专利名称：复合式压力传感器及其形成方法
技术领域：
本发明涉及微机电领域，尤其涉及复合式压カ传感器及其形成方法。
背景技术：
微机电系统(Microelectro Mechanical Systems,简称MEMS)是在微电子技术基础上发展起来的多学科交叉的前沿研究領域，是ー种采用半导体エ艺制造微型机电器件的技木。与传统机电器件相比，MEM S器件在耐高温、小体积、低功耗方面具有十分明显的优势。经过几十年的发展，已成为世界瞩目的重大科技领域之一，它涉及电子、机械、材料、物理学、化学、生物学、医学等多种学科与技术，具有广阔的应用前景。压カ传感器是一种将压力信号转换为电信号的换能器。根据工作原理的不同分为电阻式压カ传感器和电容式压カ传感器。电容式压カ传感器的原理为通过压カ改变顶部电极和底部电极之间的电容，以此来测量压力。电阻式压カ传感器的工作原理为把压カ转换为电阻值变化，以此来测量压力。现有技术中，电容式压カ传感器和电阻式压カ传感器均単独使用，即使用单ー模式的压カ传感器，而单ー模式的压カ传感器存在压カ测试范围及测试精度的限制。另外，现有技术的压力传感器的制造方法有些与CMOSエ艺不能兼容，有些与CMOSエ艺的兼容度低。例如2003年11月5日授权公告的公告号为CN1126948C的中国专利公开的“压カ传感器”，其制造方法不能与CMOSエ艺兼容。
发明内容
本发明解决的问题是现有技术的单ー模式的压カ传感器存在压カ测试范围及测试精度的限制，以及现有技术的压力传感器制造方法不能与CMOSエ艺兼容。为解决上述问题，本发明提供ー种复合式压カ传感器，包括基底，所述基底具有CMOS控制电路，位于所述CMOS控制电路上的第一互连结构和第二互连结构，所述第一互连结构、第二互连结构与所述CMOS控制电路电连接；位于所述基底上的电容式压カ传感器，与所述第一互连结构电连接；位于所述电容式压カ传感器上的电阻式压カ传感器，所述电阻式压カ传感器与所述第二互连结构电连接，所述电容式压カ传感器和电阻式压カ传感器之间为第一介质层；位于所述电阻式压カ传感器上的具有开ロ的第二介质层，所述开ロ定义出压カ感应区的位置。可选的，所述电阻式压カ传感器包括电阻线。可选的，所述第一介质层也覆盖所述基底，所述第一介质层具有开ロ，所述第一介质层的开ロ暴露出所述第二互连结构与电阻线电连接的位置；所述电阻线的一部分位于所述第一介质层的开ロ的侧壁和底部，与所述第二互连结构电连接。可选的，所述电阻线的材料为钛。
可选的，所述电阻线呈多折线型。可选的，所述电容式压カ传感器包括位于所述基底上的第一电极，位于所述第一电极上方的第二电极，所述第一电极和第二电极之间为空腔；所述第二电极与所述第一互连结构电连接。可选的，所述第二电极包括与所述第一电极相对设置的顶板，位于所述顶板四周的侧壁，位于所述基底上与所述第一互连结构电连接的底板，所述顶板、侧壁、底板为一体结构。可选的，所述第二电极的材料为 锗硅。本发明还提供ー种形成复合式压カ传感器的方法，包括提供的基底，所述基底具有CMOS控制电路，位于所述CMOS控制电路上的第一互连结构和第二互连结构，所述第一互连结构、第二互连结构与所述CMOS控制电路电连接；在所述基底上形成第一导电层，图形化所述第一导电层形成第一电极；形成牺牲层，覆盖所述第一电极和基底，图形化所述牺牲层定义出第二电极的位置，且暴露出第一互连结构与第二电极电连接的位置；形成第二导电层，覆盖所述图形化后的牺牲层和基底，图形化所述第二导电层形成第二电极，第一电极和第二电极为电容式压カ传感器的两个极板；形成第一介质层，覆盖所述第一电极、第二电极和基底，图形化所述第一介质层，在第一介质层中形成开ロ，所述开ロ暴露出第二互连结构与电阻式压カ传感器电连接的位置；形成电阻层，覆盖所述第一介质层以及其开ロ的侧壁和底部，图形化所述电阻层形成电阻式压カ传感器的电阻线；在所述第二电极上形成开ロ，通过第二电极上的开ロ去除图形化后的牺牲层，在第一电极和第二电极之间形成空腔；形成第二介质层，覆盖所述电阻线，图形化所述第二介质层，在第二介质层中形成开ロ，定义出压カ感应区的位置。