技术特征：
1.一种igbt测试设备，其特征在于，包括测试电源提供电路(10)、驱动脉冲信号源(20)、以及电信号测量仪(30)，其中：所述测试电源提供电路(10)的正极输出端与待测igbt(40)的集电极连接、负极输出端与待测igbt(40)的发射极连接，以为所述待测igbt(40)提供设定大电流的直流测试电源信号；所述驱动脉冲信号源(20)与所述待测igbt(40)的栅极连接，为所述待测igbt(40)提供驱动脉冲信号，使待测igbt(40)导通以进行测试；所述电信号测量仪(30)连接在所述待测igbt(40)的集电极和发射极之间，通过对集电极和发射极之间的电信号进行实时测量，并根据测量结果得到所述待测igbt(40)针对所述设定大电流的耐受能力。2.根据权利要求1所述的igbt测试设备，其特征在于，所述测试电源提供电路(10)包括输入整流滤波单元(11)、驱动单元(12)、主开关单元(13)以及输出整流滤波单元(14)，所述主开关单元(13)与所述驱动单元(12)和所述输入整流滤波单元(11)连接，所述主开关单元(13)包括第一初级线圈组和第二初级线圈组；所述驱动单元(12)向所述主开关单元(13)发送pwm脉冲信号以选通所述主开关单元(13)的第一初级线圈组或第二初级线圈组，所述输入整流滤波单元(11)将输入的交流电源信号进行整流滤波后输出到所述主开关单元(13)中选通的第一初级线圈组或第二初级线圈组；所述输出整流滤波单元(14)与所述主开关单元(13)耦合，所述输出整流滤波单元(14)包括次级线圈(l7)，所述次级线圈(l7)根据所述第一初级线圈组或所述第二初级线圈组上的电源信号得到感应电源信号，并将所述感应电源信号转换为直流电源信号后输出至所述待测igbt(40)。3.根据权利要求2所述的igbt测试设备，其特征在于，所述主开关单元(13)还包括第一晶体管(q1)、第二晶体管(q2)、第三晶体管(q3)以及第四晶体管(q4)；所述第一初级线圈组包括第一线圈(l3)、第二线圈(l5)，所述第一线圈(l3)的一端与所述输入整流滤波单元(11)的输出端连接、另一端通过所述第一晶体管(q1)与所述驱动单元(12)连接；所述第二线圈(l5)的一端与所述输入整流滤波单元(11)的输出端连接、另一端通过所述第三晶体管(q3)与所述驱动单元(12)连接；所述第二初级线圈组包括第三线圈(l4)、第四线圈(l6)，所述第三线圈(l4)的一端与所述输入整流滤波单元(11)的输出端连接、另一端通过所述第二晶体管(q2)与所述驱动单元(12)连接；所述第四线圈(l6)的一端与所述输入整流滤波单元(11)的输出端连接、另一端通过所述第四晶体管(q4)与所述驱动单元(12)连接；所述第一晶体管(q1)和所述第三晶体管(q3)在驱动单元(12)输出的pwm脉冲信号的作用下导通时，所述第二晶体管(q2)和所述第四晶体管(q4)截止。4.根据权利要求3所述的igbt测试设备，其特征在于，所述驱动单元(12)还包括脉冲信号产生芯片(u1)、第五晶体管(q5)、以及第六晶体管(q6)，所述第五晶体管(q5)的集电极与电源电压(vcc)连接、控制极与所述脉冲信号产生芯片(u1)的第一信号输出端连接；所述第六晶体管(q6)的集电极接地、控制极与所述脉冲信号产生芯片(u1)的第一信号输出端连接；所述第五晶体管(q5)和所述第六晶体管(q6)的发射极连接在一起，且两个发射极之间
形成与所述第一晶体管(q1)以及所述第三晶体管(q3)的控制极连接的第一信号输出节点，所述第五晶体管(q5)和所述第六晶体管(q6)将所述第一信号输出端输出的pwm脉冲信号进行放大后输出到所述所述第一晶体管(q1)以及所述第三晶体管(q3)的控制极以控制所述第一晶体管(q1)以及所述第三晶体管(q3)导通或截止。5.