难以看到的位置(诸如用户的肩部或腹部区域)时，这种方法也使得用户能够容易确认测量結果。在连续葡萄糖监测装置I与PC之间的数据通信例如使得能够将由连续葡萄糖监测装置I測量出的数据(电流值)发送至PC。可以显示葡萄糖浓度趋势，并接着可以由PC执行各种分析。可以进行构造以使得将校正数据等从PC发送至连续葡萄糖监测装置I。
电源32是用于向电路板3和传感器部4供电的直流电源，而且例如可以采用电源电压为IV至3V的电池。控制单元33总体控制连续葡萄糖监测装置I，控制例如诸如电压施加定时、响应电流采样、葡萄糖浓度计算处理以及针对外部数据处理设备的通信的方面。计算单元34执行在连续葡萄糖监测装置I中的处理中所需的各种计算，包括例如葡萄糖浓度的计算将诸如稍后描述的用于执行检查模式处理例程的程序、用于由控制単元33执行的各种程序的程序以及诸如在计算单元34的计算中采用的校正曲线、校正数据和电压施加模式的数据存储在存储单元35中。由传感器部4检测到的响应电流和由计算单元34计算出的葡萄糖浓度数据也被存储在存储单元35中。控制单元33、计算单元34以及存储单元35可以由诸如CPU和/或安装在电路板3上的MPU、ROM以及RAM的电组件来构造。在本示例性实施方式的这样构造的连续葡萄糖监测装置I中，在监测模式下，测量在施加如图5所示的预定电压模式时的响应电流。在检查模式下，基于在施加获取由葡萄糖引起的响应的电压时的响应电流中的变化来检查传感器部4的状态，并且具体地说，检查半渗透膜45的状态。下文对第一示例性实施方式的连续葡萄糖监测装置I中的检查模式的原理进行说明。例如，图5所示的电压模式是施加不获取由葡萄糖引起的响应的电压(下文称为非响应电压El)达特定时段(在该示例中为施加_200mV达240秒钟)，随后施加获取由葡萄糖引起的响应的电压(下文称为响应电压E2)达特定时段(在该示例中为施加400mV达120秒钟)的模式。第一示例性实施方式中的检查模式利用紧随在响应电压E2的施加之后的响应电流中的变化量。非响应电压El是葡萄糖完全不响应的电压，或者葡萄糖表现出轻微响应(但处于实际上可以被视为非响应的水平)的电压。更准确地说，在向传感器部4施加非响应电压El时的响应电流包括由葡萄糖引起的、但主要由外部环境背景因素(诸如由传感器的特性引起的背景以及共存物质的背景和噪声)引起的极小响应。非响应电压El的量值基于传感器部4的规范(例如，根据诸如所使用的酶的量、粘附该酶的方法、电极的材料以及响应区域的因素)来设置。更具体地说，非响应电压El根据由葡萄糖引起的响应电流在施加至传感器部4的电压增加时开始流动的响应初始电压而被设置在-O. 5V至+0. 5V(优选地为-25mV至+25mV)的范围。响应电压E2是葡萄糖表现出足够响应的电压。响应电压E2的量值基于传感器部4的规范(例如，诸如所使用的酶的量、粘附该酶的方法、电极的材料以及响应区域的因素)来设置。图5例示了在将这种电压模式施加至具有半滲透膜45 (CA膜)的不同状态的多个传感器时的响应电流。葡萄糖浓度是100mg/dL。相应多个传感器中的每ー个的CA膜的状态如图6所示为⑴无CA膜(NoCA)、⑵有CA膜(YesCA)，以及(3)到(6)仅覆盖传感器部4的一部分的具有4%浓度CA膜的模拟缺陷膜(CA4% Spin A至CA4% Spin D)。针对图6(3)到图6 )，该图的下部处的较暗部分是被CA膜覆盖的部分。针对各个传感器的缺陷率(未被CA膜覆盖的面积与传感器部的面积的比例)分别为(1)1001(2)01(3)65%.