可选的，所述电阻层的材料为钛，所述第二电极的材料为锗硅。与现有技术相比，本发明具有以下优点本技术方案的压カ传感器将电容式压カ传感器和电阻式压カ传感器集成在具有CMOS控制电路的基底上，具体为电阻式压カ传感器位于电容式压カ传感器上，所述电容式压カ传感器和电阻式压カ传感器之间为第一介质层；电阻式压カ传感器上具有第二介质层，第二介质层具有定义压力感应区位置的开ロ ；电容式压カ传感器、电阻式压カ传感器分别与基底中的第一互连结构、第二互连结构电连接。其中，电容式压カ传感器的测试范围比电阻式压カ传感器的测试范国大；电阻式压カ传感器的灵敏度比较高，对较小的压カ具有很好的感测能力。在压カ比较大的情况下，压カ会使电容式传感器的电容以及电阻式压カ传感器的电阻均发生变化，该情况下，CMOS控制电路能够根据需要采用电容式传感器或电阻式传感器测量压力，还可以用两种传感器的测试结果相互验证；在压カ比较小的情况下，电容式传感器感测不到压力，压カ仅可以使电阻式压カ传感器的电阻发生变化，也就是说，在压カ较小的情况下只有电阻式压カ传感器可以感测到压力，仅能使用电阻式压カ传感器测量压力。基于以上机理，本技术方案的压カ传感器相对于现有技术单ー模式的压カ传感器可以提高压カ感测的精度，扩大压力感测的范围。在具体实施例中，电阻式压カ传感器包括电阻线，电阻线呈多折线型，相对于直线型的电阻线，増加了电阻线的长度，当电阻线在压カ的作用下发生形变时，形变的变化也相应较大，电阻值变化増大，因此可以提高电阻线感测压カ的灵敏度。本发明的形成复合式压カ传感的方法中，电容式压カ传感器的第一电极的材料为铝，第二电极的材料为锗硅，电阻式压カ传感器的电阻线为金属钛，因此第一电极、第二电极以及电阻线均可以使用半导体エ艺中的 沉积以及刻蚀的步骤形成，与CMOSエ艺兼容，因此，可以利用标准的CMOS制造エ艺实现CMOS控制电路与传感器的一体化。
图I是本发明具体实施例的复合式压カ传感器的剖面结构示意图；图2为第一实施例的复合式压カ传感器中压カ感应区、顶板、电阻线三者的布局示意图；图3为第二实施例的复合式压カ传感器中压カ感应区、顶板、电阻线三者的布局示意图；图4为本发明具体实施例的复合式压カ传感器的形成方法的流程示意图；图5 图9为本发明具体实施例的复合式压カ传感器的形成方法的剖面结构示意图。
具体实施例方式为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式
做详细的说明。在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式
的限制。需要说明的是，本发明中的图示仅起示意作用，起到说明本发明的目的，并不对本发明的结构作限定。图I是本发明具体实施例的复合式压カ传感器的沿图2中a-a方向的剖面结构示意图，图2为第一实施例的复合式压カ传感器的顶面示意图，结合參考图I和图2，本发明的复合式压カ传感器，包括基底10，所述基底具有CMOS控制电路(图中未示出)，位于所述CMOS控制电路上的第一互连结构11和第二互连结构12，所述第一互连结构11、第二互连结构12与所述CMOS控制电路电连接；位于所述基底10上的电容式压カ传感器20，电容式压力传感器20与所述第一互连结构11电连接；位于所述电容式压カ传感器20上的电阻式压力传感器40，所述电阻式压カ传感器40与所述第二互连结构12电连接，所述电容式压カ传感器20和电阻式压カ传感器40之间为第一介质层31 ;位于所述电阻式压カ传感器上的具有开ロ 321的第二介质层32，所述开ロ 321定义出压カ感应区，且开ロ 321为环形开ロ。本发明中，基底10中的CMOS控制电路与第一互连结构11、第二互连结构12电连接，其作用为将电容信号以及电阻信号转换为压カ信号。而且，CMOS控制电路还可以控制测量压力吋，是使用电阻式压カ传感器还是使用电容式压カ传感器测量压カ。
