基于G-四面体/hemin的光电化学多功能传感器的制作方法与工艺

文档序号:11804188阅读:来源:国知局
基于G-四面体/hemin的光电化学多功能传感器的制作方法与工艺

技术特征:
1.基于G-四面体/hemin的光电化学多功能传感器,其特征在于:a、以巯基己醇和带有羧基的化合物共同作为表面修饰剂制备水溶性硫化铅或硒化铅量子点;具体步骤为:将一定量的巯基己醇和带有羧基的化合物与水溶性铅盐溶液混合后,用1mol/L的NaOH溶液调节溶液的pH为碱性;然后通入高纯氮气30min后,加入Na2S或者NaHSe水溶液,继续通N2搅拌,在一定温度下加热反应一定时间,得水溶性硫化铅或硒化铅量子点;b、将经过预处理的ITO玻璃片浸在含有0.1mmol/LNaCl的2%PDDA聚合物的溶液中,10分钟后用去离子水冲洗电极表面;然后再浸入到水溶性硫化铅或硒化铅量子点溶液中,10分钟后用去离子水清洗电极表面;以上步骤可将硫化铅或硒化铅量子点修饰到ITO电极上;c、以制得的硫化铅或硒化铅量子点修饰的ITO电极作为工作电极,通过缩合反应将捕获核酸序列所带NH2与电极表面硫化铅或硒化铅量子点表面的COOH共价相连,从而将捕获探针固定到电极表面;具体操作为将硫化铅或硒化铅量子点修饰电极浸在含有20mgEDS和10mgNHS的1mL水溶液中反应1小时,再用含有0.02%Tween-20的0.01mol/LpH7.4的Tris-HCl缓冲溶液的清洗液冲洗电极表面;然后,滴加25μL1.0×10-6mol/L捕获核酸序列在4度下反应过夜,用清洗液冲洗电极表面;接着用25μL含有0.1mol/LKCl、1.0mmol/L单乙醇胺或者0.02%Tween-20以及3%BSA的0.01mol/LpH为7.4的Tris-HCl缓冲溶液的封闭液封闭30min以除去电极表面的活性位点,用清洗液冲洗;将电极放入含有0.05mol/LKCl和0.1mol/LNaCl的一定pH的缓冲溶液组成电解质溶液中,以饱和银/氯化银电极作为参比电极,铂丝作为对电极,一定电位下在自制的光电化学测定仪器上进行光电流测定;d、随后,将电极表面加入不同浓度的待测目标物和1.0×10-6mol/Lhemin后反应30-60分钟,用清洗液冲洗;将电极放入电解质溶液中观察光电流的变化情况。2.根据权利要求1所述的基于G-四面体/hemin的光电化学多功能传感器,其特征在于所述的硫化铅或硒化铅量子点的表面修饰剂为巯基己醇和带有羧基的化合物组成的混合物,带有羧基的化合物选自巯基乙酸,巯基丙酸,半胱氨酸,二巯基丁二酸,油酸,聚丙烯酸,表面修饰剂的总量为铅离子的物质的量的3-20倍,带有羧基的化合物和巯基己醇的物质的量之比为2∶1-25∶1。3.根据权利要求1所述的基于G-四面体/hemin的光电化学多功能传感器,其特征在于合成硫化铅或硒化铅量子点时所选用的反应温度为50-100度,反应时间为1-6小时。4.根据权利要求1所述的基于G-四面体/hemin的光电化学多功能传感器,其特征在于 光电化学测定时所使用的缓冲溶液为含有0.05mol/LKCl和0.1mol/LNaCl的Tris-HCl缓冲溶液,缓冲溶液的pH为6.0-9.0。5.根据权利要求1所述的基于G-四面体/hemin的光电化学多功能传感器,其特征在于光电流测定时采用的电压相对于Ag/AgCl参比电极为(-0.3)-(+0.3)V。6.根据权利要求1所述的基于G-四面体/hemin的光电化学多功能传感器,其特征在于光电化学测定的目标物为DNA,凝血酶,三磷酸腺苷,单磷酸腺苷,铅(II)离子。
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