(4)64%、(5) 35% 以及(6)10%。而且，针对(2)有 CA 膜(YesCA)，制备 2% (CA2% Spin),3% (CA3% Spin)以及4% (CA4% Spin)的CA膜示例浓度。由于在实际测量CA膜的膜厚度方面的难度，通过膜的浓度来表示CA膜的膜厚度。图7中例示了针对各个传感器的、紧随在响应电压E2(+400mV)的施加之后的响应电流中的变化量。所采用的采样间隔是5秒钟。图8示出了例示直到每5秒钟的响应电流中的变化量AnA/mm2/5S的绝对值变得小于特定变化量阈值(这里，设置为O. 2nA/mm2)为止的时间的曲线图。从这些曲线图看出，与针对最厚的传感器CA4% Spin相比，针对较薄膜厚度的传感器CA3% Spin和CA2% Spin的直到响应电流中的变化变小为止的时段较早。这种时间方面的差异的原因被假设为由于基于因CA膜的葡萄糖可滲透性限制的响应延迟而引起。而且，与在具有经完全覆盖的表面的CA4% Spin传感器中相比，在具有模拟缺陷膜CA4% Spin A至CA4% Spin D的传感器中的直到响应电流的变化变小为止的时段较早。将CA4% Spin传感器作为正常状态，通过利用这些结果，可以在制造阶段或使用期间确认CA膜的膜厚度已经变薄的状态以及CA膜的一部分已经受损的状态。在这种情况下，该变化量阈值为O. 2nA/mm2，然而，该变化量阈值根据诸如传感器部4的规范和采样周期的因素来适当地设置。參照图9，下文对在第一示例性实施方式的连续葡萄糖监测装置I的检查模式期间执行的检查模式处理例程进行说明。在步骤100，进行针对是否是用于执行检查模式的处理的定时的确定。例如，可以确定构造，以使得每小时执行检查模式，或者按预定时间执行检查模式，并且在这个步骤的确定是是否已经到达这种时间。还可以进行构造以使得检查模式的执行定时被确定为处于对连续监测影响较少的夜间。还可以进行构造以使得紧随在开始使用连续葡萄糖监测装置I之后确定检查模式执行的定时，例如，以使得在预期传感器状态没有快速变化的、从开始使用起的第七天执行检查模式。如果确定已经达到针对检查模式的执行定吋，则处理进行至步骤102。然而，如果确定尚未达到针对检查模式的执行定时，则重复步骤100的确定，直到确定已经达到执行定时为止。
在步骤102中，施加响应电压E2。例如，施加+400mV电压达120秒钟。接着，在步骤104中，按特定采样间隔(例如，5秒钟)測量响应电流的变化量Al。接着，在步骤106，利用在步骤102施加响应电压E2的定时作为开始点，计算在施加响应电压E2的特定时段中的直到响应电流的所测量的变化量△ I变得小于特定变化量阈值△ Ith为止的时间T。应注意到，对响应电流的变化量△ I是绝对值的情况进行了说明。然而，响应电流的变化量Λ I不限于绝对值，而是可以采用实际值。在这种情况下，计算直到响应电流的变化量ΛΙ变得大于特定变化量阈值AIth为止的时间Τ。换句话说，可以计算直到响应电流的变化量Δ I达到特定范围中的值为止的时间Τ。接着，在步骤108，对在步骤106计算出的时间T与时间阈值Tth进行比较，并且进行针对时间T是否小于时间阈值Tth的确定。针对采用具有正常的半滲透膜45的传感器时的情况，參照施加响应电压Ε2直到响应电流的变化量△ I变得小于变化量阈值△ Ith为止的时间设置时间阈值Tth。例如，如图8所示，利用CA4% Spin作为正常传感器，可以按70土 α秒钟(其中，α可以在5秒钟至20秒钟之间)来设置时间阈值Tth。如果时间T <时间阈值Tth，则进行半滲透膜45的状态已经改变(即，已经出现缺陷)的确定，并且处理进行至步骤110。然而，如果时间T >时间阈值Tth，则进行半滲透膜45的状态未改变(即，半滲透膜45处于正常状态)的确定，并且该处理结束。在步骤110，基于在步骤106计算出的时间T导出半渗透膜45的缺陷率。接着，计算根据该缺陷率校正的、针对要在监测模式下测量的响应电流的校正值，并且将该校正值存储在存储单元35中。更具体地说，首先，绘制时间T与缺陷率之间的关系，如图10所示。例如，针对图6所示的各个传感器，计算变化量阈值Λ Ith被设置在O. 2nA/mm2的情况下的时间T，并且在将水平轴作为时间T而将垂直轴作为缺陷率的曲线图上，绘制针对各个传感器的、时间T与缺陷率之间的关系。而且，该缺陷率可以被视为传感器的CA膜的膜厚度(浓度)比正常传感器的CA膜的膜厚度(浓度)小的比例。