继续參考图1，本发明具体实施例中，电容式压カ传感器20包括位于所述基底10上的第一电极21,位于所述第一电极21上方的第二电极22,所述第一电极21和第二电极22之间为空腔23 ;并且，电容式压カ传感器20的第二电极22与所述第一互连结构11电连接。具体的，第二电极22包括与所述第一电极21相对设置的顶板221，位于所述顶板221四周的侧壁222，位于所述基底10上与所述第一互连结构11电连接的底板223，所述顶板221、侧壁222、底板223为一体 结构。顶板221具有开ロ 24，第一介质层31将开ロ24密封。其中，底板223和第一互连结构11之间具有导电块25,通过导电块25两者互相电连接。在图不的实施例中，导电块25与第一电极21位于同一层,且材料相同,在同一エ艺中形成，可以选择第一电极21和导电块25的材料为铝，但不限于铝，也可以为本领域技术人员公知的其他导电材料，例如，银、铝、铜、钛、钼金、金、镍、钴或者其中的组合。另外，第ー电极21与导电块25不限于同一层,材料也可以不同，也不限于在同一エ艺中形成。本发明中，第二电极22的材料为锗硅、多晶硅或单晶硅。需要说明的是，本发明中，电容式压カ传感器不限于具体实施例中描述的结构，也可以为本领域技术人员公知的其他结构的电容式压カ传感器。结合參考图I和图2，第一实施例中，电阻式压カ传感器包括电阻线40，该电阻线40呈多圈线圈状。继续參考图1，另外，第一介质层31具有开ロ 311，开ロ 311暴露出第二互连结构12与电阻线电连接的位置。第一介质层31也覆盖所述基底；电阻线位于第一介质层上，且电阻线的一部分位于所述第一介质层的开ロ的侧壁和底部，与所述第二互连结构电连接。在该具体实施例中，电阻线40通过导电块26与第二互连结构12电连接。在图示的实施例中，导电块26与第一电极21位于同一层,且材料相同,在同一エ艺中形成,可以选择第一电极21和导电块26的材料为铝，但不限于铝，也可以为本领域技术人员公知的其他导电材料，例如，银、铝、铜、钛、钼金、金、镍、钴或者其中的组合。另外，第一电极21与导电块26不限于同一层，材料也可以不同，也不限于在同一エ艺中形成。本发明中，第一介质层31的材料为氧化硅、氮化硅或者本领域技术人员公知的其他介质材料，第一介质层31的厚度范围为O. Γ1微米。第一介质层31的厚度不适宜过厚，如果过厚会导致电容式压力传感器对压カ的感应非常迟钝；如果过薄，会导致第一介质层31过于脆弱，影响器件的可靠性和长期工作的稳定性。在图2所示的第一实施例中，电阻线呈多圈线圈状，且每ー圈线圈为方形，但每ー圈线圈不限于方形，也可以为其他形状的线圈，例如圆形。第一实施例中，将电阻线制成多圈线圈状的目的为可以增加电阻线的长度，使电阻线对压カ的感应更加敏感。本发明中，电阻线的形状不限于多圈线圈状，也可以为其他形状的电阻线。图3为第二实施列的复合式压カ传感器中压カ感应区321、顶板22、电阻线40a三者的布局示意图，结合參考图3和图I，在第二实施例中，电阻式压カ传感器包括电阻线40a，该电阻线40a为ー圈线圈，且呈折线状；电阻线的线圈横跨开ロ 321，即开ロ 321暴露出电阻线的周边。由于第二实施例的电阻线的整个线圈均由开ロ 321暴露，这样可以使电阻线对压力感测更加敏感，提高测量压カ的灵敏度。以上第一实施例和第二实施例列举了电阻式压カ传感器的电阻线的不同形状，但其仅为示例性说明，可以使本领域技术人员更好的理解本发明。本发明中，电阻式压カ传感器的电阻线的形状可以为各种各样的形状，可以选择电阻线呈多折线型例如第一实施例和第二实施例中的多折线型，这样可以增大电阻线的长度，当压カ使电阻线发生形变时，由于电阻线长度大，相应的形变的长度也会増加，这样可以提高电阻线对压カ的感应灵敏度，提高电阻式压カ传感器的精度。本发明中，电阻线的材料为钛，钛材质较软，可以在压力的作用下产生形变，对压カ比较敏感。本发明中，电阻线的材料不限于钛，也可以为本领域技术人员公知的可以用于电阻式压カ传感器的材质，例如锗硅、银、铝、铜、钼金、金、镍、钴或者它们的任意組合。在具体工作吋，电阻式压カ传感器和电容式压カ传感器共同用来测试压力，其中电容式压カ传感器的测试范围比电阻式 压カ传感器的测试范围大；而且，电阻式压カ传感器的灵敏度比较高，对较小的压カ具有很好的感测能力。