复合式独立电位传感器的直流合成场强测量装置及其方法与流程

文档序号:12467078阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种复合式独立电位传感器的直流合成场强测量装置,主要针对高压直流输电线路附近离子流场存在时直流合成场强的测量,其特征在于,该测量装置由两个电位互相独立且绝缘隔离的传感器和,和由差分信号处理模块、无线信号传输模块及无线信号收发模块及无线供能模块组成的信号处理电路构成;其中,传感器与传感器用绝缘材料隔开,通过绝缘材料进行机械上的连接,以实现完全电位隔离,所述信号处理电路集成在PCB版上,分别与两个传感器电连接。

2.如权利要求1中所述的直流合成场强测量装置,其特征在于,所述两个传感器均由金属封装盒体及安装在盒体内的传感芯片组成,两个盒体的上下极板均为金属,极板四周及两盒体之间用绝缘材料封装包裹;每个传感器的传感器芯片与盒体上极板电连接,两个传感器的传感器芯片与盒体上极板距离分别为d1、d2,且d1≠d2。

3.如权利要求1所述的直流合成场强测量装置,其特征在于,所述无线供能模块使用射频供能方式,使用信号-能量复合传输方式。

4.一种采用如权利要求1中所述的装置的直流合成场强测量方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:

(1)对传感装置的λ参数进行标定,标定时,将传感装置放在某一空间点已知的场强E0c中,得到所述传感装置的两个传感器芯片直接测量量为Ein10和Ein20,计算得到传感装置的λ结构参数公式:对于不同的芯片高度设置d1和d2,有E11=λE12,E11和E12分别为两个传感器外壳因离子流充电而产生的积累电荷附加电场;

(2)在实际测量待测电场时,所述测量装置内部的两个距顶部外壳高度不同的传感器芯片测量到电场Ein1和Ein2,作为该位置点的两个原始数据;

(3)由于E11=λE12,而Ein1=E0+E11,Ein2=E0+E12,其中E0代表传感器未放入空间电场时传感器所测点的原直流合成场强,则两个原始数据Ein1和Ein2通过差分信号处理得到该点的待测值

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