薄晶圆测试载具的制作方法

1.本实用新型涉及晶圆测试技术领域，特别涉及一种薄晶圆测试载具。


背景技术：

2.目前，半自动晶圆测试机测试薄晶圆使用的是一种带孔铜盘，薄晶圆放于铜盘正面，连带铜盘放于设备载台上方使用真空吸附。铜盘的真空孔与设备中载台真空孔一一对应。由于真空孔数量繁多，在使用过程中无法准确的使铜盘真空孔与载台真空孔完全对应起来，从而导致真空吸附薄晶圆时，铜盘上的真空孔不是所有都具有真空吸附的效果，真空吸附薄晶圆时真空分布不均。特别是在吸附破碎wafer时，很大几率导致有部分碎片达不到吸附在铜盘上的效果并无法生产，从而影响了操作员工使用便捷性和生产效率。


技术实现要素：

3.本实用新型的主要目的是提出一种薄晶圆测试载具，旨在解决测试过程中圆盘真空孔与载台真空孔错位导致的真空分布不均的问题，提高吸附薄晶圆时的吸附力。
4.为实现上述目的，本实用新型提出的薄晶圆测试载具，所述薄晶圆测试载具应用于半自动晶圆测试机，所述薄晶圆测试载具放置于载台真空腔上表面，所述载台真空腔的上表面上开设有若干个真空孔，所述真空孔均匀分布，所述薄晶圆测试载具包括：
5.圆盘，所述圆盘的下表面开设有若干个同心的环槽，
6.所述圆盘上且位于所述环槽内开设若干个吸附孔，一个所述环槽的直径与一圈到载台真空腔轴线距离相等的真空孔相对应。
7.可选地，相邻三个所述环槽的直径差值相同。
8.可选地，所述环槽内的吸附孔均匀分布于所述环槽内。
9.可选地，大直径的所述环槽内的吸附孔的数量多于小直径的所述环槽内的吸附孔的数量。
10.可选地，所述圆盘的表面为镀金材料，所述镀金材料的内部为紫铜材料。
11.可选地，所述环槽的宽度为1-2mm。
12.可选地，所述圆盘的厚度为1-2mm。
13.可选地，所述圆盘的直径大于所述载台真空腔的上表面的直径，所述圆盘的下表面设置有一凸环，所述凸环的内径与所述载台真空腔的上表面的直径相配合。
14.本实用新型技术方案通过采用圆盘以及在圆盘上开设有环槽，解决了测试过程中铜盘真空孔与载台真空孔错位导致的真空分布不均的问题，提高了薄晶圆表面的真空度，提高了吸附薄晶圆时的吸附力。在吸附破碎晶圆时不再出现因真空吸附不均导致的吸附不稳的情况，提高了生产效率；降低了载具正面真空孔的数量及真空孔分布稀疏或密集不会受到设备载台真空孔数量和布局的约束。
附图说明
15.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
16.图1为现有的薄晶圆测试载具的结构示意图；
17.图2为现有的薄晶圆测试载具的底面的结构示意图；
18.图3为本实用新型薄晶圆测试载具一实施例的结构示意图；
19.图4为本实用新型薄晶圆测试载具底面的结构示意图。
20.附图标号说明：
21.标号名称标号名称100载台真空腔110真空孔210圆盘211环槽212吸附孔213凸环300载台真空管道400薄晶圆
22.本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
23.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
24.需要说明，若本实用新型实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
25.另外，若本实用新型实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。
26.本实用新型提出一种薄晶圆测试载具。
27.在本实用新型实施例中，如图3-4所示，该薄晶圆测试载具应用于半自动晶圆测试机，所述薄晶圆测试载具放置于载台真空腔100上表面，所述载台真空腔100的上表面上开设有若干个真空孔110，所述真空孔110均匀分布，载台真空腔100的上表面上的呈多圈真空孔110，载台真空腔100通过载台真空管道300与真空泵相连通，一圈真空孔110所组成的圆与另外一圈真空孔110所组成的圆同心，载台真空腔100的具体结构如图3所示；该薄晶圆测试载具包括圆盘210，所述圆盘210的下表面开设有若干个同心的环槽211，所述圆盘210上且位于所述环槽211内开设若干个吸附孔212，一个所述环槽211的直径与一圈到载台真空
腔100轴线距离相等的真空孔110相对应。当对薄晶圆400进行吸附时，将薄晶圆测试载具放置在载台真空腔100上表面，将薄晶圆测试载具的轴心与载台真空腔100的轴心调整为同心，一个环槽211放置在一圈真空孔110的上方，每个环槽211分别有一圈真空孔110相对应。
28.本实用新型技术方案通过采用圆盘210以及在圆盘210上开设有环槽211，解决了测试过程中铜盘真空孔110与载台真空孔110错位导致的真空分布不均的问题，提高了薄晶圆400表面的真空度，提高了吸附薄晶圆400时的吸附力。在吸附破碎晶圆时不再出现因真空吸附不均导致的吸附不稳的情况，提高了生产效率；降低了载具正面真空孔110的数量及真空孔110分布稀疏或密集不会受到设备载台真空孔110数量和布局的约束。
29.具体的，为了进一步提高薄晶圆400表面的真空度，相邻三个所述环槽211的直径差值相同。例如，从内到外的第二环槽211与第三个环槽211之间的直径差值与，从内到外的第三环槽211与第四个环槽211之间的直径差值相同。
30.具体的，为了进一步提高薄晶圆400表面的真空度，所述环槽211内的吸附孔212均匀分布于所述环槽211内。
31.具体的，为了进一步提高薄晶圆400表面的真空度，大直径的所述环槽211内的吸附孔212的数量多于小直径的所述环槽211内的吸附孔212的数量。
32.具体的，为了提高圆盘210的导电性和导热性，为了防止圆盘210内定的紫铜被氧化，所述圆盘210的表面为镀金材料，所述镀金材料的内部为紫铜材料。
33.具体的，为了进一步提高薄晶圆400表面的真空度，所述环槽211的宽度为1-2mm。
34.具体的，为了节约圆盘210的生产成本，进一步提高薄晶圆400表面的真空度，所述圆盘210的厚度为1-2mm。
35.具体的，所述圆盘210的直径大于所述载台真空腔100的上表面的直径，所述圆盘210的下表面设置有一凸环213，所述凸环213的外径与所述圆盘210的直径相同，所述凸环213的内径与所述载台真空腔100的上表面的直径相配合，所述凸环213的内径略大于所述载台真空腔100的上表面的直径。
36.本实用新型技术方案通过采用圆盘210以及在圆盘210上开设有环槽211，解决了测试过程中铜盘真空孔110与载台真空孔110错位导致的真空分布不均的问题，提高了薄晶圆400表面的真空度，提高了吸附薄晶圆400时的吸附力。在吸附破碎晶圆时不再出现因真空吸附不均导致的吸附不稳的情况，提高了生产效率；降低了载具正面真空孔110的数量及真空孔110分布稀疏或密集不会受到设备载台真空孔110数量和布局的约束。
37.以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。