晶体振荡器性能检测仪的制作方法

晶体振荡器性能检测仪的制作方法
【专利摘要】本发明是关于一种晶体振荡器性能检测仪，其特征包括：9V直流电源、多频振荡电路、倍压检波及滤波电路、直流放大及测试结果显示电路；所述的多频振荡电路由被测晶体振荡器BC、电阻R1、NPN型晶体管BG1、电容C1、电容C2和电阻R2组成；所述的倍压检波及滤波电路由电容C3、2只锗二极管D1～D2、电解电容C4和电容C5组成，2只锗二极管D1～D2选用的型号为2AP30E；所述的直流放大及测试结果显示电路由NPN型晶体管BG2和发光二极管LED组成。本发明为技术人员在维修时，能够方便、准确测试各种红外线遥控器、U盘、MP3等电路中的晶体振荡器是否损坏，为迅速地修复电子设备提供了方便。
【专利说明】晶体振荡器性能检测仪
【技术领域】
[0001]本发明属于电子元器件测试【技术领域】，是关于一种晶体振荡器性能检测仪。
【背景技术】
[0002]石英晶体振荡器也称之为晶体振荡器，俗称:晶振，它是利用具有压电效应的石英晶体片制成。这种石英晶体薄片受到外加交变电场的作用时会产生机械振动，当交变电场的频率与晶体振荡器的固有频率相同时，振动便变得很强烈，这就是晶体谐振特性的特性。利用晶体振荡器的这种特性，可用晶体振荡器取代LC (线圈和电容)谐振回路、滤波器等。由于晶体谐振器具有体积小、重量轻、可靠性高、频率稳定度高等优点，晶体振荡器被广泛地应用在电视机、影碟机、无线通讯设备、电子钟表等电子设备中。
[0003]在电器维修过程中，经常遇到红外线遥控器功能失灵的现象。如何判断红外线遥控器中的晶体振荡器性能，用一般万用表很难判断晶体振荡器是否存在故障。本发明所述的晶体振荡器性能检测仪利用普通电子元件制作一个可以测量频率为220KHZ?95MHz晶振振荡器测试装置，它为技术人员在维修时，能够方便、准确地测试各种红外线遥控器、U盘、MP3等电路中的晶体振荡器是否损坏，晶体振荡器性能好坏一目了然，为快速地修复电子设备提供了方便。
[0004]以下详细说明本发明所述的晶体振荡器性能检测仪在实施过程中所涉及的有关技术内容。

【发明内容】

[0005]发明目的及有益效果:在电器维修过程中，经常遇到红外线遥控器的功能失灵的现象。如何判断红外线遥控器中的晶振性能，用一般万用表很难判断晶体振荡器是否存在故障。本发明所述的晶体振荡器性能检测仪利用普通电子元件元件制作一个可以测量频率为220KHz?95MHz晶体振荡器测试装置，它为技术人员在维修时，能够方便、准确测试各种红外线遥控器、U盘、MP3等电路中的晶体振荡器是否损坏，晶体振荡器性能好坏一目了然，为迅速地修复电子设备提供了方便。
[0006]电路工作原理:晶体振荡器性能检测仪由NPN型晶体管BGl和阻容元件构成多频振荡电路，NPN型晶体管BGl的发射极输出振荡电压经过电容C3、锗二极管Dl?D2进行倍压检波后，在电解电容C4的两端得到> 0.75V直流电压，驱动NPN型晶体管BG2使发光二极管LED点亮发光；若被测晶体振荡器BC已经损坏，因为多频振荡电路不能正常工作，倍压检波电路将无直流电压输出，所以发光二极管LED不能被点亮。通过观察发光二极管LED是否点亮发光，来判断晶振振荡器是否起振，同时观察比较振荡幅度的大小。
[0007]技术方案:晶体振荡器性能检测仪，它包括9V直流电源、多频振荡电路、倍压检波及滤波电路、直流放大及测试结果显示电路，其特征在于:
[0008]多频振荡电路:它由被测晶体振荡器BC、电阻R1、NPN型晶体管BGl、电容Cl、电容C2和电阻R2组成，NPN型晶体管BGl的基极接电阻Rl的一端、电容Cl的一端和被测晶体振荡器BC的一端，电阻Rl的另一端和NPN型晶体管BGl的集电极接电路正极VCC，电容Cl的另一端和NPN型晶体管BGl的发射极接电容C2的一端和电阻R2的一端，被测晶体振荡器BC的另一端和电容C2的另一端及电阻R2的另一端接电路地GND ；
[0009]倍压检波及滤波电路:它由电容C3、2只锗二极管Dl~D2、电解电容C4和电容C5组成，2只锗二极管Dl~D2选用的型号为2AP30E，NPN型晶体管BGl的发射极通过电容C3接锗二极管Dl的负极和锗二极管D2的正极，锗二极管D2的负极接电解电容C4的正极和电容C5的一端，锗二极管Dl的正极和电解电容C4的负极及电容C5的另一端接电路地GND ；
[0010]直流放大及测试结果显示电路:它由NPN型晶体管BG2和发光二极管LED组成，NPN型晶体管BG2的基极接锗二极管D2的负极，NPN型晶体管BG2的集电极接发光二极管LED的负极，发光二极管LED的正极接电路正极VCC，NPN型晶体管BG2的发射极接电路地GND ；
[0011]9V直流电源的正极与电路正极VCC相连，9V直流电源的负极与电路地GND相连。【专利附图】

