本发明属于荧光测量技术领域，尤其涉及一种荧光测量装置。
背景技术：
荧光光谱检测技术近年来发展迅速，由于其灵敏度高、选择性强，速度快等优点被逐渐被应用于各个领域，特别是在物质种类检测中有着重要的应用，它是对辐射能激发出的辐射强度进行定量分析的发射光谱分析法。通常条件下，分子处于单重态的基态，分子受到紫外至红外激励的光子入射作用后，分子受激而引起电子能级的跃迁或振动和转动能级的跃迁，分子受激后，处于激发态或通过内部转换和振动驰豫的非辐射，相继发射荧光光子，回到电子基态得到荧光光谱，或通过激发单重态和激发三重态间的系间窜越和振动驰豫，放出能量回到基态，得到荧光光谱。每一种物质的荧光效应都有其特定的吸收光的波长和发射的荧光波，利用这一特性，可以定性鉴别物质，现有的荧光测量装置由于溶液浓度高时激发的荧光不易透射出、浓度低时探测器接收面积小等原因存在使得检测到的荧光强度较弱，怎样使得荧光强度增强就成了亟待解决的问题。
技术实现要素：
为了解决以上存在问题，本发明提供一种荧光测量装置，能够更加准确的测量荧光。
本发明所要解决的技术问题是通过以下技术方案实现的：
一种荧光测量装置，包括光源1、“1”字型光源转换头2、平行光透镜3、狭缝4、滤色片5、比色皿6、螺旋装置7、比色皿底座8、硅光电池9、底板10、遮光罩11、探测器12。所述光源1、“1”字型光源转换头2、平行光透镜3、狭缝4、滤色片5、螺旋装置7、硅光电池9、探测器12均固定在底板10上，比色皿底座8固定在螺旋装置7的转轴上并可随着螺旋装置7的转轴的转动而沿着垂直光路方向水平左右移动，比色皿6摆放在比色皿底座8的卡槽上，其中，光源1、“1”字型光源转换头2、平行光透镜3、狭缝4、滤色片5从左向右沿一条与比色皿底座8平行的水平横轴依次分布在底板中央，探测器12分布在比色皿右侧，且与上述光源1在一条水平线上。硅光电池9固定在比色皿6的一侧，遮光罩11固定在底板10上并将光源1、“1”字型光源转换头2、平行光透镜3、狭缝4、滤色片5、比色皿6、螺旋装置7、比色皿底座8、硅光电池9罩在内部。光源1发出的光经过“1”字型光源转换头2变成竖直线光源，竖直线光源经过平行光透镜3后变成平行光，经过狭缝4后变成沿水平方向平行的“1”字型竖直线光源，竖直“1”字型线光源经过滤色片5后变成竖直“1”字型单色光。
所述光源1为氙灯或氘灯点光源；
所述“1”字型光源转换头2高为d，所述平行光透镜3高为d；
所述光源1与“1”字型光源转换头2间距离为l1，所述“1”字型光源转换头2与平行光透镜3间距离为l2，且满足关系式：
所述狭缝4为宽度c、高度h的竖直细长狭缝，且满足条件：宽度c小于比色皿截面宽度w、高度h小于比色皿截面高度h，其中，宽度c取值范围为0.1-1mm、高度h取值范围为1-40mm；
所述滤色片5为10-20nm窄带通单色光滤色片，其宽度lc与高度hh分别大于狭缝宽度c与狭缝高度h；
所述比色皿6为长方体形石英比色皿，侧面4个面均为jgs-1型石英高通光面，沿着光路方向的内径长度为l，垂直光路方向的截面宽度为w+dc1+dc2、高度为h+dd1+dd2，其中，w、h为垂直光路一面(比色皿6截面)的通光宽度与高度，dc1、dc2分别为靠近硅光电池9一侧与另一侧的截面宽度，dd1、dd2分别为底部与顶部的截面高度，比色皿6正对入射光方向的截面上固定有“回”字形不透光铁片，铁片整体宽度为w+dc1+dc2、高度为h+dd1+dd2，铁片内部尺寸为宽度w、高度h，以保证铁片通光面与比色皿6的通光面重复一致；
所述比色皿底座8固定在螺旋装置7的转轴上并可随着螺旋装置7的转轴的转动而沿垂直光路方向分别向左右水平移动，其左右水平移动距离x可以通过螺旋装置7上的螺旋刻度直接读出，且其左右移动距离x的范围要大于比色皿通光截面宽度w；
所述硅光电池9是面积为l*h的大面积硅光电池探测器，并被紧密固定在比色皿6面积为l*h的一侧；
测量时，所述探测器12固定在底板10上，且与所述光源1在同一水平轴上，调节螺旋装置7，控制x沿垂直光路方向分别向左右水平移动，通过探测器12得到两个探测器值开始变小时对应的两个位置示数x1与x2，其中，x1为靠近硅光电池9的一侧位置示数，调节螺旋装置7，向另一侧移动距离xx＝yd*(x2-x1)，其中，系数yd取值范围为0.2-0.9，得到荧光光强测量值i测，通过表达式i测＝sj*i0*exp(-axx)可求出实际荧光原位强度(溶液内受光处真实的荧光强度)i0，其中，sj是硅光电池的荧光强度收集效率、a是荧光光谱的吸光度系数。a值可通过以下方法测出：所述比色皿6内装入适量水或甲醇，打开光源1和探测器12，测量探测器12所收集的光强为i0'，关闭光源和探测器。将比色皿6中溶液换为待测溶液，打开光源1和探测器12，测量探测器12所收集的光强为i1，可得吸光度
