1.一种射频芯片测试系统，其特征在于，包括待测射频芯片、变频器和测试机台，所述待测射频芯片设置有高速接收管脚、高速发射管脚以及低速管脚，所述变频器的输出端与所述高速接收管脚连接，所述变频器的输入端与所述高速发射管脚连接，所述低速管脚与所述测试机台连接；
2.根据权利要求1所述的射频芯片测试系统，其特征在于，所述待测射频芯片包括射频接收测试链路、射频发射测试链路以及测试控制模块，所述射频接收测试链路的输入端与所述高速接收管脚连接，所述射频接收测试链路的输出端与所述测试控制模块连接，所述测试控制模块与所述低速管脚连接，所述射频发射测试链路的输入端与所述测试控制模块连接，所述射频发射测试链路的输出端与所述高速发射管脚连接；
3.根据权利要求2所述射频芯片测试系统，其特征在于，所述射频发射测试链路包括发射控制模块和射频发射模块，所述发射控制模块的输入端与所述测试控制模块连接，所述发射控制模块的输出端与所述射频发射模块的输入端连接，所述射频发射模块的输出端与所述高速发射管脚连接；
4.根据权利要求2所述射频芯片测试系统，其特征在于，所述射频接收测试链路包括射频接收模块和测试模块，所述射频接收模块的输入端与所述高速接收管脚连接，所述射频接收模块的输出端与所述测试模块的输入端连接，所述测试模块的输出端与所述测试控制模块连接；
5.根据权利要求1所述的射频芯片测试系统，其特征在于，所述变频器设置在所述待测射频芯片内部。
6.根据权利要求1-5任一项所述射频芯片测试系统，其特征在于，所述变频器包括混频器芯片和压控振荡器芯片，所述混频器芯片的一个输入端与所述高速发射管脚连接，另一个输入端与所述压控振荡器芯片的输出端连接，所述混频器芯片的输出端与所述高速接收管脚连接；
7.根据权利要求1-5任一项所述射频芯片测试系统，其特征在于，所述测试输出数据包括中频值和信噪比，所述测试机台具体用于：
8.根据权利要求7所述射频芯片测试系统，其特征在于，所述测试机台具体还用于：
9.一种射频芯片测试方法，其特征在于，应用于权利要求1-8任一项所述的射频芯片测试系统，包括：
10.根据权利要求9所述的射频芯片测试方法，其特征在于，所述测试输出数据包括中频值和信噪比，所述测试机台根据所述测试输出数据确定所述待测射频芯片是否异常，包括：