在压カ比较大的情况下，压カ会使电容式传感器的电容以及电阻式压カ传感器的电阻均发生变化该情况下，CMOS控制电路能够根据需要采用电容式传感器或电阻式传感器测量压力，还可以用两种传感器的测试结果相互验证；在压カ比较小的情况下，电容式传感器感测不到压力，压カ仅可以使电阻式压カ传感器的电阻发生变化，也就是说，在压カ较小的情况下只有电阻式压カ传感器可以感测到压力。基于以上机理，因此本技术方案的压カ传感器相对于现有技术单ー模式的压カ传感器可以提高压カ感测的精度，扩大压力感测的范围。本发明还提供ー种形成复合式压カ传感器的方法，图4为本发明具体实施例的形成复合式压カ传感器的方法的流程示意图，參考图4，本发明具体实施例的形成复合式压カ传感器的方法包括步骤S41，提供基底，所述基底具有CMOS控制电路，位于所述CMOS控制电路上的第一互连结构和第二互连结构，所述第一互连结构、第二互连结构与所述CMOS控制电路电连接;步骤S42，在所述基底上形成第一导电层，图形化所述第一导电层形成第一电极；步骤S43，形成牺牲层，覆盖所述第一电极和基底，图形化所述牺牲层定义出第二电极的位置，且暴露出第一互连结构与第二电极电连接的位置；步骤S44，形成第二导电层，覆盖所述图形化后的牺牲层和基底，图形化所述第二导电层形成第二电极，第一电极和第二电极为电容式压カ传感器的两个极板；步骤S45，形成第一介质层，覆盖所述第一电极、第二电极和基底，图形化所述第一介质层，在第一介质层中形成开ロ，所述开ロ暴露出第二互连结构与电阻式压カ传感器电连接的位置；步骤S46，形成电阻层，覆盖所述第一介质层以及其开ロ的侧壁和底部，图形化所述电阻层形成电阻式压カ传感器的电阻线；步骤S47，在所述第二电极上形成开ロ，通过第二电极上的开ロ去除图形化后的牺牲层，在第一电极和第二电极之间形成空腔；步骤S48，形成第二介质层，覆盖所述电阻线，图形化所述第二介质层，在第二介质层中形成开ロ，定义出压カ感应区的位置。图5 图9为本发明具体实施例的形成复合式压カ传感器的方法的剖面结构示意图，结合參考图4和图5 图9详述本发明具体实施例的形成复合式压カ传感器的方法。
结合參考图4和图5，执行步骤S41，提供基底10，所述基底具有CMOS控制电路(图中未不),位于所述CMOS控制电路上的第一互连结构11和第二互连结构12,所述第一互连结构11、第二互连结构12与所述CMOS控制电路电连接。其中，第一互连结构11用于与之后形成的电容式压カ传感器电连接，第二互连结构12用干与之后形成的电阻式压カ传感器电连接。基底10的材料为半导体材料。该CMOS控制电路用于将电容式传感器的电容信号转换为压カ电信号，将电阻式压カ传感器的电阻信号转换为压カ电信号。结合參考图4和图5、图1，执行步骤S42，在所述基底上形成第一导电层，图形化所述第一导电层形成第一电极21。在本发明具体实施例中，图形化第一导电层也形成了位于第一互连结构11和第二互连结构12上的 导电块25、26，第一互连结构11通过导电块25与电容式压カ传感器电连接，第二互连结构12通过导电块26与电阻式压カ传感器电连接。该实施例中，第一导电层的材料为铝，利用气相沉积方法在基底10上形成铝层，然后利用光刻、刻蚀エ艺图形化铝层形成第一电极21和导电块25。之后，形成介质层13，覆盖基底10和第一电极21、导电块；接着，对介质层13进行平坦化，直至暴露出第一电极21和导电块25、26。本发明中，第一导电层的材料不限于铝，也可以为其他导电材料，例如铜、钨等；当第一导电层的材料发生变化时，形成第一电极21和导电块25、26的方法相应的发生变化。本发明中，形成第一电极时，也可以不形成导电块25、26，而是在形成第二电极吋，将第二电极直接与第一互连结构电连接，形成电阻式压カ传感器时将第二互连结构12直接与电阻式压カ传感器电连接。