导出所绘制的时间T与缺陷率之间的对应性，并且将该对应性预先存储在存储单元35中。接着采用时间T与缺陷率的对应性来导出与在步骤106计算出的时间T相对应的缺陷率。例如，在图10的示例中，如果时间T为60秒钟，则导出缺陷率为31.5%。这里，图IlA示出了在施加响应电压E2之后100秒钟获取的响应电流灵敏度与图6所示的CA膜⑴到(6)的缺陷率之间的关系。应注意到，获取响应电流灵敏度不限于该定时，而是可以在存在可辨别量的响应电流灵敏度的范围内的任何定时获取响应电流灵敏度。接着，例如，如图IlB所示，绘制传感器的缺陷率与灵敏度正常-错误差异之间的关系。将灵敏度正常-错误差异表示为以正常响应灵敏度作为100的比例。根据该缺陷率，针对可以进行是否输出响应电流的确定的点，与正常传感器相比具有的増加。导出所绘制的缺陷率与灵敏度正常-错误差异之间的对应性，并且将该对应性预先存储在存储单元35中。接着，采用缺陷率与灵敏度正常-错误差异之间的对应性来导出与所导出的缺陷率相对应的灵敏度正常-错误差异。例如，在图11的示例中，当该缺陷率为31. 5%时，导出大约185. 2 %的灵敏度正常-错误差异。接着，将该灵敏度正常-错误差异存储在存储单元35中，并且处理结束。在监测模式下，利用上述校正值将实际测量的响应电流值校正为测量值/校正值，接着输出作为测量結果。如上所述，根据第一示例性实施方式的连续葡萄糖监测装置，采用来检查半滲透膜的状态的时间是直到紧随在获取由葡萄糖引起的响应的电压的施加之后的响应电流的变化量变得小于预定变化量阈值为止的时间。因此，可以稳定地且在很短的时间执行传感器状态检查，而不需要设置多组工作电极和对电扱。具体地说，因为紧随在电压施加之后的响应电流中的变化被用于检查，所以与采用直到响应电流达到稳定状态为止的时间的情况相比，可以使针对检查模式的执行时间较短。在诸如执行连续监测的本示例性实施方式的情况下，这更加有效。在第一不例性实施方式中，对基于直到施加了响应电压Ε2(第一电压)时的响应电流的变化量△ I变得小于变化量阈值△ Ith为止的时间T来确定传感器中的缺陷的情况进行了说明。然而，可以进行以下构造使用直到施加了非响应电压El时的响应电流的变化量Λ I达到特定范围内的值为止的时间Τ。(第二示例性实施方式)接着，对第二示例性实施方式进行说明。第二示例性实施方式与第一示例性实施方式的不同之处在于基于在施加了响应电压E2之后的响应电流的变化量△ I本身来确定传感器的缺陷率。应注意到，第二示例性实施方式的连续葡萄糖监测装置I的构造与第一示例性实施方式的连续葡萄糖监测装置I相同。因此，省略了对该相同构造的说明。下文对第二示例性实施方式的连续葡萄糖监测装置I中的检查模式的原理进行说明。如在第一示例性实施方式中，图12例示了利用图6所示的各个传感器，在施加了响应电压E2(+400mV)之后的预定时段(这里为40秒钟)的响应电流中的变化量。从图12看出，与针对最厚的传感器CA4% Spin相比，针对较薄膜厚度的传感器CA3% Spin和CA2%Spin的响应电流中的变化较大。该原因被假设为由于基于因CA膜的葡萄糖可滲透性限制的响应延迟而引起。而且，与在具有经完全覆盖的表面的CA4% Spin传感器中相比，在具有模拟缺陷膜CA4% Spin A至CA4% Spin D的传感器中的响应电流的变化较大。将CA4% Spin传感器作为正常状态，通过利用这些结果，可以在制造阶段或使用 期间确认CA膜的膜厚度已经变薄的状态以及CA膜的一部分已经受损的状态。參照图13，下文对在第二示例性实施方式的连续葡萄糖监测装置I的检查模式期间执行的检查模式处理例程进行说明。应注意到，第一示例性实施方式的检查模式处理例程中的相同处理被赋以相同的标号，并且省略了对这些相同处理的说明。在步骤100，进行针对是否是用于执行检查模式的处理的定时的确定。如果确定已经达到针对检查模式的执行定时，则处理进行至步骤102。然而，如果确定尚未达到针对检查模式的执行定时，则重复步骤100的确定，直到确定已经达到该执行定时为止。在步骤102中，施加响应电压E2达特定时间长度。例如，施加+400mV的电压达40秒钟。接着，在步骤204，利用在步骤102中施加响应电压E2的定时作为开始点，此后在特定时间測量响应电流的变化量Al。接着，在步骤208，进行针对在步骤204中测量出的响应电流的变化量Λ I是否大于特定变化量阈值的确定。