技术总结
本发明属于集成电路领域，涉及可探测辐射的电压传感器的制备方法，具体针对NMOS晶体管和PMOS晶体管提出不同电路结构的电压传感器。本发明使用一个针对NMOS晶体管的电压传感器连接多个NMOS晶体管的P衬底接触点，可以探测其中任何一个NMOS晶体管是否受到足够强的辐射。本发明使用一个针对PMOS晶体管的电压传感器连接多个PMOS晶体管的N阱接触点，可以探测其中任何一个PMOS晶体管是否受到足够强的辐射。测试结果显示，本发明的辐射探测时间短，电路面积和功耗小，而且辐射探测成功次数高。
技术研发人员：佘晓轩
受保护的技术使用者：复旦大学
文档号码：201510493840
技术研发日：2015.08.12
技术公布日：2017.02.22