结合參考图4和图6、图1，执行步骤S43，形成牺牲层14，覆盖所述第一电极21和基底10，图形化所述牺牲层14定义出第二电极22的位置并暴露出第一互连结构与第二电极12的连接位置；以及步骤S44，形成第二导电层，覆盖所述图形化后的牺牲层14和基底10，图形化第二导电层形成第二电极22，第一电极21和第二电极22为电容式压カ传感器的两个极板。该具体实施例中，由于形成了导电块25，因此牺牲层14覆盖第一电极21、导电块25,26和基底10，图形化的牺牲层14定义出第二电极22的位置并暴露出导电块25、26。具体实施例中，牺牲层14的材料可以选用非晶碳，但不限于非晶碳。形成非晶碳的牺牲层的方法为化学气相沉积，图形化牺牲层的方法为光刻、刻蚀。第二导电层的材料为锗硅，但不限于锗硅，可以为其他的导电材料。形成第二导电层的方法为化学气相沉积，图形化第二导电层的方法为光刻、刻蚀。结合參考图4和图7、图I，执行步骤S45，形成第一介质层31，覆盖所述第一电极21、第二电极22和基底10，图形化所述第一介质层，在第一介质层中形成开ロ 311，所述开ロ 311暴露出第二互连结构与电阻式压カ传感器电连接的位置。第一介质层31的材料为氧化硅、氮化硅等本领域技术人员公知的介质材料，具体形成方法为利用化学气相沉积形成第一介质层，覆盖第一电极21、第二电极22和基底10，由于形成了导电块25、26，因此第一介质层31覆盖导电块25、26 ;之后对第一介质层进行平坦化，电容式传感器的第二电极的顶板与电阻式压カ传感器之间的第一介质层31的厚度为O. Γ1微米；形成第一介质层31后，由于之后形成的电阻式压カ传感器需要与第二互连结构12电连接，因此，需要利用光刻、刻蚀エ艺对第一介质层31进行图形化，在第一介质层31中形成开ロ 311，该开ロ 311暴露出导电块26。结合參考图4和图8、图I、图2，执行步骤S46，形成电阻层，覆盖所述第一介质层31以及其开ロ 311的侧壁和底部，图形化所述电阻层形成电阻式压カ传感器的电阻线40。电阻层的材料为钛，形成电阻层的方法为气相沉积，利用光刻、刻蚀エ艺图形化电阻层。电阻层的厚度范围为ο. Γι微米。本发明中，电阻层的材料不限于钛，也可以为本领域技术人员公知的其他可以用作电阻式压カ传感器的电阻材料，例如银、铝、铜、钛、钼金、金、镍、钴或者它们的任意組合。參考图3，电阻式压カ传感器的电阻线 还可以为第二实施例中描述的电阻线40a。本发明中，根据电阻线的形状确定光刻的图形。结合參考图4和图9，执行步骤S47，在所述第二电极上形成开ロ 24，通过第二电极上的开ロ 24去除图形化后的牺牲层，在第一电极和第二电极之间形成空腔23。当然，在该步骤中，由于第二电极上覆盖有第一介质层31，因此在第一介质层31中也形成了与开ロ 24贯穿的开ロ(图中未示)。具体的形成开ロ 24的方法为光刻、刻蚀エ艺。其中，步骤S47可以在步骤S46之后执行，也可在形成第一介质层31之前，形成第二电极22之后执行；还可以在形成第一介质层后，形成电阻层之前执行。本发明具体实施例中，牺牲层的材料为非晶碳，去除图形化的牺牲层的方法为等离化氧气形成氧等离子体；在温度范围为150°C 450°C的条件下使所述氧等离子体通过开ロ 24流过图形化后的牺牲层14，灰化去除非晶碳。结合參考图4和图9、图I、图2，执行步骤S48，形成第二介质层32，覆盖所述电阻线，图形化所述第二介质层32，在第二介质层中形成开ロ 321，所述开ロ 321定义出压カ感应区的位置。第二介质层32的材料为氧化硅、氮化硅或本领域人员公知的其他介质材料，形成第二介质层的方法为化学气相沉积，利用光刻、刻蚀エ艺图形化第二介质层32。本发明具体实施例中，电容式压カ传感器的第一电极的材料为铝，第二电极的材料为锗硅，电阻式压カ传感器的电阻线为金属钛，因此第一电极、第二电极以及电阻线均可以使用半导体エ艺中的沉积以及刻蚀的步骤形成，与CMOSエ艺兼容，因此，可以利用标准的CMOS制造エ艺实现CMOS控制电路与传感器的一体化。本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述掲示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。
