一种锗晶体码盘分划工艺的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种锗晶体码盘分划工艺，其工艺流程为：涂胶→前烘→曝光→中烘→显影→后烘→清洗→镀铬→去胶→检验。本发明的有益效果是：解决了锗晶体码盘图案的制作技术难题，在锗晶体光坯上制作出明暗对比度大、图案边缘不均匀性小的码盘图案，激光通过码盘上的光栅通道，形成信息场的调制频率，满足激光驾束制导仪的使用。该方法对晶体分划元件的制作具有很好的推广应用价值。可广泛应用于光学仪器分划元件的加工，可用于航天、航空、激光驾束制导系统、红外产品光学系统等。在锗晶体光坯上制作出明暗对比度大、图案边缘不均匀性小的码盘图案。
【专利说明】—种锗晶体码盘分划工艺【技术领域】
[0001]本发明涉及一种锗晶体码盘分划工艺，属于光学加工【技术领域】。
【背景技术】
[0002]光学码盘是光学轴角编码器的角度基准光学元件，是实现模-数转换(Α/D转换)的有效工具之一，是信息场形成的关键零件。激光通过码盘上的光栅通道，形成信息场的调制频率。采用C02激光器的激光驾束制导仪，工作波长为10.6 μ m，码盘需用锗晶体基底来制作。锗基底码盘的加工及检测是一项新的工艺课题。锗码盘的制作主要包括:光坯的加工一码盘图案的制作一镀膜等制作过程。锗晶体光坯的加工及红外增透膜的镀制在国内有成熟工艺，但却鲜少有分划图案的制作技术。
[0003]采用普通分划制作工艺:光刻胶:正性光刻胶；工艺流程为:镀铬一涂胶一前烘一曝光一中烘一显影一后烘一腐蚀一去胶一检验零件各项技术要求一转下一道工序。按此工艺加工后，锗晶体光坯上直接镀上铬后，铬膜与锗结合非常牢固，码盘图案透光区脱铬非常困难，最终锗晶体光坯表面无任何图案。
【发明内容】
[0004]本发明目的就在 于克服上述不足，提供一种锗晶体码盘分划工艺。
[0005]为实现上述目的，本发明是通过以下技术方案来实现:一种锗晶体码盘分划工艺，其工艺流程为:涂I父一如烘一曝光一中烘一显影一后烘一清洗一锻络一去I父一检验。
[0006]进一步，作为一种优化方案，所述的前烘、中烘、后烘三道工序均为放入烘箱烘干后取出放入暗室中自然冷却。
[0007]进一步，作为一种优化方案，所述的涂胶工序中采用的胶为负性光刻胶。
[0008]本发明的有益效果是:解决了锗晶体码盘图案的制作技术难题，在锗晶体光坯上制作出明暗对比度大、图案边缘不均匀性小的码盘图案，激光通过码盘上的光栅通道，形成信息场的调制频率，满足激光驾束制导仪的使用。该方法对晶体分划元件的制作具有很好的推广应用价值。可广泛应用于光学仪器分划元件的加工，可用于航天、航空、激光驾束制导系统、红外产品光学系统等。在锗晶体光坯上制作出明暗对比度大、图案边缘不均匀性小的码盘图案。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1为本发明的工艺流程图。
【具体实施方式】
[0010]下面结合附图对本发明作进一步说明:
实施例1:如图1流程所示，<i)58mmX3mm的锗晶体码盘,锗晶体光还表面涂上负性光刻胶，放入烘箱进行前烘后取出，暗室自然冷却，曝光，放入烘箱进行中烘，暗室自然冷却，再放入显影液显影后，进行后烘，暗室自然冷却，清洗零件，镀制铬膜，去胶，检验图形、指标符合要求，转下一道工序真空镀膜。
[0011]本发明采取上述技术方案以后，对零件进行了观察和测量，图案边缘比较整齐，不均匀性最大为0.008mm。透过率测量:在波长10.6 μ m处，透光区和不透光区的透过率测量结果如下:不透光区透过率是6.633%，透光区透过率是48.806%。结果表明，在锗晶体表面形成明暗对比度大、图案边缘不均匀性小于0.008mm的码盘图形。
[0012]需要注意的是，上述具体实施例仅仅是示例性的，在本发明的上述教导下，本领域技术人员可以在上述实施例的基础上进行各种改进和变形，而这些改进或者变形落在本发明的保护范围内。
[0013]本领域技术人员应该明白，上面的具体描述只是为了解释本发明的目的，并非用于限制本发明。本发明的保护范围由权利要求及其等同物限定。
【权利要求】
1.一种锗晶体码盘分划工艺，其特征在于:其工艺流程为:涂胶一前烘一曝光一中烘—显影一后烘一清洗一锻络一去I父一检验。
2.根据权利要求1所述的锗晶体码盘分划工艺，其特征在于:所述的前烘、中烘、后烘三道工序均为放入烘箱烘干后取出放入暗室中自然冷却。
3.根据权利要求1所述的锗晶体码盘分划工艺，其特征在于:所述的涂胶工序中采用的胶为负性光刻胶。
【文档编号】G01D5/347GK103955114SQ201410211244
【公开日】2014年7月30日 申请日期:2014年5月20日 优先权日:2014年5月20日
【发明者】苏颖, 陈俊霞, 张勇, 张成群, 龚涛, 赵科兵, 赵淑君 申请人:河南平原光电有限公司