如果确定Λ I >变化量阈值Λ Ith，则确定半渗透膜45的状态已经改变，即，已经出现缺陷，并且处理进行至步骤210。然而，如果确定ΛΙ<变化量阈值Δ Ith,则确定半渗透膜45的状态没有改变，即，半渗透膜45处于正常状态，并且该处理结束。应注意到，对响应电流的变化量Λ I为实际值的情况进行了说明。然而，响应电流的变化量不限于此，而是可以采用绝对值。在这种情况下，进行针对响应电流的变化量Λ I是否变得小于特定变化量阈值Λ Ith的确定。在步骤210，基于在步骤204计算出的响应电流的变化量Λ I导出半渗透膜45的缺陷率。接着，计算根据该缺陷率校正的、针对要在监测模式下测量的响应电流的校正值，并且将该校正值存储在存储单元35中。更具体地说，首先，绘制响应电流的变化量Λ I与缺陷率之间的关系，如图14所示。例如，针对图6所示的各个传感器，变化量阈值八1访被设置在-0.21^/!111112，并且在水平轴表示响应电流的变化量△ I而垂直轴表示缺陷率的曲线图上绘制针对各个传感器的、响应电流的变化量△ I与缺陷率之间的关系。导出响应电流的变化量△ I与缺陷率之间的对应性，并将该对应性预先存储在存储单元35中。接着采用响应电流的变化量Al与缺陷率的对应性来导出与在步骤204测量出的响应电流的变化量Λ I相对应的缺陷率。接着，如在第一示例性实施方式中，采用缺陷率与灵敏度正常-错误差异之间的所导出的关系来导出与所导出的缺陷率相对应的灵敏度正常-错误差异。如上所述，根据第二示例性实施方式的连续葡萄糖监测装置，将在紧随在获取由葡萄糖引起的响应的电压的施加之后的特定时间的响应电流的变化量用于检查半渗透膜的状态。因此，可以稳定地且在很短的时间执行传感器状态检查，而不需要设置多组工作电极和对电极。具体地说，因为紧随在电压施加之后的响应电流中的变化被用于检查，所以与采用直到响应电流达到稳定状态为止的时间的情况相比，可以使针对检查模式的执行时间较短。在诸如执行连续监测的本示例性实施方式的情况下，这更加有效。在第二不例性实施方式中，对基于在施加了响应电压E2 (第一电压)时的响应电流的变化量Al来确定传感器中的缺陷的情况进行了说明。然而，可以进行以下构造使用在施加了非响应电压El时的响应电流的变化量Al。(第三示例性实施方式)接着，对第三示例性实施方式进行说明。第三示例性实施方式与第一示例性实施方式的不同之处在于基于在施加了响应电压E2之后的时间T和施加了非响应电压El之后的时间T这两者来确定传感器的缺陷率。应注意到，第三示例性实施方式的连续葡萄糖监测装置I的构造与第一示例性实施方式的连续葡萄糖监测装置I相同。因此，省略了对该相同构造的说明。在第三示例性实施方式的连续葡萄糖监测装置I中，在监测模式下测量在施加了如图5所示的预定电压模式时的响应电流。在检查模式下，基于在施加了获取由葡萄糖引起的响应的电压时的响应电流中的变化，并且基于在施加了不获取由葡萄糖引起的响应的电压时的响应电流的变化，来检查传感器部4的状态，具体地说，检查半渗透膜45的状态。下文对第三示例性实施方式的连续葡萄糖监测装置I中的检查模式的原理进行说明。如在第一示例性实施方式中，图15A例示了针对图6所示的各个传感器的、紧随在响应电压E2(+400mV)的施加之后的响应电流中的变化量。图15B例示了针对各个传感器的、非响应电压El(-200mV)的响应电流中的变化量。应注意到，图15A与图7相同。所采用的采样间隔是5秒钟。图16A和图16B示出了例示直到每5秒钟的响应电流中的变化量AnA/mm2/5s的绝对值变得小于特定变化量阈值为止的时间的曲线图。图16A例示施加了响应电压E2的曲线图，而图16B例示施加了非响应电压El的曲线图。应注意到，图16A与图8相同。施加了响应电压E2时的变化量阈值被设置在0. 2nA/mm2，而施加了非响应电压El时的变化量阈值被设置在0. 5nA/mm2。从这些曲线图看出，与针对最厚的传感器CA4% Spin相比，针对较薄膜厚度的传感器CA3% Spin和CA2% Spin的直到响应电流中的变化变小为止的时段较早。这种在施加了响应电压E2时的时间方面的差异的原因被假设为由于基于因CA膜的葡萄糖可渗透性限制的响应延迟而引起。这种在施加了非响应电压El时的时间方面的差异的原因被假设为由于因CA膜的状态中的差异引起的、电极上的双电层的电荷量方面的差异而造成。