本发明涉及功率检测技术领域，尤其涉及一种功率检测器。
背景技术：
对于传统功率检测器，电路中管子的漏端电压由电流镜产生，管子工作在临界导通状态，漏源端电位几乎相等，因此漏端偏置电压决定了输出端的直流电平，由于处于临界导通状态的管子对偏置电压的变化非常敏感，就会容易造成管子截止，从而影响功率检测器的作用。
技术实现要素：
针对现有技术中缺陷与不足的问题，本发明提出了一种功率检测器，可稳定管子的直流偏置，不使管子截止。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种功率检测器，包括隔直电容器C0、C1，耦合电容C2、C3，偏置电阻R1、R2、R3、R4，由R5、C4、C5组成的低通滤波器和PMOS管M8、M9；CO与C2、C1与C3相连，再分别连到M1、M2的栅极，由M1、M2的栅端分别经R3、R4连到A点，由M1、M2的漏端连到B点，B点与低通滤波器相连，所述M8、M9漏端相连，组成源跟随器结构，C点位于M8、M9之间，A点与C点相连， M9的栅极通过D点与低通滤波器相连，所述CO、C2之间与C1、C3之间通过R1、R2加有偏置电压VB。
进一步的，所述M8还连有管子M5，M5与M4相连，M4与M3相连，M3与M7相连，M7与M6相连。
进一步的，所述M5、M6、M8的栅端接入电源VDD，M3、M4、M7的栅端接入基准电流IREF，所述M3、M4、M7的漏端接地GND。
进一步的，所述M9和低通滤波器接地。
进一步的，所述CO与输入射频信号VIN+相连，C1与输入射频信号VIN-相连，低通滤波器与输出信号VOUT相连。
进一步的，所述A点与C点电位相等，B点与D点电位相等。
本发明具有如下有益效果：本发明具有很高的输入阻抗，约在千欧级，功率检测节点的阻抗为50欧姆，因此引入的损失极小；电路的功耗很小，微安级别；由于通过自混频方式实现，因此工作频率很宽；灵敏度很高，能检测输入功率低至-15dBm的载波泄漏信号。
附图说明
图1为本发明电路示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
如图所示，一种功率检测器，包括隔直电容器C0、C1，耦合电容C2、C3，偏置电阻R1、R2、R3、R4，由R5、C4、C5组成的低通滤波器和PMOS管M8、M9；CO与C2、C1与C3相连，再分别连到M1、M2的栅极，由M1、M2的栅端分别经R3、R4连到A点，由M1、M2的漏端连到B点，B点与低通滤波器相连，所述M8、M9漏端相连，组成源跟随器结构，C点位于M8、M9之间，A点与C点相连， M9的栅极通过D点与低通滤波器相连，所述CO、C2之间与C1、C3之间通过R1、R2加有偏置电压VB。
进一步的，所述M8还连有管子M5，M5与M4相连，M4与M3相连，M3与M7相连，M7与M6相连。
进一步的，所述M5、M6、M8的栅端接入电源VDD，M3、M4、M7的栅端接入基准电流IREF，所述M3、M4、M7的漏端接地GND。
进一步的，所述M9和低通滤波器接地。
进一步的，所述CO与输入射频信号VIN+相连，C1与输入射频信号VIN-相连，低通滤波器与输出信号VOUT相连。
进一步的，所述A点与C点电位相等，B点与D点电位相等
具体地，输入射频信号VIN+、VIN-分别经耦合电容C2、C3耦合到M2、M1管子的栅极。漏端输入的射频信号与栅端输入的射频信号经M1、M2实现自混频功能，然后由R5、C5、C4组成的低通滤波器滤除高频分量，从而得到直流电平输出。
M1、M2管子的漏端电压由电流镜产生，管子工作在临界导通状态，漏源端电位几乎相等，因此漏端偏置电压决定了输出端的直流电平。PMOS管M8、M9组成源跟随器结构，M8为电流源。当电流一定时，C、D两点的电位差为一定值，从而A、B两点之间的电位差也为定值。即通过M9管稳定的栅源电压差来钳制M1管和M2管的栅源两端的电压差。因此通过这种方式来稳定管子的直流偏置，不使管子截止。