一种适用于智能变电站用的高精度电池巡检测量电路的制作方法

文档序号:12532670阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种适用于智能变电站用的高精度电池巡检测量电路,其特征在于:包括:电源模块、处理器模块、多通道切换模块、单通道电压隔离采集模块、温度采集电路、串口通信模块和显示模块,所述单通道电压隔离采集模块和温度采集电路的输出端连接处理器模块,所述处理器模块的输出端连接多通道切换模块、串口通信模块和显示模块,所述电源模块为处理器模块、单通道电压隔离采集模块、温度采集电路和显示模块供电。

2.根据权利要求1所述的一种适用于智能变电站用的高精度电池巡检测量电路,其特征在于,所述电源模块包括220VDC转12VDC输出电路和12VDC转5VDC输出电路;

其中220VDC转12VDC输出电路将外部接入的220V直流电通过压敏电阻RV1、限流保险丝F1与DC-DC电源转换芯片LH05-10B12连接产生12VDC,DC-DC电源转换芯片的输出端设置退耦电容C1、C2、C3;

12VDC转5VDC输出电路包括前置退耦电容C5、C7,DC-DC电源转换芯片AP1501、储能电感L1,瞬态抑制二极管D5和输出退耦电容C6、C8、C11,其中12VDC直流电源通过前置退耦电容C5、C7与DC-DC电源转换芯片AP1501的输入端连接,DC-DC电源转换芯片AP1501的OUT端连接储能电感L1的一端和瞬态抑制二极管D5的负极,储能电感L1的另一端连接输出退耦电容C6、C8、C11,瞬态抑制二极管D5的正极接地。

3.根据权利要求1所述的一种适用于智能变电站用的高精度电池巡检测量电路,其特征在于,所述处理器模块采用ARM处理器芯片NUC100,电容C18、C19与晶体Y1组成了ARM处理器芯片NUC100的时钟电路,J11为ARM处理器芯片NUC100的TTL串口调试接口,电阻R11、电容C17与D7组成了低电平复位电路,C25、C26、C27、C29为NUC100芯片的电源退耦电容。

4.根据权利要求1所述的一种适用于智能变电站用的高精度电池巡检测量电路,其特征在于,所述多通道切换模块包括限流电阻R27和MOSFET继电器G3VM-3F,处理器模块通过GPIO口控制MOSFET继电器G2VM-3F来实现单节蓄电池的正负极端口的切入与切出。

5.根据权利要求1所述的一种适用于智能变电站用的高精度电池巡检测量电路,其特征在于,所述单通道电压隔离采集模块包括SPI信号隔离芯片,直流电压采集计量芯片和电源隔离模块,5VDC通过电源隔离芯片使蓄电池电压与处理器电压之间实现电源隔离并产生5VDC_ISO为前端信号采集电路供电,并通过SPI信号隔离芯片实现前端SPI信号与处理器间的交互。

6.根据权利要求1所述的一种适用于智能变电站用的高精度电池巡检测量电路,其特征在于,所述温度采集模块包括温度传感器LM75、运算放大器LM358、电阻R17,R18,R19,R20,R21和滤波电容C29,温度传感器LM75的输出端通过电阻R17与运算放大器LM358的正极输入端连接,运算放大器的负极输入端通过电阻R20接地,电阻R21的两端分别连接运算放大器LM358的负极输入端和输出端形成反馈电路,运算放大器LM358的输出端通过电阻R18和滤波电容C29输出与处理器模块连接。

7.根据权利要求1所述的一种适用于智能变电站用的高精度电池巡检测量电路,其特征在于,所述串口通信模块采用ADM2582E芯片,ADM2582E芯片输入VDD_5V和GND经隔离后输出VCC_485和GND_485的隔离电源,从处理器模块输出的TTL电平发信号:UART_TXD、收信号:UART_RXD,方向控制信号:UART_DIR经过ADM2582E芯片输出隔离后差分信号RS485_A+和RS485_B-,在ADM2582E芯片的输入端和输出端分别设置输入端退耦电容C49、C50、C57、C58和输出端退耦电容C53、C54。

8.根据权利要求1所述的一种适用于智能变电站用的高精度电池巡检测量电路,其特征在于,所述显示模块采用直插发光二极管,直插发光二极管的阳极经电阻接5VDC电源,负端接处理器模块的GPIO管脚。

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