技术总结
本实用新型公开一种线阵列双能量X射线探测器，包括对应设置的低能探测单元和高能探测单元。其中，低能探测单元包括沿射线入射方向依次设置于第一PCB板上的低能闪烁体阵列和第一光电二极管阵列，高能探测单元包括沿射线入射方向依次设置于第二PCB板上的高能闪烁体阵列和第二光电二极管阵列，低能探测单元和高能探测单元沿射线入射方向依次固定于转接板上，第一光隔器件各像元中心点与对应高能闪烁体阵列各像元中心点对准，当低能闪烁体阵列有光隔时，第一光隔器件为低能闪烁体阵列，当低能闪烁体阵列无光隔时，第一光隔器件为第一光电二极管阵列。本实用新型中低能探测器阵列和高能探测器阵列对位准确，提高了射线扫描系统对材料的识别能力。
技术研发人员：高占军
受保护的技术使用者：同源微（北京）半导体技术有限公司
文档号码：201721413171
技术研发日：2017.10.30
技术公布日：2018.05.04