1.一种制备透射电子显微镜样品的方法，其特征在于包括：
第一步骤：针对样品上的需要分析的特定目标形成用于标定特定目标的标记；
第二步骤：向芯片样品射入聚焦离子束，根据标记找到特定目标所处的区域，使用与样品垂直的离子束将芯片样品切割至靠近特定目标预定距离的位置；
第三步骤：倾斜样品，利用预定倾角的离子束在目标结构上切割，同时利用电子束观测目标处图形进行判断，将该特定目标上方切割至剩余预定厚度的位置；
第四步骤：将样品平面倾斜至与离子束垂直，在目标结构上方沉积金属保护层；
第五步骤：利用金属保护层完成透射电子显微镜制样以形成透射电子显微镜样品。
2.根据权利要求1所述的制备透射电子显微镜样品的方法，其特征在于，在第一步骤用激光或离子束对样品上的需要分析的特定目标进行标记。
3.根据权利要求1或2所述的制备透射电子显微镜样品的方法，其特征在于，特定目标是多晶硅目标。
4.根据权利要求1或2所述的制备透射电子显微镜样品的方法，其特征在于，在第二步骤根据电子束影像中特定的结构来判断位置。
5.根据权利要求1或2所述的制备透射电子显微镜样品的方法，其特征在于，所述预定距离为0.5～2微米。
6.根据权利要求1或2所述的制备透射电子显微镜样品的方法，其特征在于，所述预定厚度为0.1～0.5微米。
7.根据权利要求1或2所述的制备透射电子显微镜样品的方法，其特征在于，第三步骤将该特定目标上方切割至第一金属层的位置。
8.根据权利要求1或2所述的制备透射电子显微镜样品的方法，其特征在于，预定倾角为30～60度。