权利要求
1.ー种复合式压カ传感器，其特征在于，包括 基底，所述基底具有CMOS控制电路，位于所述CMOS控制电路上的第一互连结构和第二互连结构，所述第一互连结构、第二互连结构与所述CMOS控制电路电连接； 位于所述基底上的电容式压カ传感器，与所述第一互连结构电连接； 位于所述电容式压カ传感器上的电阻式压カ传感器，所述电阻式压カ传感器与所述第ニ互连结构电连接，所述电容式压カ传感器和电阻式压カ传感器之间为第一介质层； 位于所述电阻式压カ传感器上的具有开ロ的第二介质层，所述开ロ定义出压カ感应区的位置。
2.如权利要求I所述的复合式压カ传感器，其特征在于，所述电阻式压カ传感器包括电阻线。
3.如权利要求2所述的复合式压カ传感器，其特征在干，所述第一介质层也覆盖所述基底，所述第一介质层具有开ロ，所述第一介质层的开ロ暴露出所述第二互连结构与电阻线电连接的位置； 所述电阻线的一部分位于所述第一介质层的开ロ的侧壁和底部，与所述第二互连结构电连接。
4.如权利要求2所述的复合式压カ传感器，其特征在于，所述电阻线的材料为钛。
5.如权利要求2所述的复合式压カ传感器，其特征在于，所述电阻线呈多折线型。
6.如权利要求I所述的复合式压カ传感器，其特征在于，所述电容式压カ传感器包括位于所述基底上的第一电极，位于所述第一电极上方的第二电极，所述第一电极和第二电极之间为空腔； 所述第二电极与所述第一互连结构电连接。
7.如权利要求6所述的复合式压カ传感器，其特征在于，所述第二电极包括与所述第ー电极相对设置的顶板，位于所述顶板四周的侧壁，位于所述基底上与所述第一互连结构电连接的底板，所述顶板、侧壁、底板为一体结构。
8.如权利要求6所述的复合式压カ传感器，其特征在于，所述第二电极的材料为锗硅。
9.ー种形成复合式压カ传感器的方法，其特征在于，包括 提供基底，所述基底具有CMOS控制电路，位于所述CMOS控制电路上的第一互连结构和第二互连结构，所述第一互连结构、第二互连结构与所述CMOS控制电路电连接； 在所述基底上形成第一导电层，图形化所述第一导电层形成第一电极； 形成牺牲层，覆盖所述第一电极和基底，图形化所述牺牲层定义出第二电极的位置，且暴露出第一互连结构与第二电极电连接的位置； 形成第二导电层，覆盖所述图形化后的牺牲层和基底，图形化所述第二导电层形成第ニ电极，第一电极和第二电极为电容式压カ传感器的两个极板； 形成第一介质层，覆盖所述第一电极、第二电极和基底，图形化所述第一介质层，在第一介质层中形成开ロ，所述开ロ暴露出第二互连结构与电阻式压カ传感器电连接的位置；形成电阻层，覆盖所述第一介质层以及其开ロ的侧壁和底部，图形化所述电阻层形成电阻式压カ传感器的电阻线； 在所述第二电极上形成开ロ，通过第二电极上的开ロ去除图形化后的牺牲层，在第一电极和第二电极之间形成空腔；形成第二介质层，覆盖所述电阻线，图形化所述第二介质层，在第二介质层中形成开ロ，定义出压カ感应区的位置。
10.如权利要求9所述的形成复合式压カ传感器的方法，其特征在于，所述电阻层的材料为钛，所述第二电极的材料为锗硅。
全文摘要
一种复合式压力传感器及其形成方法，复合式压力传感器包括基底，所述基底具有CMOS控制电路，位于所述CMOS控制电路上的第一互连结构和第二互连结构，所述第一互连结构、第二互连结构与所述CMOS控制电路电连接；位于所述基底上的电容式压力传感器，与所述第一互连结构电连接；位于所述电容式压力传感器上的电阻式压力传感器，所述电阻式压力传感器与所述第二互连结构电连接，所述电容式压力传感器和电阻式压力传感器之间为第一介质层；位于所述电阻式压力传感器上的具有开口的第二介质层，所述开口定义出压力感应区的位置。本技术方案的压力传感器相对于现有技术单一模式的压力传感器可以提高压力感测的精度，扩大压力感测的范围。
文档编号G01L9/00GK102692294SQ201210171708
公开日2012年9月26日 申请日期2012年5月29日 优先权日2012年5月29日
发明者唐德明, 王志玮 申请人:上海丽恒光微电子科技有限公司