【附图说明】
[0012]附图1是本发明提供一个晶体振荡器性能检测仪的实施例电路工作原理图。【具体实施方式】
[0013]按照附图1所示的晶体振荡器性能检测仪电路工作原理图和【专利附图】

【附图说明】，并按照
【发明内容】
所述的各部分电路中元器件之间连接关系，以及实施方式中所述的元器件技术参数要求和电路制作要点进行实施即可实现本发明，以下结合实施例对本发明的相关技术作进一步的描述。
[0014]元器件的技术参数及选择要求
[0015]BGl、BG2为NPN型晶体管，选用的型号为2SC9018，要求β≥160 ;
[0016]Dl~D2为锗二极管，选用的型号为2AP30E ；
[0017]电阻Rl的阻值为62KQ，电阻R2的阻值为1.1KQ ；
[0018]要求以下4只电容全部使用瓷介电容，电容Cl的容量为30PF ;电容C2的容量为18PF ;电容C3的容量为2200PF ;电容C5的容量为1800PF ；
[0019]C4为电解电容，其容量为0.68iiF/10V ;
[0020]LED为发光二极管，选用直径0 5mm普通红色发光二极管；
[0021]BC为被测晶体振荡器，频率范围220KHz~95MHz。
[0022]电路制作要点、电路调试与使用方法
[0023]因晶体振荡器性能检测仪的电路结构比较简单，一般情况下只要选用的电子元器件性能完好，并按照说明书附图1中的元器件连接关系进行焊接，物理连接线及焊接质量经过仔细检查正确无误后，本发明的电路基本不需要进行任何调试即可正常工作；
[0024]在制作中应该注意，被测晶体振荡器BC的两只引脚不能相距太近，否则振荡幅度将会受影响，有可能导致发光二极管LED不能被点亮，从而影响被测晶体振荡器BC性能的测试结果；
[0025]分别用429KHz ；455KHz ；4.000MHz ；11.160MHz ；12.000MHz ；24.0OMHz ；37.0OMHz ；94.75MHz的晶体振荡器接入电路均能顺利起振；[0026]在9W直流电源的供电电路中，必要时可增加电容和高频介电容滤波电路。
【权利要求】
1.一种晶体振荡器性能检测仪，它包括9V直流电源、多频振荡电路、倍压检波及滤波电路、直流放大及测试结果显示电路，其特征在于: 所述的多频振荡电路由被测晶体振荡器BC、电阻Rl、NPN型晶体管BGl、电容Cl、电容C2和电阻R2组成，NPN型晶体管BGl的基极接电阻Rl的一端、电容Cl的一端和被测晶体振荡器BC的一端，电阻Rl的另一端和NPN型晶体管BGl的集电极接电路正极VCC，电容Cl的另一端和NPN型晶体管BGl的发射极接电容C2的一端和电阻R2的一端，被测晶体振荡器BC的另一端和电容C2的另一端及电阻R2的另一端接电路地GND ； 所述的倍压检波及滤波电路由电容C3、2只锗二极管Dl?D2、电解电容C4和电容C5组成，2只锗二极管Dl?D2选用的型号为2AP30E，NPN型晶体管BGl的发射极通过电容C3接锗二极管Dl的负极和锗二极管D2的正极，锗二极管D2的负极接电解电容C4的正极和电容C5的一端，锗二极管Dl的正极和电解电容C4的负极及电容C5的另一端接电路地GND ；所述的直流放大及测试结果显示电路由NPN型晶体管BG2和发光二极管LED组成，NPN型晶体管BG2的基极接锗二极管D2的负极，NPN型晶体管BG2的集电极接发光二极管LED的负极，发光二极管LED的正极接电路正极VCC，NPN型晶体管BG2的发射极接电路地GND ；所述的9V直流电源的正极与电路正极VCC相连，9V直流电源的负极与电路地GND相连。
【文档编号】G01R31/00GK103760446SQ201410036968
【公开日】2014年4月30日 申请日期:2014年1月24日 优先权日:2014年1月24日
【发明者】吴建堂 申请人:吴建堂