根据权利要求4所述的igbt测试设备，其特征在于，所述驱动单元(12)还包括第七晶体管(q7)以及第八晶体管(q8)，所述第八晶体管(q8)的集电极与电源电压(vcc)连接、控制极与所述脉冲信号产生芯片(u1)的第二信号输出端连接；所述第七晶体管(q7)的集电极接地、控制极与所述脉冲信号产生芯片(u1)的第二信号输出端连接；所述第七晶体管(q7)和所述第八晶体管(q8)的发射极连接在一起，且两个发射极之间形成与所述第二晶体管(q2)以及所述第四晶体管(q4)的控制极连接的第二信号输出节点，所述第七晶体管(q7)和所述第八晶体管(q8)将所述第二信号输出端输出的pwm脉冲信号进行放大后输出到所述所述第二晶体管(q2)以及所述第四晶体管(q4)的控制极以控制所述第二晶体管(q2)以及所述第四晶体管(q4)导通或截止；其中，在同一时刻，所述脉冲信号产生芯片(u1)的第一信号输出端和所述第二信号输出端输出的脉冲信号不同。6.根据权利要求5所述的igbt测试设备，其特征在于，所述第一信号输出节点通过串联连接的电容(c9)和电阻(r7)与所述第一晶体管(q1)的控制极连接、并通过串联连接的电容(c10)和电阻(r8)与所述第三晶体管(q3)的控制极连接；所述第二信号输出节点通过串联连接的电容(c13)和电阻(r14)与所述第二晶体管(q2)的控制极连接、并通过串联连接的电容(c12)和电阻(r17)与所述第四晶体管(q4)的控制极连接。7.根据权利要求6所述的igbt测试设备，其特征在于，所述主开关单元(13)还包括：并联连接在所述第一晶体管(q1)的控制极和源极之间的电阻(r9)和二极管(d6)，形成所述电容(c9)的充电通路；并联连接在所述第二晶体管(q2)的控制极和源极之间的电阻(r12)和二极管(d9)，形成所述电容(c13)的充电通路；并联连接在所述第三晶体管(q3)的控制极和源极之间的电阻(r10)和二极管(d7)，形成所述电容(c10)的充电通路；以及并联连接在所述第四晶体管(q4)的控制极和源极之间的电阻(r13)和二极管(d8)，形成所述电容(c12)的充电通路。8.根据权利要求6所述的igbt测试设备，其特征在于，所述主开关单元(13)还包括第一峰压吸收二极管(d2)、第二峰压吸收二极管(d3)、第三峰压吸收二极管(d4)、第四峰压吸收二极管(d5)，所述第一峰压吸收二极管(d2)、第二峰压吸收二极管(d3)、第三峰压吸收二极管(d4)、第四峰压吸收二极管(d5)的其中一端分别与所述第一晶体管(q1)、第二晶体管(q2)、第三晶体管(q3)以及第四晶体管(q4)连接，另一端分别连接并联的电阻r5和r6，以分别形成用于对所述第一晶体管(q1)、第二晶体管(q2)、第三晶体管(q3)以及第四晶体管(q4)进行峰压保护的尖峰电压释放通路。9.根据权利要求2-8任意一项所述的igbt测试设备，其特征在于，所述输出整流滤波单元(14)还包括第一整流二极管(d10)以及第二整流二极管(d11)，所述第一整流二极管
(d10)以及所述第二整流二极管(d11)分别连接在所述次级线圈(l7)的两端，用于将所述次级线圈(l7)的感应电流整流后输出；所述igbt测试设备还包括连接在所述输出整流滤波单元(14)与所述待测igbt(40)之间的恒压恒流反馈单元(15)，以将所述输出整流滤波单元(14)输出的直流电源信号保持恒定地输出到所述待测igbt(40)。10.一种测试系统，其特征在于，包括计算机设备以及权利要求1-9任意一项所述的igbt测试设备，所述计算机设备用于从所述电信号测量仪(30)中读取多个不同的待测igbt(40)的测试信息，并根据所述测试信息生成各所述待测igbt(40)的测试报告，所述测试报告包括各所述待测igbt(40)的大电流耐受能力参数。
技术总结
本申请实施例提供一种IGBT测试设备和测试系统，通过测试电源提供电路为待测IGBT提供设定大电流的直流测试电源信号，然后通过驱动脉冲信号源为所述待测IGBT提供驱动脉冲信号，使待测IGBT导通以进行测试，最后由连接在所述待测IGBT的集电极和发射极之间的电信号测量仪对所述待测IGBT的集电极和发射极之间的电信号进行实时测量，并根据测量结果得到所述待测IGBT的针对所述设定大电流的耐受能力。如此，可实现对不同IGBT开始导通至穿通损坏的时间，进而实现IGBT通态极限电流耐受能力的测试，用于对比不同IGBT产品的性能优劣，可对不同品牌、设计、工艺的IGBT产品在直流逆变焊机等领域的整机应用工况下的可靠性作出准确的判断。判断。判断。
技术研发人员：于圣慧
受保护的技术使用者：吉林华微电子股份有限公司
技术研发日：2022.06.17
技术公布日：2022/9/23