一种基于导电二硫化钨纳米片修饰电极的全固态离子选择性电极及其制备方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种基于导电二硫化钨纳米片修饰电极的全固态离子选择性电极，包括电极基底以及依次包覆在所述电极基底上的导电二硫化钨纳米片修饰层和离子选择性聚合物膜。本发明还公开了该全固态离子选择性电极的制备方法。本发明的基于导电二硫化钨纳米片修饰电极的全固态离子选择性电极克服了现有涂覆离子选择性电极电位不稳定和重复性差等不足。

技术研发人员：平建峰;刘晓学;姚瑶;姜成美
受保护的技术使用者：浙江大学
技术研发日：2018.10.30
技术公布日：2019.02.22