与在具有经完全覆盖的表面的CA4% Spin传感器中相比，在具有模拟缺陷膜CA4% Spin A至CA4% Spin D的传感器中的直到响应电流的变化变小为止的时间较早。 将CA4% Spin传感器作为正常状态，通过利用这些结果，可以在制造阶段或使用期间确认CA膜的膜厚度已经变薄的状态以及CA膜的一部分已经受损的状态。在这种情况下，施加了响应电压E2时的变化量阈值为O. 2nA/mm2，而施加了非响应电压El时的变化量阈值为O. 5nA/mm2，然而，该变化量阈值根据诸如传感器部4的规范和采样周期的因素来适当地设置。參照图17，下文对在第三示例性实施方式的连续葡萄糖监测装置I的检查模式期间执行的检查模式处理例程进行说明。在步骤300，进行针对是否是用于执行检查模式的处理的定时的确定。如果确定已经达到针对检查模式的执行定时，则处理进行至步骤302。然而，如果确定尚未达到针对检查模式的执行定时，则重复步骤300的确定，直到确定已经达到该执行定时为止。在步骤302中，施加非响应电压El达特定时段。例如，施加-200mV的电压达240秒钟。接着，在步骤304中，按特定采样间隔(例如，5秒钟)測量响应电流的变化量ΛΙΕ1。接着，在步骤306，利用在步骤302施加了非响应电压El时的定时作为开始点，计算直到响应电流的所测量的变化量△ Iei变得小于特定变化量阈值△ IthE1为止的时间TE1。应注意至IJ，对响应电流的变化量△ Iei是绝对值的情况进行了说明。然而，响应电流的变化量AIei不限于绝对值，而是可以采用实际值。在这种情况下，计算直到响应电流的变化量λιε1,得大于特定变化量阈值八1セ、为止的时间1^。换句话说，可以计算直到响应电流的变化量Λ Iei达到特定范围内的值为止的时间ΤΕ1。这同样适用于下面提到的响应电流的变化量Δ Ie2。接着，在步骤308，施加响应电压Ε2达特定时段。例如，施加+400mV达120秒钟。接着，在步骤310，按特定采样间隔(例如，每5秒钟)测量响应电流的变化量ΛΙΕ2。接着，在步骤312，利用在步骤308施加响应电压Ε2时的定时作为开始点，计算直到响应电流的变化量Λ Ie2变得小于特定变化量阈值Λ IthE2为止的时间TE2。接着，在步骤314，对在步骤306计算出的时间Tei与时间阈值Tthm进行比较，并且对在步骤312计算出的时间Te2与时间阈值TthE2—行比较。接着，进行针对时间Tei是否小于时间阈值Tthm以及时间Te2是否小于时间阈值TthE2这两者的确定。针对采用了具有正常半渗透膜45的传感器时的情況，參照施加非响应电压El直到响应电流的变化量△ Iei变得小于变化量阈值Λ IthE1*止的时间来设置该时间阈值Tthm。类似的是，针对采用了具有正常半渗透膜45的传感器时的情況，參照施加响应电压E2直到响应电流的变化量△ Ie2变得小于变化量阈值AIthE2*止的时间来设置该时间阈值TthE2。例如，如图16A所示，当向作为正常传感器的CA4% Spin施加响应电压E2时，时间阈值TthE2可以被设置在70土 α秒钟。类似的是，如图16Β所示，当向作为正常传感器的CA4% Spin施加非响应电压El时，时间阈值Tthm可以被设置在58土 α秒钟。这里，例如，α可以被设置在5秒钟至20秒钟之间。如果时间Tei <时间阈值Tthm并且时间Te2 <时间阈值TthE2，则进行半滲透膜45的状态已经改变(即，已经出现缺陷)的确定，并且处理进行至步骤320。然而，如果时间Tei彡时间阈值Tthm和/或时间Te2彡时间阈值TthE2，则处理进行至步骤316。在步骤316，进行针对是否时间Tei小于时间阈值TthE1但时间Te2等于或大于时间 阈值TthE2的确定，或者进行针对是否时间Tei等于或大于时间阈值Tthm但时间Te2小于时间阈值TthE2的确定。即，进行针对时间T中的一个或另ー个是否小于相应时间阈值Tth的确定。如果由于两个时间T都等于或大于相应时间阈值Tth而进行了否定的确定，则进行半渗透膜45的状态未改变(即，半渗透膜45的状态正常)的确定，并且处理结束。然而，如果确定仅一个时间T小于时间阈值Tth，则处理进行至步骤318，在步骤318中，进行针对步骤314或步骤316的处理是否已经是重复检查的确定。如果当前处理是第一次的处理，则处理返回至步骤302，并且重复该处理且执行重复检查。