本发明所达到的有益效果是：相比于目前已有的测量装置，其光源部分加了一个竖直“1”字转换头，加之采用平行光透镜与狭缝的设置，使得照射的光束变成细长的竖直线光源，不仅大大增强了照射光的强度，提高了光源的利用率，而且增加了荧光逸出几率，更有利于得到大强度的荧光测量值。硅光电池大小覆盖整个比色皿一个侧面并被固定，加上比色皿位置可调，不但实现了荧光强度直接测量，而且通过硅光电池的荧光强度收集效率sj以及表达式i测＝sj*i0*exp(-axx)的修正，并据此可得出实际荧光原位强度i0，解决了荧光强度大小原位准确测量问题
附图说明
图1为本发明的装置的结构示意图。
具体实施方式
为了进一步描述本发明的技术特点和效果，以下结合附图和具体实施方式对本发明做进一步描述。
实施例1
参照图1所示，一种荧光测量装置，包括光源1、“1”字型光源转换头2、平行光透镜3、狭缝4、滤色片5、比色皿6、螺旋装置7、比色皿底座8、硅光电池9、底板10、遮光罩11、探测器12。所述光源1、“1”字型光源转换头2、平行光透镜3、狭缝4、滤色片5、螺旋装置7、硅光电池9、探测器12均固定在底板10上，比色皿底座8固定在螺旋装置7的转轴上并可随着螺旋装置7的转轴的转动而沿着垂直光路方向水平左右移动，比色皿6摆放在比色皿底座8的卡槽上，其中，光源1、“1”字型光源转换头2、平行光透镜3、狭缝4、滤色片5从左向右沿一条与比色皿底座8平行的水平横轴依次分布在底板中央，探测器12分布在比色皿右侧，且与上述光源1在一条水平线上。硅光电池9固定在比色皿6的一侧，遮光罩11固定在底板10上并将光源1、“1”字型光源转换头2、平行光透镜3、狭缝4、滤色片5、比色皿6、螺旋装置7、比色皿底座8、硅光电池9罩在内部。光源1发出的光经过“1”字型光源转换头2变成竖直线光源，竖直线光源经过平行光透镜3后变成平行光，经过狭缝4后变成“1”字型竖直线光源，竖直“1”字型线光源经过滤色片5后变成竖直“1”字型单色光。
所述光源1为氙灯点光源；
所述“1”字型光源转换头2高为d＝10mm，所述平行光透镜3高为d＝50mm；
所述光源1与“1”字型光源转换头2间距离为l1＝20mm，所述“1”字型光源转换头2与平行光透镜3间距离为l2＝80mm，
所述狭缝4为宽度c＝0.2mm、高度h＝10mm的竖直细长狭缝，且满足条件：宽度c小于比色皿截面宽度w＝10mm、高度h小于比色皿截面高度h＝50mm；
所述滤色片5为15nm窄带通单色光滤色片，其宽度lc＝5mm与高度hh＝50mm分别大于狭缝宽度c与狭缝高度h；
所述比色皿6为长方体形石英比色皿，侧面4个面均为jgs-1型石英高通光面，沿着光路方向的内径长度为l＝30mm，垂直光路方向的截面宽度为w+dc1+dc2、高度为h+dd1+dd2，其中，w、h为垂直光路一面(比色皿6截面)的通光宽度与高度，dc1＝1mm、dc2＝1mm分别为靠近硅光电池9一侧与另一侧的截面宽度，dd1＝1mm、dd2＝1mm分别为底部与顶部的截面高度，比色皿6正对入射光方向的截面上固定有“回”字形不透光铁片，铁片整体宽度为w+dc1+dc2、高度为h+dd1+dd2，铁片内部尺寸为宽度w、高度h，以保证铁片通光面与比色皿6的通光面重复一致；
所述比色皿底座8固定在螺旋装置7的转轴上并可随着螺旋装置7的转轴的转动而沿垂直光路方向分别向左右水平移动，其左右水平移动距离x可以通过螺旋装置7上的螺旋刻度直接读出，且其左右移动距离x的范围要大于比色皿通光截面宽度w；
所述硅光电池9是面积为l*h的大面积硅光电池探测器，并被紧密固定在比色皿6面积为l*h的一侧；
所述探测器12固定在底板10上，且与所述光源1在同一水平轴上，调节螺旋装置7，控制x分别沿垂直光路方向分别向左右水平移动，通过探测器12得到两个探测器值开始变小时对应的两个位置示数x1＝0mm与x2＝10.00mm，其中，x1为靠近硅光电池9的一侧位置示数，调节螺旋装置7，向另一侧移动距离xx＝yd*(x2-x1)，其中，系数yd取值范围为0.2-0.9，得到荧光光强测量值i测，通过表达式i测＝sj*i0*exp(-axx)可求出实际荧光原位强度(溶液内受光处真实的荧光强度)i0，其中，sj是硅光电池的荧光强度收集效率、a是荧光光谱的吸光度系数。a值可通过以下方法测出：所述比色皿6内装入纯净水，将荧光峰波长设为滤色片带通波长，打开光源1和探测器12，测量探测器12所收集的光强为i0'，关闭光源和探测器。将比色皿6中溶液换为待测溶液，打开光源1和探测器12，再次测量探测器12所收集的光强为i1，可得吸光度
实施例2
同实施例1，不同之处在于：c取值为0.1mm、高度h取值为1mm；所述滤色片5为10nm窄带通单色光滤色片。
实施例3
同实施例1，不同之处在于：c取值为1mm、高度h取值为40mm；所述滤色片5为20nm窄带通单色光滤色片。
上述实施例不以任何形式限定本发明，凡采取等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均落在本发明的保护范围之内。