技术特征：
技术总结
本发明提供缺陷检查方法及其装置，在对于半导体晶片或MEMS晶片等包含微细且多层构造的被检查体的超声波检查中，能够将存在于内部的不良与正常图案分离而高灵敏度地检测。将形成有图案的被检查体进行摄像而取得被检查体的图像，根据所取得的被检查体的图像制作不包含缺陷的基准图像，并制作用于从所取得的被检查体的图像将非缺陷像素进行掩蔽的多值掩码，将被检查体的图像和基准图像的明亮度进行对照来计算缺陷可靠度，将计算出的缺陷可靠度与制作出的多值掩码进行比较来检测缺陷。
技术研发人员：酒井薰;菊池修;佐原健司
受保护的技术使用者：株式会社日立电力解决方案
技术研发日：2016.09.27
技术公布日：2017.08.08