然而，如果已经作为重复检查来执行该处理，则将传感器的状态确定为正常，并且处理结束。在步骤320，基于在步骤312计算出的时间Te2来导出半渗透膜45的缺陷率，根据该缺陷率计算针对在监测模式中测量出的响应电流的校正值，并且将该校正值存储在存储单元35中。更具体地说，首先，绘制时间Te2与缺陷率之间的关系，如图18A所示。例如，针对图6所示的各个传感器，计算在将变化量阈值A Ith设置在0. 2nA/mm2的情况下的时间TE2，并且在水平轴表示时间Te2而垂直轴表示缺陷率的曲线图上绘制针对各个传感器的、时间Te2与缺陷率之间的关系。应注意到，图18A与图10相同。导出所绘制的时间Te2与缺陷率 之间的对应性，并且将该对应性预先存储在存储单元35中。接着采用时间Te2与缺陷率的对应性来导出与在步骤312计算出的时间Te2相对应的缺陷率。例如，在图18A的示例中，如果时间Te2为60秒钟，则导出缺陷率为31. 5%。如图18B所示，在确定时间Tei与缺陷率的对应性时，可以采用在步骤306计算出的时间Tei来导出该缺陷率。另选的是，可以进行构造以使得导出基于时间Tei的缺陷率和基于时间Te2的缺陷率这两者，并接着采用这些缺陷率的平均值、较大值或较小值作为该缺陷率。接着，如在第一示例性实施方式中，采用缺陷率与灵敏度正常-错误差异之间的所导出的关系来导出与所导出的缺陷率相对应的灵敏度正常_错误差异。如上所述，根据第三示例性实施方式的连续葡萄糖监测装置，用来检查半渗透膜45的状态的时间是直到紧随在施加了获取由葡萄糖引起的响应的电压之后的响应电流的变化量变得小于预定阈值为止的时间，以及直到紧随在施加了不获取由葡萄糖引起的响应的电压之后的响应电流的变化量变得小于预定阈值为止的时间这两者。因此，可以在很短的时间、稳定地并且以良好的精度执行传感器状态检查，而不需要设置多组工作电极和对电极。具体地说，因为紧随在电压施加之后的响应电流中的变化被用于检查，所以与采用直到响应电流达到稳定状态为止的时间的情况相比，可以使针对检查模式的执行时间较短。在诸如执行连续监测的本示例性实施方式的情况下，这更加有效。在第三示例性实施方式中，对在已经确定直到紧随在非响应电压El的施加之后的响应电流的变化量变得小于预定变化量为止的时间TE1，以及直到紧随在响应电压E2的施加之后的响应电流的变化量变得小于预定变化量为止的时间Te2这两者小于特定的相应阈值时，确定传感器中出现缺陷的情况进行了说明。然而，可以进行构造以使得仅在Tei < Tthm时确定传感器中出现缺陷。因为针对非响应电压El的响应电流是由包括外层膜的传感器的特性引起的背景响应电流，并且不包括由葡萄糖引起的响应电流，所以可以通过利用针对非响应电压El的响应电流中的变化确定传感器中是否存在缺陷，来提高确定精度。而且，在与附加地采用针对响应电压E2的响应电流中的变化量一起地至少采用针对非响应电压El的响应电流的变化量的情况下，接着采用针对两个不同电压的响应电流中的变化来进行确定，从而可以进一步提高确定精度。对第三示例性实施方式中的在施加非响应电压El (步骤302至步骤306)之后施加响应电压E2(步骤308至步骤312)的情况进行了说明。然而，可以进行构造以使得首先执行步骤308至步骤312的处理，以施加响应电压E2，接着执行步骤302至步骤306的处理，以施加非响应电压El。在第三示例性实施方式中，已经对将紧随在各个电压的施加之后的响应电流的每特定时间的变化量用作响应电流的变化并且采用直到变化量变得小于预定变化量为止的时间的情况进行了说明。然而，并不限于这些情况，而是可以进行构造以使得针对响应电流的变化采用紧随在各个电压的施加之后的响应电流的变化率或变化模式。而且，如在第二示例性实施 方式中，还可以采用在施加响应电压和非响应电压之后预定时段的响应电流中的变化量。在这种情况下，图19例示了利用图6所示的各个传感器的在施加非响应电压El(-200mV)之后预定时段(这里为40秒钟)的响应电流中的变化量。应注意到，施加非响应电压El时的响应电流中的变化量与图12相同。从图19看出，与针对最厚的传感器CA4% Spin相比，针对较薄膜厚度的传感器CA3% Spin和CA2% Spin的响应电流中的变化较小。这种时间方面的差异的原因被假设为由于因CA膜的状态方面的差异引起的、电极上的双电层的电荷量方面的差异而造成。