本实用新型涉及一种锰铜分流器，特别涉及一种抗交变磁场的锰铜分流器。
背景技术：
众所周知，分流器是测量直流电流用的，根据直流电流通过电阻时在电阻两端产生电压的原理制成，锰铜分流器时常与PCB板进行连接，通过分流器进行采样后通过采样线将数据传输至PCB板处，但是由于电流在传导时产生交变磁场，此种磁场对分流器的采样产生干扰，致使采样数据错误，实用性不强。
技术实现要素：
本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种抗交变磁场的锰铜分流器，可做到减少本实用新型受到交变磁场的干扰。
为了解决上述技术问题，本实用新型提供了如下的技术方案：
本实用新型一种抗交变磁场的锰铜分流器，包括主体、采样线和导线，所述主体的中间设置有电阻块，所述电阻块的一端固定安装有采样块，所述采样块的顶端固定安装有连接管，所述采样块的两侧设置有分流块，且分流块安装在电阻块的两端，所述分流块的一侧贯穿设置有装配孔，所述分流块的一端固定设置有定位块，所述电阻块的另一端固定安装有第一接线柱，所述第一接线柱的内部套接有采样线，所述第一接线柱的一侧设置有第二接线柱，且第二接线柱与分流块连接，所述第二接线柱的一端固定安装有热塑管，所述热塑管的内部套接有导线。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述连接管包含有a段、b段和c段，且a段和c段分别与电阻块平行，所述连接管的b段垂直贯穿电阻块。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述采样块和第一接线柱通过连接管相连接。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述第一接线柱和第二接线柱通过主体相连接。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：
本实用新型通过将连接管与主体平行后再将其垂直贯穿电阻块，再将连接管与第一接线柱连接，从而使导线受到交变磁场的干扰达到最小，从而防止分流器因磁场干扰而出现采样数据出现差错，从而增强本实用新型的实用性。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：
图1是本实用新型的整体结构示意图；
图中：1、主体；2、电阻块；3、采样块；4、连接管；5、分流块；6、装配孔；7、定位块；8、第一接线柱；9、采样线；10、第二接线柱；11、热塑管；12、导线。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
其中附图中相同的标号全部指的是相同的部件。
此外，如果已知技术的详细描述对于示出本实用新型的特征是不必要的，则将其省略。需要说明的是，下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附图中的方向，词语“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件几何中心的方向。
实施例1
如图1所示，本实用新型提供一种抗交变磁场的锰铜分流器，包括主体1、采样线9和导线12，主体1的中间设置有电阻块2，电阻块2的一端固定安装有采样块3，采样块3的顶端固定安装有连接管4，采样块3的两侧设置有分流块5，且分流块5安装在电阻块2的两端，分流块5的一侧贯穿设置有装配孔6，分流块5的一端固定设置有定位块7，电阻块2的另一端固定安装有第一接线柱8，第一接线柱8的内部套接有采样线9，第一接线柱8的一侧设置有第二接线柱10，且第二接线柱10与分流块5连接，第二接线柱10的一端固定安装有热塑管11，热塑管11的内部套接有导线12。
进一步的，连接管4包含有a段、b段和c段，且a段和c段分别与电阻块2平行，连接管4的b段垂直贯穿电阻块2，通过将连接管4与电阻块2平行，并将连接管4的b段垂直贯穿电阻块2后与第一接线柱8连接，从而使采样线9受到的磁场干扰降至最低，避免本实用新型因磁场干扰而出现采样错误。
采样块3和第一接线柱8通过连接管4相连接，采样块3的采样数据通过连接管4传输至第一接线柱8处，再通过第一接线柱8传输至采样线9处，使采样线9将数据传输至PCB板上，完成数据的传输。
第一接线柱8和第二接线柱10通过主体1相连接，第二接线柱10的一端连接有导线12，导线12将电流传导至本实用新型处，通过采样块3进行采样。
具体的，使用者通过使用装配孔6将本实用新型安装在PCB板上，安装完毕后使用者将导线12与第二接线柱10连接后，再将采样线9与本实用新型的第一接线柱8连接，连接完毕后，电流通过导线12传输至分流块5处并到达电阻块2，电阻块2一端的采样块3进行数据采样，并在采样完毕后将数据通过连接管4传输至第一接线柱8处，通过与第一接线柱8连接的采样线9将采样数据传输至PCB板，而连接管4由于垂直贯穿电阻块2，从而使得采样数据受到电磁的干扰降到最低，避免了数据出错。
综上所述，本实用新型通过将连接管4与主体1平行后再将其垂直贯穿电阻块2，再将连接管4与第一接线柱8连接，从而使导线12受到交变磁场的干扰达到最小，从而防止分流器因磁场干扰而出现采样数据出现差错，从而增强本实用新型的实用性。
最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。