本实用新型涉及电子元器件测试装置技术领域，具体涉及一种在高低温环境下的MLCC电容器ESR测试装置。
背景技术：
片式多层瓷介电容器(MLCC)是一种常见的被动元器件，具有体积小、容量大、耐湿热性能好、性价比高等特点。目前已经广泛应用于计算机、各种电子设备、航空航天等领域，成为电子设备中不可缺少的零部件。但是，由于目前产品制作加工工艺的限制，MLCC电容器在实际应用中并不是理想电容器。根据其使用频率的不同，会伴随有寄生参数，诸如容抗、感抗、等效串联电阻(ESR)等，其中容抗和感抗部分不产生功耗，而ESR参数会产生功耗，直接造成电容器的温度升高。所以，通过测试电容器的温升变化，可以间接研究其ESR的变化，为我们在电容器的实际应用中提供参考。
在实际应用中，有时我们仅需要了解MLCC电容器在高低温环境下(例如-55℃～125℃)的ESR变化规律，而具体的ESR值无关紧要。这种情况下，我们通常采用的方法是将试验电容放入高低温试验箱中，然后通过线缆导出至箱外连接测试设备进行测试。由于MLCC电容器ESR极小(mΩ级)，加上从箱中引出的较长电缆造成的较大误差以及测试设备的校正功能限制，会造成测试结果误差很大，甚至出现负值现象，从而造成ESR变化趋势测不准的情况发生。
技术实现要素：
针对上述问题中存在的不足之处，本实用新型提供一种在高低温环境下的MLCC电容器ESR测试装置。
为实现上述目的，本实用新型提供一种在高低温环境下的MLCC电容器ESR测试装置，包括：
试验板A和试验板B，在所述试验板A和所述试验板B上均焊有待测试电容；
所述试验板A放置在高低温测试箱内部进行高低温测试，所述试验板B位于所述高低温试验箱外部；
所述试验板A和所述试验板B与纹波电流试验台连接；
所述试验板B上的待测试电容表面粘接有热电偶。
上述的在高低温环境下的MLCC电容器ESR测试装置中，优选为，所述试验板A上的待测试电容和所述试验板B待测试电容为并联。
在上述技术方案中，本实用新型实施例提供的在高低温环境下的MLCC电容器ESR测试装置，与现有技术相比，通过在试验板A和试验板B上均焊有待测试电容，将试验板A放置在高低温测试箱内部进行高低温测试，试验板B位于高低温试验箱外部，试验板A和试验板B与纹波电流试验台连接，试验板B上的待测试电容表面粘接有热电偶，用温升的变化间接分析MLCC电容器的ESR变化，温升与电流和ESR成正比关系，对于MLCC电容器来说，因为其质量m较小(毫克级)，所以很小的ESR变化就可以引起较大的温度变化。所以，可以通过电容器温升的“放大作用”来表现ESR的微小变化。其结构简单，操作便捷，测试效果好。
附图说明
图1为本实用新型一个实施例中在高低温环境下的MLCC电容器ESR测试装置的结构示意图。
附图标记说明：
1、纹波电流试验台；2、试验板B；3、试验板A；4、高低温试验箱；5、热电偶。
具体实施方式
下面通过具体的实施例结合附图对本实用新型做进一步的详细描述。
实施例1：
在高低温环境下的MLCC电容器ESR测试装置，如图1所示，将两支同一规格的待测试电容焊接在试验板A3和试验板B2上，试验板为相同的两块。试验板A3放入高低温试验箱4中，试验板B2放在高低温试验箱4外待测。上述两块试验板与纹波电流试验台1连接，并将热电偶5粘接在箱外的待测电容器表面。启动高低温试验箱4将温度保持在设定温度，一定时间后启动纹波试验台1，设置电流、电压、频率、保持时间等参数后，高低温试验箱4外MLCC电容的表面温度，导出其与施加电流的关系数据。按上述相同步骤测试其它不同温度条件下的电容温升与电流关系，进而分析在同样电流和保持时间下，不同环境温度下的电容温升变化。