而且，与具有经完全覆盖的表面的CA4%Spin传感器相比，具有模拟缺陷膜CA4%Spin A至CA4%Spin D的传感器中的响应电流的变化较小。利用这种结果，如在第二示例性实施方式中，如图14和图20所示，可以确定响应电流的变化量△ I与缺陷率的对应性。而且，在第三示例性实施方式中，如图5所示，对交替地施加非响应电压El和响应电压E2的电压模式的情况进行了说明，然而，该电压模式不必始终为交替地施加非响应电压El和响应电压E2的模式。例如，如图21(1)至图21(4)所示，可以进行构造以使得利用具有不同电势的多个恒定电压的组合逐步施加电压。可以进行构造以使得在第一步骤(施加非响应电压El达固定时段的状态和施加响应电压E2达固定时段的状态的组合的第一歩骤)包括三个恒定电压，如图21(1)至图21(4)所示，然而，恒定电压的数量可以被设置为2或4或更多个。因此，可以通过改变电势的点的数量的増加来提高外层膜的检查频率。而且，在以上各个示例性实施方式中，对将本发明的分析装置应用至连续葡萄糖监测装置的情况进行了说明，然而，要检查的监测目标物质不限于葡萄糖。而且，不限于应用于CGM装置，并且还可以应用于血葡萄糖(SMBG)装置的自监測。在这些情况下，可以进行构造以使得通过由用户选择的检查模式和由用户滴落在传感器部上的样本液体来执行检查。在以上各个示例性实施方式中，对在检测到传感器(半渗透膜)中的缺陷时计算校正值的情况进行了说明，然而，可以进行构造以使得在检测到传感器中的缺陷时输出表示传感器中已经出现了缺陷的信号，并且针对具有该信号的输出计算校正值，或者甚至不计算该校正值。在这些情况下，可以进行构造以使得将输出単元和警告单元设置到分析装置，并且在检测到传感器中的缺陷时，从输出単元向警告单元输出表示传感器中已经出现了缺陷的信号。更具体地说，可以设置显示器、扬声器或振动单元作为警告単元，以使得在显示器上显示在传感器中出现了缺陷的消息、从扬声器输出声音或者在警告単元接收到来自输出単元的信号时使该装置振动。还可以进行构造以使得来自输出単元的信号输出至例如外部数据处理设备，并且通过设置到该外部数据处理设备的警告单元来进行在传感器中出现了缺陷的警告。应注意到，警告単元的构造不限于上文參照的示例。在以上各个示例性实施方式中，对施加响应电压和非响应电压达特定时段的情况进行了说明。然而，可以进行构造以使得在确定响应电流的变化量小于变化量阈值时的时间点停止施加响应电压和非响应电压，接着执行后续处理。在以上各个示例性实施方式中，对将传感器部的端部(电极部)构造为图3所示的示例的情况进行了说明，然而，可以采用其它构造。例如，可以进行构造以使得形成半渗透膜45，以便如图22(1)所示覆盖工作电极部42A和对电极部42B，或者可以形成层叠在试剂层44上的半渗透膜45，如图22 (2)所示。应注意到，酶部分43被设置在工作电极部42A上方的试剂层中，但在图22中省略了酶部分43。对用于存储本发明的程序的存储介质不存在特别限制，并且例如可以利用硬盘或ROM来进行构造。还可以利用⑶-ROM、DVD盘、磁光盘或IC卡来进 行构造。还可以进行构造以使得从诸如连接至网络的服务器的装置下载该程序。
权利要求
1.一种分析装置，该分析装置包括 传感器部，该传感器部包括试剂层、电极和外层膜，所述试剂层包括与样本液体中的物质反应的试剂，所述电极包括用于向所述试剂层施加电压的第一电极和第二电极，所述外层膜用于与所述试剂层进行接触； 电压施加单元，该电压施加单元用于在所述第一电极与所述第二电极之间施加第一电压和第二电压中的至少一个，所述第一电压获取由所述物质引起的响应，所述第二电压不获取或基本不获取由所述物质引起的响应； 电流测量单元，该电流测量单元用于测量在所述第一电极与所述第二电极之间流动的电流；以及 确定单元，该确定单元用于基于第一物理量和第二物理量中的至少一个来确定所述外层膜中是否存在缺陷，所述第一物理量与在施加了所述第一电压时由所述电流测量单元测量出的第一电流的每特定时间的变化量相关，所述第二物理量与在施加了所述第二电压时由所述电流测量单元测量出的第二电流的每特定时间的变化量相关。
2.根据权利要求I所述的分析装置，其中，所述第一物理量是直到所述第一电流的所述每特定时间的变化量达到预定的第一特定范围中的值为止的第一时间，所述第二物理量是直到所述第二电流的所述每特定时间的变化量达到预定的第二特定范围中的值为止的第二时间。
