MEMS传感器的制作方法

文档序号:11351074阅读:750来源:国知局
MEMS传感器的制造方法与工艺

本实用新型涉及一种MEMS传感器,尤其涉及一种具有温度探测功能的MEMS传感器。



背景技术:

现有的MEMS传感器具有探测加速度信号、压力信号或者声音信号的功能,但现有的MEMS传感器不能探测传感器周围的环境温度。

因此,实有必要提供一种新的技术方案以克服上述缺陷。



技术实现要素:

本实用新型提供了一种能实时探测工作环境温度的MEMS传感器。

本实用新型的技术方案如下:

一种MEMS传感器,所述MEMS传感器包括设有收容空间的封装结构以及设置于所述收容空间中用于探测传感器信号的MEMS芯片和具有若干电路模块的ASIC芯片,所述ASIC芯片上的电路模块包括与MEMS芯片相连的信号处理模块,所述信号处理模块处理所述MEMS芯片探测到的传感器信号并输出经过处理的传感器信号,所述ASIC芯片上的电路模块还包括用于探测温度信号并输出该温度信号的温度探测模块。

优选的,所述温度探测模块为数字电路模块。

优选的,所述ASIC芯片上的电路模块还包括与所述温度探测模块相连的时钟模块,所述时钟模块控制所述温度探测模块是否输出温度信号。

优选的,所述MEMS芯片包括信号探测模块,所述信号探测模块将探测到的传感器信号传输至ASIC芯片上的信号处理模块。

优选的,所述MEMS芯片的信号探测模块探测到的传感器信号为差分模拟信号。

优选的,所述信号处理模块包括将差分模拟信号转换为数字信号的模数转换器。

优选的,所述信号处理模块还包括放大上述数字信号的放大器。

优选的,所述MEMS芯片包括MEMS电源模块,所述ASIC芯片包括给MEMS电源模块提供驱动电压的电压模块。

优选的,所述传感器信号为加速度信号、压力信号或者声音信号。

本实用新型的有益效果在于:本实用新型的MEMS传感器能实时的检测到工作周围的环境温度。

【附图说明】

图1为本实用新型MEMS传感器的剖视图;

图2为本实用新型MEMS传感器的原理框图。

【具体实施方式】

下面结合附图和实施方式对本实用新型作进一步说明。

请一并参阅图1至图2,本实用新型的MEMS传感器100与一外部电源200相连,所述MEMS传感器100包括设有收容空间10的封装结构1、以及设置于所述收容空间10中的MEMS芯片20、具有若干电路模块的ASIC芯片30,封装结构1上还设有气孔11,所述气孔11可以设置于所述封装结构1上方,也可以设置于所述封装结构1的下方。所述MEMS传感可以是加速度传感器、压力传感器或者MEMS麦克风传感器。

所述MEMS芯片20包括信号探测模块21及MEMS电源模块22,所述信号探测模块21用于探测传感器信号,所述传感器信号为差分模拟信号,所述信号探测模块21将差分模拟信号传输至ASIC芯片30上。当所述MEMS传感器为加速度传感器时,所述MEMS芯片探测到的信号为加速度信号,当所述MEMS传感器为压力传感器时,所述MEMS芯片探测到的信号为压力信号,当所述MEMS传感器为MEMS麦克风传感器时,所述MEMS芯片探测到的信号为声音信号。

所述ASIC芯片30上的电路模块包括与MEMS芯片20上的信号探测模块21相连的信号处理模块31、给MEMS芯片20的MEMS电源模块22提供驱动电压的电压模块32、用于探测环境温度并输出该环境温度的温度探测模块32及与所述温度探测模块33相连的时钟模块34。所述信号处理模块31包括将模拟信号转换为数字信号的模数转换器311及放大数字信号的放大器312,所述电压模块32提供恒定的电压驱动所述MEMS电源模块,所述时钟模块34控制所述温度探测模块33是否输出温度信号。所述温度探测模块33为数字电路模块,其输出的信号为数字信号。

所述外部电源200与所述ASIC芯片30上的信号处理模块31、电源模块32、温度探测模块33、时钟模块34分别连接以驱动上述各电路模块。

具体的,当所述MEMS芯片20上的信号探测模块21探测到传感器信号时,将差分模拟信号传输至信号处理模块311,信号处理模块311上的模数转换器311将接收到的差分模拟信号转换为数字信号,所述放大器312放大上述数字信号,所述信号处理模块31最终输出有用的电信号,即经过处理的传感器信号,同时,所述温度探测模块33根据当时的工作环境探测到温度信号,并传输信号给时钟模块34,时钟模块34同时接收外部的时钟信号,然后时钟模块34输出控制信号给温度探测模块33,所述温度探测模块33根据此控制信号决定是否输出温度信号,所述时钟信号可以是具有各种模式的数字信号。

本实用新型由于在MEMS传感器中增加了温度探测模块,使得MEMS传感器能实时的检测到工作周围的环境温度。

以上所述的仅是本实用新型的实施方式,在此应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型创造构思的前提下,还可以做出改进,但这些均属于本实用新型的保护范围。

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