一种扭转差动式石英谐振加速度传感器芯片的制作方法

文档序号:12268461阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种扭转差动式石英谐振加速度传感器芯片,包括外围的硅基支撑框架(1),硅基支撑框架(1)与其内部的质量块(2)通过支撑转轴(5)连接,其特征在于:在质量块(2)上靠近中轴线部位,开有一对完全贯通的第一空槽(4)和第二空槽(8),第一双端石英音叉(3)和第二双端石英音叉(9)安装在第一空槽(4)和第二空槽(8)内,第一双端石英音叉(3)和第二双端石英音叉(9)的一端固定在硅基支撑框架(1)上的第一安装槽(6)内,第一双端石英音叉(3)和第二双端石英音叉(9)的另一端固定在质量块(2)上的第二安装槽(7)内,第一双端石英音叉(3)和第二双端石英音叉(9)关于支撑转轴(5)对称安装,第一双端石英音叉(3)和第二双端石英音叉(9)的谐振梁表面四周设置有电极,通电之后能够按照预定模态振动。

2.根据权利要求1所述的一种扭转差动式石英谐振加速度传感器芯片,其特征在于:所述的第一空槽(4)和第二空槽(8)关于支撑转轴(5)对称,宽度为500微米以上。

3.根据权利要求1所述的一种扭转差动式石英谐振加速度传感器芯片,其特征在于:所述的质量块(2)与硅基支撑框架(1)之间有200-300微米的运动间隙。

4.根据权利要求1所述的一种扭转差动式石英谐振加速度传感器芯片,其特征在于:所述的支撑转轴(5)长度为200-300微米,宽度为180-200微米。

5.根据权利要求1所述的一种钟扭转动式石英谐振加速度传感器芯片,其特征在于:所述的第一安装槽(6)和第二安装槽(7)的深度为250-300微米,靠近中轴线。

6.根据权利要求1所述的一种扭转差动式石英谐振加速度传感器芯片,其特征在于:所述的支撑转轴(5)和质量块(2)以及硅基支撑框架(1)的中轴线重合。

7.根据权利要求1所述的一种扭转差动式石英谐振加速度传感器芯片,其特征在于:所述的第一双端石英音叉(3)和第二双端石英音叉(9)处于硅基支撑框架(1)的对角线的一侧,平行并列安装,第一双端石英音叉(3)和第二双端石英音叉(9)的振动模态相同。

8.根据权利要求1所述的一种扭转差动式石英谐振加速度传感器芯片,其特征在于:所述的第一双端石英音叉(3)或第二双端石英音叉(9)的两根谐振梁(10)的振动模态相反。

9.根据权利要求1所述的一种扭转差动式石英谐振加速度传感器芯片,其特征在于:所述的硅基支撑框架(1)、质量块(2)、支撑转轴(5)、第一安装槽(6)、第二安装槽(7)、第一空槽(4)和第二空槽(8)通过体硅工艺加工得到。

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