3.根据权利要求I所述的分析装置，该分析装置还包括校正单元，该校正单元在所述确定单元确定所述外层膜中出现了缺陷时校正由所述电流测量单元测量出的所述电流值，所述校正单元基于所述第一物理量与所述外层膜的缺陷率之间的预定的第一关系和所述第二物理量与所述外层膜的缺陷率之间的预定的第二关系中的至少一个来执行校正。
4.根据权利要求3所述的分析装置，其中，所述校正单元基于所述第一关系和所述第二关系中的至少一个来估计所述缺陷率，并且基于所述外层膜的所述缺陷率与从下述传感器部测量出的所述电流值之间的预定关系来校正由所述电流测量单元测量出的所述电流值，其中该传感器部设置有具有与所述缺陷率相对应的缺陷的外层膜。
5.根据权利要求4所述的分析装置，其中，当所述校正单元基于所述第一关系和所述第二关系这两者来估计所述缺陷率时，所述校正单元计算基于所述第一关系估计出的第一缺陷率和基于所述第二关系估计出的第二缺陷率的平均值、最大值或最小值作为所述缺陷率。
6.根据权利要求I所述的分析装置，该分析装置还包括输出单元，该输出单元在所述确定单元确定所述外层膜中出现了缺陷时输出表示在所述传感器部中出现了缺陷的信号。
7.根据权利要求I所述的分析装置，其中，在施加所述第一电压和所述第二电压这两者时，所述电压施加单元交替地施加所述第一电压和所述第二电压。
8.根据权利要求I所述的分析装置，其中，所述电流测量单元连续测量在所述第一电极与所述第二电极之间流动的电流，并且所述确定单元按预定定时确定所述外层膜中是否存在缺陷。
9.根据权利要求I所述的分析装置，其中，在使用所述分析装置的期间，所述传感器部被设置在所述分析装置的用户的皮肤下，并且所述试剂层与存在于所述皮肤下的待检成分反应。
10.根据权利要求I所述的分析装置，其中，所述试剂层从所述待检成分提取电子，并将所提取的电子提供给所述电极。
11.根据权利要求I所述的分析装置，其中，所述试剂层包括用于从所述待检成分提取电子的酶部分。
12.—种传感器检查装置，该传感器检查装置包括 电压施加单元，该电压施加单元在传感器部的第一电极与第二电极之间施加第一电压和第二电压中的至少一个，该第一电压获取由物质引起的响应，该第二电压不获取或基本不获取由所述物质引起的响应，所述传感器部配置有试剂层、电极和外层膜，所述试剂层包括与样本液体中的所述物质反应的试剂，所述电极包括用于向所述试剂层施加电压的所述第一电极和所述第二电极，所述外层膜用于与所述试剂层进行接触； 电流测量单元，该电流测量单元测量在所述第一电极与所述第二电极之间流动的电流；以及 确定单元，该确定单元基于第一物理量和第二物理量中的至少一个来确定所述外层膜中是否存在缺陷，所述第一物理量与在施加了所述第一电压时由所述电流测量单元测量出的第一电流的每特定时间的变化量相关，所述第二物理量与在施加了所述第二电压时由所述电流测量单元测量出的第二电流的每特定时间的变化量相关。
13.一种传感器检查方法，该传感器检查方法包括以下步骤 在传感器部的第一电极与第二电极之间施加第一电压和第二电压中的至少一个，该第一电压获取由物质引起的响应，该第二电压不获取或基本不获取由所述物质引起的响应，所述传感器部配置有试剂层、电极和外层膜，所述试剂层包括与样本液体中的所述物质反应的试剂，所述电极包括用于向所述试剂层施加电压的所述第一电极和所述第二电极，所述外层膜用于与所述试剂层进行接触； 测量在所述第一电极与所述第二电极之间流动的电流；以及 基于第一物理量和第二物理量中的至少一个来确定所述外层膜中是否存在缺陷，所述第一物理量与在施加了所述第一电压时测量的第一电流的每特定时间的变化量相关，所述第二物理量与在施加了所述第二电压时测量的第二电流的每特定时间的变化量相关。
全文摘要
分析装置、传感器检查装置及检查方法。提供了一种传感器检查方法，该传感器检查方法包括以下步骤在传感器的第一电极与第二电极之间施加第一电压和第二电压中的至少一个，该第一电压获取由物质引起的响应，该第二电压不获取或基本不获取由所述物质引起的响应；测量在所述第一电极与所述第二电极之间流动的电流；以及基于与在施加了所述第一电压和/或所述第二电压时测量的电流的每特定时间的变化量相关的物理量来确定所述传感器中是否存在缺陷。
文档编号G01N27/416GK102628832SQ201210023388
公开日2012年8月8日 申请日期2012年2月2日 优先权日2011年2月3日
发明者关本慎二郎 申请人:爱科来株式会社