用于HVDC的阀门性能测试的合成测试电路的制作方法

文档序号:12484488阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种用于HVDC的阀门性能测试的合成测试电路,包括:

谐振电路,其被配置为包括用于测试逆变器模式的操作的第一测试阀门和用于测试整流器模式的操作的第二测试阀门;

电源(P/S),其被配置为给所述谐振电路提供工作电压;以及

DC/DC转换器,其被配置为对所述谐振电路的DC偏置电流进行分流,

其中,所述第一测试阀门是具有正DC电流偏置的逆变器单元,

其中,所述第二测试阀门是具有负DC电流偏置的整流器单元。

2.根据权利要求1所述的合成测试电路,其中,所述第一测试阀门和所述第二测试阀门中的每一个包括多个子模块,所述多个子模块包括多个IGBT和电容器,并且

其中,所述谐振电路包括:在所述第一测试阀门与所述第二测试阀门之间串联连接的第一电感器和第二电感器、在所述第一测试阀门与所述第二测试阀门之间串联连接的第一辅助阀门和第二辅助阀门、以及第一电容器,所述第一电容器的一端连接到所述第一电感器与所述第二电感器之间的触点,并且所述第一电容器的另一端连接到所述第一辅助阀门与所述第二辅助阀门之间的触点。

3.根据权利要求2所述的合成测试电路,其中,所述第一电感器连接在所述第一测试阀门的各IGBT之间,所述第二电感器连接在所述第二测试阀门的各IGBT之间,所述第一辅助阀门连接在所述第一测试阀门的所述IGBT与所述电容器之间,并且所述第二辅助阀门连接在所述第二测试阀门的所述IGBT与所述电容器之间。

4.根据权利要求2所述的合成测试电路,其中,在所述第一测试阀门和所述第二测试阀门中包含的子模块中的每一个包括两个串联连接的IGBT以及并联连接到IGBT的电容器。

5.根据权利要求2所述的合成测试电路,其中,所述第一辅助阀门包括第一IGBT、以及并联连接到所述第一IGBT并且彼此串联连接的第二IGBT和电容器,并且

其中,所述第二辅助阀门包括第三IGBT、以及并联连接到所述第三IGBT并且彼此串联连接的第四IGBT和电容器。

6.根据权利要求5所述的合成测试电路,其中,所述DC/DC转换器连接到所述第一辅助阀门中包含的所述电容器的两端并且连接到所述第二辅助阀门中包含的所述电容器的两端。

7.根据权利要求5所述的合成测试电路,其中,所述电源连接到所述第二辅助阀门中包含的所述电容器的两端以对所述测试阀门和所述辅助阀门进行充电。

8.根据权利要求5所述的合成测试电路,其中,所述第一IGBT和所述第二IGBT反并联连接,并且所述第三IGBT和所述第四IGBT反并联连接。

9.根据权利要求2所述的合成测试电路,其中,所述第一电感器和所述第二电感器具有相同值。

10.根据权利要求1所述的合成测试电路,其中,所述电源给所述第一测试阀门和所述第二测试阀门提供工作电压。

当前第2页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1