由于高低温试验箱4内与高低温试验箱4外的电容为并联关系，纹波试验台1施加的总电流恒定，高低温试验箱4内电容的ESR会随环境温度发生变化，而高低温试验箱4外常温下的电容ESR则不变。这必然导致高低温试验箱4外电容的分流电流发生变化，从而可以通过对高低温试验箱4外电容的温升变化，计算出高低温试验箱4内电容的ESR随高低温试验箱4环境温度的变化率，进而得知高低温试验箱4内电容的ESR变化趋势。根据需要，进而可以通过电容在常温下(25℃)的ESR数据值，估测出在不同温度下的ESR值。
估测某型号电容的ESR随温度(-55℃、-25℃、25℃、85℃、125℃)的变化规律。
步骤如下：
①测试高低温试验箱温度为常温25℃时，箱外待测电容在8A、1min、100KHz条件下的温升随时间的变化曲线，取8A，1min时的温升为T1；
②分别测试上述其他四个温度点在相同条件下的温升曲线，分别取8A，1min时的温升为T2、T3、T4、T5；
③因为电容温升T＝(Q产热-Q散热)/cm(其中c为电容材料的比热容，m为电容质量)；又Q产热＝I2RESRt；所以T＝(I2RESRt-Q散热)/cm(式1)。当电流I很大，通电时间t足够长且空间密闭时，Q产热》Q散热，所以T≈I2RESRt/cm(式2)。对于箱外的电容，相同实验条件下，RESR、t、c和m为定值，所以温升T正比于实验电流I；
④又实验条件为恒流I实＝8A，即I实＝I外+I内＝8A；又I外ESR外＝I内ESR内，所以I外＝I实ESR内/(ESR内+ESR外)(式3)。将式3代入式2得箱外电容温升T≈(I2实ESR2内/(ESR内+ESR外)2)*ESR外t/cm。其中I实、ESR外、t、c和m参数都为定值，所以箱外电容温升T与箱内电容器的ESR内变化规律一致，即同增同减；
⑤由以上规律可以得出，通过测试箱外电容产品的温升值T1-T5，绘制曲线，即可反映箱内电容产品的ESR随温度的变化曲线。
实施例2估测某型号(常温25℃，100KHz下，ESR标准值为3mΩ)电容的ESR在某温度点(例如-55℃、-25℃、85℃、125℃)时的ESR值。步骤如下：
①测试高低温试验箱温度为常温25℃时，箱外待测电容在8A、1min、100KHz条件下的温升随时间的变化曲线，取8A，1min时的温升为T1；
②分别测试上述其他四个温度点在相同条件下的温升曲线，分别取8A，1min时的温升为T2、T3、T4、T5；则可以算出各温度点相对于25℃时的温升变化率ΔT；
③因为电容温升T＝(Q产热-Q散热)/cm(其中c为电容材料的比热容，m为电容质量)；又Q产热＝I2RESRt；所以T＝(I2RESRt-Q散热)/cm(式1)。当电流I很大，通电时间t足够长时，Q产热》Q散热，所以T≈I2RESRt/cm(式2)。对于箱外的电容，相同实验条件下，RESR、t、c和m为定值，所以温升T正比于实验电流I；
④又实验条件为恒流I实＝8A，即I实＝I外+I内＝8A；又I外ESR外＝I内ESR内，所以I外＝I实ESR内/(ESR内+ESR外)(式3)。将式3代入式2得箱外电容温升T＝(I2实ESR2内/(ESR内+ESR外)2)*ESR外t/cm；
⑤以-55℃情况为例，相较于常温下的温升变化率又25℃时，RSR内1＝RSR外1＝RSR外2＝3mΩ,所以可以由式4得出箱内电容在-55℃时的ESR变化率
⑥以此类推，可以得出各温度点下的ESR变化率，以25℃的ESR标准值为基准，可以估测出各温度点下的RSR值。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。